半导体结构的形成方法技术

一种半导体结构的形成方法，其中形成方法包括：形成衬底，衬底上具有第一鳍部和第二鳍部；形成第一隔离结构和第二隔离结构；形成具有第一开口的停止层；形成第二开口，所述第二开口的尺寸大于第一开口的尺寸；形成牺牲层；露出第二隔离结构；回刻第二隔离结构；减薄牺牲层；形成栅极结构和伪栅结构。本发明专利技术所形成的第二开口，在鳍部延伸方向上，尺寸大于所述第一开口；通过填充第二开口形成牺牲层。在刻蚀第二隔离结构的过程中，牺牲层能够有效避免第一隔离结构在回刻过程中受到损伤，能够有效提高第一隔离结构上伪栅结构的稳定性，有利于后续半导体工艺的进行。

The formation method of semiconductor structure

A method of forming a semiconductor structure, wherein the forming method includes: forming a substrate having a first fin and the second fin substrate; forming a first isolation structure and second isolation structure; forming a stop layer of the first opening; the formation of second opening, the second opening is larger than the dimension of the first opening size; forming a sacrificial layer; a second isolation structure; etching second isolation structure; thinning sacrificial layer; forming a gate structure and a dummy gate structure. The second opening formed by the invention is larger than the first opening in the fin extension direction, and a sacrificial layer is formed by filling the second openings. In the process of etching the second isolation structure, the sacrificial layer can effectively avoid the damage of the first isolation structure in the process of re engraving, and it can effectively improve the stability of the pseudo barrier structure on the first isolation structure, and is conducive to the subsequent semiconductor process.

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种半导体结构的形成方法。
技术介绍
随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件朝着更高的元件密度，以及更高的集成度的方向发展。晶体管作为最基本的半导体器件目前正被广泛应用，因此随着半导体器件的元件密度和集成度的提高，平面晶体管的栅极尺寸也越来越短，传统的平面晶体管对沟道电流的控制能力变弱，产生短沟道效应，产生漏电流，最终影响半导体器件的电学性能。为了克服晶体管的短沟道效应，抑制漏电流，现有技术提出了鳍式场效应晶体管(FinFET)，鳍式场效应晶体管是一种常见的多栅器件。鳍式场效应晶体管的结构包括：位于半导体衬底表面的鳍部和隔离层，所述隔离层覆盖部分所述鳍部的侧壁，且隔离层表面低于鳍部顶部；位于隔离层表面、以及鳍部的顶部和侧壁表面的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的鳍部内的源区和漏区。随着半导体器件尺寸的不断缩小，相邻鳍部之间的距离随之减小，形成位于相邻鳍部之间的隔离层的工艺难度增大，从而影响了所形成鳍式场效应晶体管的性能。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种半导体结构的形成方法，以提高鳍式场效应晶体管的性能。为解决上述问本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：形成衬底，所述衬底上具有多个相互平行的第一鳍部以及多个相互平行的第二鳍部，所述第二鳍部位于第一鳍部的延伸方向上；形成位于所述第一鳍部和所述第二鳍部之间的第一隔离结构，以及位于所述相邻第一鳍部之间和相邻所述第二鳍部之间的第二隔离结构，所述第一隔离结构的顶部表面、所述第二隔离结构的顶部表面与所述第一鳍部和所述第二鳍部的顶部表面齐平；形成具有第一开口的停止层，所述停止层覆盖所述第一鳍部、第二鳍部以及所述第二隔离结构的顶部表面，所述第一开口露出所述第一隔离结构的顶部表面；去除靠近所述第一开口的部分停止层，形成第二开口，在所述第一鳍部和所述第二鳍部延伸方向上，...

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：形成衬底，所述衬底上具有多个相互平行的第一鳍部以及多个相互平行的第二鳍部，所述第二鳍部位于第一鳍部的延伸方向上；形成位于所述第一鳍部和所述第二鳍部之间的第一隔离结构，以及位于所述相邻第一鳍部之间和相邻所述第二鳍部之间的第二隔离结构，所述第一隔离结构的顶部表面、所述第二隔离结构的顶部表面与所述第一鳍部和所述第二鳍部的顶部表面齐平；形成具有第一开口的停止层，所述停止层覆盖所述第一鳍部、第二鳍部以及所述第二隔离结构的顶部表面，所述第一开口露出所述第一隔离结构的顶部表面；去除靠近所述第一开口的部分停止层，形成第二开口，在所述第一鳍部和所述第二鳍部延伸方向上，所述第二开口的尺寸大于第一开口的尺寸；填充所述第二开口，形成位于所述第一隔离结构上的牺牲层；去除所述停止层，露出所述第二隔离结构；回刻所述第二隔离结构，露出所述第一鳍部和所述第二鳍部的部分侧壁表面；在回刻所述第二隔离结构的过程中，减薄所述牺牲层；在所述第一鳍部和所述第二鳍部上分别形成栅极结构，所述栅极结构横跨所述第一鳍部和所述第二鳍部并覆盖所述第一鳍部和所述第二鳍部顶部和侧壁的部分表面；在形成所述栅极结构的过程中，在所述第一隔离结构上形成伪栅结构。2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成停止层的步骤中，所述停止层的材料包括氮化硅。3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成停止层的步骤中，所述停止层的厚度在10nm到100nm范围内。4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除靠近所述第一开口的部分停止层以形成第二开口的步骤包括：沿鳍部延伸方向，去除所述停止层的厚度在10nm到100nm范围内。5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成第二开口的步骤包括：采用湿法刻蚀的方式去除靠近所述第一开口的部分停止层，形成所述第二开口。6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀的方式形成第二开口的步骤包括：采用磷酸湿法刻蚀工艺去除靠近所述第一开口的部分停止层，形成所述第二开口。7.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，采用磷酸湿法刻蚀工艺形成所述第二开口的步骤中，所述刻蚀溶液浓度，按质量百分比，在50％到100％范围...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢欣云，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31