一种半导体设备用布线基板制造技术

本发明专利技术涉及一种半导体设备用布线基板及其加工工艺，属于半导体装置技术领域。该半导体设备用布线基板，包括基板、冷却液箱、循环泵和散热装置，基板自内至外包括基板本体、缓冲层、非晶硅层和保护层，基板本体内设置有散热管路，散热管路、循环泵、冷却液箱和散热装置依次通过管路连通形成回路的；散热装置包括散热空腔和至少一片散热片，散热片设置在散热空腔的外壁上。本发明专利技术的半导体设备用布线基板通过散热管路、循环泵、冷却液箱和散热装置的配合使用，能够有效对基板进行散热，防止基板在使用过程中温度过高导致基板上的线路损坏。

A cabling substrate for semiconductor equipment

The invention relates to a wiring base plate used for semiconductor equipment and its processing technology, which belongs to the technical field of semiconductor devices. The wiring substrate with the semiconductor device includes a substrate, a cooling liquid tank, a circulating pump and a cooling device, from inside to outside the substrate comprises a substrate body, a buffer layer, an amorphous silicon layer and a protective layer, a substrate is arranged in the heat pipe, heat pipe, circulating pump, cooling water tank and a heat dissipating device by pipelines. Connected to form a loop; the heat dissipating device comprises a heat radiating cavity and at least one fins, a radiating fin arranged on the outer wall of the cooling cavity. The wiring substrate of the semiconductor device can effectively dissipate heat on the substrate by heat pipe, circulation pump, cooling box and radiator, and prevent the damage of the substrate on the substrate when the temperature is too high.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体设备用布线基板
本专利技术涉及一种半导体设备用布线基板，属于半导体装置

