直拉法中大直径单晶拉制工艺的导流结构及导流方法技术

一种直拉法中应用于大直径单晶拉制工艺的导流结构及导流方法，其特殊之处是：在导流筒内侧设置导流导热筒，所述导流导热筒下端面与导流筒的下端面的距离为30～50mm，所述导流导流筒上安装导热管，所述导热管穿出炉盖并与炉外水冷系统的冷却水管相连接，所述导流导热筒与所述导流筒内壁之间留有间隙形成导流通道。有益效果是：开始时使导游导热筒上升，使加热集中在熔料，防止发热体的热量被导流导热筒带走，同时使导流导热筒脱离加热区域；在熔料熔化后，拉晶开始阶段，降下导流导热筒，起到导流的同时，将晶体散发出来的潜热通过导热管引导到炉外水冷系统里；从而大大提高拉速，并缩短了生长周期。可以提高拉速进而提高生产效率。

Diversion structure and diversion method of large diameter single crystal drawing process in CZ process

A diversion structure and flow guide method used in the drawing process of large diameter single crystal is used in the direct drawing method. The special feature is that the conduction heat conduction tube is arranged on the inner side of the guide tube, the distance between the lower end face of the flow guide tube and the lower end of the flow guide tube is 30 ~ 50mm, and the heat conduction tube is installed on the diversion guide tube, and the heat conduction pipe is worn out of the furnace cover. It is connected with the cooling water pipe of the water cooling system outside the furnace, and there is a gap between the diversion heat conduction cylinder and the inner wall of the draft tube to form a diversion channel. The beneficial effect is: at the beginning, the guide tube of the guide is raised, the heating is concentrated in the molten material, the heat of the heat body is taken away by the conduction heat conduction cylinder, and the conduction heat transfer tube is separated from the heating area; after the melting of the molten material, the beginning stage of the crystal is lowered, and the heat conduction tube is lowered, and the latent heat of the crystal is emitted while the flow is guided. The heat pipe is used to guide the water cooling system outside the furnace, thus greatly increasing the drawing speed and shortening the growth cycle. It can increase the speed of drawing and increase the efficiency of production.

【技术实现步骤摘要】
直拉法中大直径单晶拉制工艺的导流结构及导流方法
本专利技术涉及到一种直拉法中大直径单晶拉制工艺的导流结构及其导流方法。
技术介绍
随着电子信息的迅猛发展，国际半导体产业迅速扩张，我国的集成电路产业也形成了规模，形成了泛半导体产业的大格局。在这种背景下，单晶硅作为一种最基础的材料得到了更广泛的使用，由全球市场需求的12英寸(300mm)晶圆片，需求直径逐渐增大至17英寸以上，且需求量越来越大。生产单晶硅的方法主要有CZ法(直拉法)、FZ法(区熔法)和外延法。其中直拉法是生产单晶硅的最广泛的方法。生产大直径半导体级单晶硅的过程中，设置在石英坩埚内上方的导流筒的作用至关重要，它起到引导氩气，屏蔽热量的作用。传统导流筒由二层石墨结构组成，中间放置软毡，依靠石墨结构进行导流隔热，但是当应用到大直径单晶时，因为需要直径变大，导致液面露出的面积更多，削弱了导流筒的作用，导致晶体生长拉速低，严重影响了生产效率。
技术实现思路
本专利技术就是要解决现有技术的不足，提供一种可以提高拉速进而提高生产效率的直拉法中应用于大直径单晶拉制工艺的导流结构及导流方法本专利技术通过以下技术方案予以实现：直拉法中应用于大直本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.直拉法中应用于大直径单晶拉制工艺的导流结构，包括设置在直拉式单晶炉内固定筒上的导流筒，其特征是：在导流筒内侧设置导流导热筒，所述导流导热筒下端面与导流筒的下端面的距离为30～50mm，所述导流导流筒上安装导热管，所述导热管穿出炉盖并与炉外水冷系统的冷却水管相连接，所述导流导热筒与所述导流筒内壁之间留有间隙形成导流通道，将晶体散发出来的潜热通过导热管引导到炉外水冷系统中。

【技术特征摘要】
1.直拉法中应用于大直径单晶拉制工艺的导流结构，包括设置在直拉式单晶炉内固定筒上的导流筒，其特征是：在导流筒内侧设置导流导热筒，所述导流导热筒下端面与导流筒的下端面的距离为30～50mm，所述导流导流筒上安装导热管，所述导热管穿出炉盖并与炉外水冷系统的冷却水管相连接，所述导流导热筒与所述导流筒内壁之间留有间隙形成导流通道，将晶体散发出来的潜热通过导热管引导到炉外水冷系统中。2.根据权利要求1所述的直拉法中应用于大直径单晶拉制工艺的导流结构，其特征是：所述导流筒内壁与导流导热筒外表面的夹角为3～4°。3.根据权利要求1所述的直拉法中应用于大直径单晶拉制工艺的导流结构，其特征是：所述导流导热筒表面均布有多个凸起。4.根据权利要求1所述的直拉法中应用于大直径单晶拉制工艺的...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘连胜，秦朗，何翠翠，
申请(专利权)人：锦州神工半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁,21