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一种半导体结构的形成方法，其中形成方法包括：形成衬底，衬底上具有第一鳍部和第二鳍部；形成第一隔离结构和第二隔离结构；形成具有第一开口的停止层；形成第二开口，所述第二开口的尺寸大于第一开口的尺寸；形成牺牲层；露出第二隔离结构；回刻第二隔离结构...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。