技术介绍
半导体（semiconductor），指常温下导电性能介于导体（conductor）与绝缘体（insulator）之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。随着半导体的广泛应用，布线基板由于是半导体设备中的重要组成部分，也被广泛应用，由于目前电子产品在使用过程中，常常发生过热现在，容易造成布线基板上的线路损坏。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是，针对现有技术不足，提出一种具有降温功能的半导体设备用布线基板及其加工工艺。本专利技术为解决上述技术问题提出的技术方案是：一种半导体设备用布线基板，包括基板、冷却液箱、循环泵和散热装置，基板自内至外包括基板本体、缓冲层、非晶硅层和保护层，基板本体内设置有散热管路，散热管路、循环泵、冷却液箱和散热装置依次通过管路连通形成回路的；散热装置包括散热空腔和至少一片散热片，散热片设置在散热空腔的外壁上；其中散热片的加工工艺包括以下步骤：A、配料：散热片中各成分的质量百分比为：C：0.01-0.03%，Fe:3.23-4.45%,Zn:2.21-2.67%,Mn：0.67-0.94%，Cr：0.03-0.06%，Ni：0.11-0.17%，Mo：0.11-0.15%，Pd：0.03-0.08%,Ce：0.02-0.08%,Lu:0.13-0.17%，Ga：0.66-0.75%，Y：0.01-0.03%，Sn：0.69-1.27%，Zr：0.02-0.05%，Re：0.01-0.03%，余量为Al；B、制备坯料：以步骤㈠中配料为原料通过熔炼制成正方形坯料；C、锻打:将步骤B中的正方形坯料在800-900℃的温度下锻打，制得散热片毛胚；D、车加工：将毛胚安装需要的尺寸进行车加工制得初始散热片；E、清洗去油：将初始散热片进行清洗去油；F、将初始散热片进行热处理，具体工艺为：加热：将初始散热片加热至800-820℃，并保温1-2小时；冷却：采用风冷以6-8℃/s的冷却速率将初始散热片加速冷却至250-300℃后，再空冷至室温；一次回火：将初始散热片加热至550-600℃回火65-75min后，以11-15℃/s的冷却速率加速冷却至300℃后，再空冷至室温；淬火：将初始散热片加热到700℃，在淬火油中进行淬火30min，再空冷至室温；二次回火：将淬火后的初始散热片加热至600℃回火40-45min，后空冷至室温；G、将初始散热片清洗并烘干，制得散热片。上述技术方案的改进是：散热管路和循环泵之间的管路上设置有阀门。上述技术方案的改进是：冷却液箱内设置有温度传感器。上述技术方案的改进是：基板的上表面设置有至少一个第一导电接垫，基板的下表面与第一导电接垫对应位置设置有至少一个第二导电接垫，基板内设置有至少一个导电柱，导电柱与第一导电接垫和第二导电接垫的其中之一抵接。上述技术方案的改进是：导电柱与基板接触的部分设置有绝缘层。上述技术方案的改进是：散热片为三片，三片散热片均匀间隔设置在散热空腔的下端外壁上。上述技术方案的改进是：散热片的加工工艺的步骤A中，所述散热片中各成分的质量百分比为：C：0.01%，Fe:3.25%,Zn:2.27%,Mn：0.69%，Cr：0.04%，Ni：0.12%，Mo：0.13%，Pd：0.04%,Ce：0.03%,Lu:0.14%，Ga：0.69%，Y：0.02%，Sn：0.77%，Zr：0.03%，Re：0.02%，余量为Al。上述技术方案的改进是：散热片的加工工艺的步骤A中，所述散热片中各成分的质量百分比为：C：0.02%，Fe:4.34%,Zn:2.55%,Mn：0.88%，Cr：0.05%，Ni：0.17%，Mo：0.15%，Pd：0.08%,Ce：0.05%,Lu:0.16%，Ga：0.69%，Y：0.03%，Sn：1.27%，Zr：0.05%，Re：0.03%，余量为Al。本专利技术采用上述技术方案的有益效果是：（1）本专利技术的半导体设备用布线基板通过散热管路、循环泵、冷却液箱和散热装置的配合使用，能够有效对基板进行散热，防止基板在使用过程中温度过高导致基板上的线路损坏；（2）本专利技术的半导体设备用布线基板通过在非晶硅层的外表面设置保护层，能够有效防止非晶硅层被氧化；（3）本专利技术的半导体设备用布线基板通过散热装置能够将冷却液箱内的冷却液进行快速降温，降低了冷却液送入基板内的散热管路时的温度，大大提高了散热效果；（4）本专利技术的半导体设备用布线基板通过温度传感器，方便操作人员实时了解冷却液箱内的温度情况，当温度过高时能够及时切断电路，避免基板上的线路损坏；（5）本专利技术的半导体设备用布线基板预留了第一导电接垫、第二导电接垫和导电柱，方便后期的布线，提高生产率；（6）本专利技术的半导体设备用布线基板导电柱与基板接触的部分设置有绝缘层，提高了基板的稳定性；（7）本专利技术的半导体设备用布线基板的散热片原料中含有Ni、Zn和Sn，使其具有优良的耐腐蚀性能，延长了使用寿命；（8）本专利技术的半导体设备用布线基板的散热片的加工过程中，通过锻打和热处理的结合，大大提高看散热片的力学性能，延迟了使用寿命。附图说明下面结合附图对本专利技术作进一步说明：图1是本专利技术实施例半导体设备用布线基板的结构示意图；其中：1-保护层，2-非晶硅层，3-缓冲层，4-基板本体，5-第一导电接垫，6-散热管路，7-阀门，8-循环泵，9-导电柱，10-第二导电接垫，11-绝缘层，12-散热空腔，13-散热片，14-冷却液箱，15-温度传感器。具体实施方式实施例一本实施例的半导体设备用布线基板，如图1所示，包括基板、冷却液箱14、循环泵8和散热装置，基板自内至外包括基板本体4、缓冲层3、非晶硅层2和保护层1，基板本体4内设置有散热管路6，散热管路6、循环泵8、冷却液箱14和散热装置依次通过管路连通形成回路的；散热装置包括散热空腔12和散热片13，散热片13为三片，三片散热片13均匀间隔设置在散热空腔12的下端外壁上。散热管路6和循环泵8之间的管路上设置有阀门7。冷却液箱14内设置有温度传感器15。基板的上表面设置有一个第一导电接垫5，基板的下表面与第一导电接垫5对应位置设置有一个第二导电接垫10，基板内设置有一个导电柱9，导电柱9与第二导电接垫10抵接。导电柱9与基板接触的部分设置有绝缘层11。其中保护层采用EVA薄膜。其中散热片的加工工艺包括以下步骤：A、配料：散热片中各成分的质量百分比为：C：0.01%，Fe:3.25%,Zn:2.27%,Mn：0.69%，Cr：0.04%，Ni：0.12%，Mo：0.13%，Pd：0.04%,Ce：0.03%,Lu:0.14%，Ga：0.69%，Y：0.02%，Sn：0.77%，Zr：0.03%，Re：0.0本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体设备用布线基板，其特征在于：包括基板、冷却液箱、循环泵和散热装置，所述基板自内至外包括基板本体、缓冲层、非晶硅层和保护层，所述基板本体内设置有散热管路，所述散热管路、循环泵、冷却液箱和散热装置依次通过管路连通形成回路的；所述散热装置包括散热空腔和至少一片散热片，所述散热片设置在所述散热空腔的外壁上；其中散热片的加工工艺包括以下步骤：A、配料：所述散热片中各成分的质量百分比为：C：0.01‑0.03%， Fe:3.23‑4.45%,Zn:2.21‑2.67%,Mn：0.67‑0.94%，Cr：0.03‑0.06%，Ni：0.11‑0.17%，Mo：0.11‑0.15%，Pd：0.03‑0.08%,Ce：0.02‑0.08%,Lu:0.13‑0.17%，Ga：0.66‑0.75%，Y：0.01‑0.03%，Sn：0.69‑1.27%，Zr：0.02‑0.05%，Re：0.01‑0.03%，余量为Al；B、制备坯料：以步骤㈠中配料为原料通过熔炼制成正方形坯料；C、锻打:将步骤B中的正方形坯料在800‑900℃的温度下锻打，制得散热片毛胚；D、车加工：将毛胚安装需要的尺寸进行车加工制得初始散热片；E、清洗去油：将初始散热片进行清洗去油；F、将初始散热片进行热处理，具体工艺为：加热：将初始散热片加热至800‑820℃，并保温1‑2小时；冷却：采用风冷以6‑8℃/s的冷却速率将初始散热片加速冷却至250‑300℃后，再空冷至室温；一次回火：将初始散热片加热至550‑600℃回火65‑75min后，以11‑15℃/s的冷却速率加速冷却至300℃后，再空冷至室温；淬火：将初始散热片加热到700℃，在淬火油中进行淬火30min，再空冷至室温；二次回火：将淬火后的初始散热片加热至600℃回火40‑45min，后空冷至室温；G、将初始散热片清洗并烘干，制得散热片。...

【技术特征摘要】
1.一种半导体设备用布线基板，其特征在于：包括基板、冷却液箱、循环泵和散热装置，所述基板自内至外包括基板本体、缓冲层、非晶硅层和保护层，所述基板本体内设置有散热管路，所述散热管路、循环泵、冷却液箱和散热装置依次通过管路连通形成回路的；所述散热装置包括散热空腔和至少一片散热片，所述散热片设置在所述散热空腔的外壁上；其中散热片的加工工艺包括以下步骤：A、配料：所述散热片中各成分的质量百分比为：C：0.01-0.03%，Fe:3.23-4.45%,Zn:2.21-2.67%,Mn：0.67-0.94%，Cr：0.03-0.06%，Ni：0.11-0.17%，Mo：0.11-0.15%，Pd：0.03-0.08%,Ce：0.02-0.08%,Lu:0.13-0.17%，Ga：0.66-0.75%，Y：0.01-0.03%，Sn：0.69-1.27%，Zr：0.02-0.05%，Re：0.01-0.03%，余量为Al；B、制备坯料：以步骤㈠中配料为原料通过熔炼制成正方形坯料；C、锻打:将步骤B中的正方形坯料在800-900℃的温度下锻打，制得散热片毛胚；D、车加工：将毛胚安装需要的尺寸进行车加工制得初始散热片；E、清洗去油：将初始散热片进行清洗去油；F、将初始散热片进行热处理，具体工艺为：加热：将初始散热片加热至800-820℃，并保温1-2小时；冷却：采用风冷以6-8℃/s的冷却速率将初始散热片加速冷却至250-300℃后，再空冷至室温；一次回火：将初始散热片加热至550-600℃回火65-75min后，以11-15℃/s的冷却速率加速冷却至300℃后，再空冷至室温；淬火：将初始散热片加热到700℃，在淬火油中进行淬火30min，再空冷至室温；二次回火：将淬火后的初始散热片加热至600℃回火40-45min，后空冷至...

【专利技术属性】
技术研发人员：张跃宏，
申请(专利权)人：镇江佳鑫精工设备有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32