半导体器件和方法技术

提供了半导体器件和制造方法。靠近间隔件形成源极/漏极区，间隔件邻近栅电极。通过注入掩模向源极/漏极区和第一间隔件内实施注入，在间隔件内形成注入区域。本发明专利技术实施例涉及半导体器件和方法。

Semiconductor devices and methods

A semiconductor device and a manufacturing method are provided. The source / drain zone is formed near the spacer, and the spacer is adjacent to the gate electrode. The injection area is formed within the spacer by injecting the injection mask into the source / drain zone and the first spacer. An embodiment of the invention relates to a semiconductor device and a method.

【技术实现步骤摘要】
半导体器件和方法
本专利技术实施例涉及半导体器件和方法。
技术介绍
半导体器件用于各种电子应用中，诸如例如，个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。通常通过以下步骤来制造半导体器件：在半导体衬底上方相继沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层；以及使用光刻来图案化各个材料层，以在各个材料层上形成电路组件和元件。半导体工业通过不断减小最小化部件尺寸来继续提高各种电子组件(如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多的组件集成到给定的面积中。然而，随着最小部件尺寸减小，应该解决产生的额外的问题。
技术实现思路
根据本专利技术的一个实施例，提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：邻近第一间隔件制造第一源极/漏极区，所述第一间隔件邻近栅电极；形成暴露所述第一源极/漏极区的开口；以及在形成所述开口之后，在所述第一源极/漏极区和所述第一间隔件内注入掺杂剂，其中，注入所述掺杂剂在所述第一间隔件内形成第一注入区。根据本专利技术的另一实施例，还提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体鳍上方形成栅极堆叠件，所述栅极堆叠件包括栅电极；在所述半导体鳍上方并且邻近所述栅极堆叠件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：邻近第一间隔件制造第一源极/漏极区，所述第一间隔件邻近栅电极；形成暴露所述第一源极/漏极区的开口；以及在形成所述开口之后，在所述第一源极/漏极区和所述第一间隔件内注入掺杂剂，其中，注入所述掺杂剂在所述第一间隔件内形成第一注入区。

【技术特征摘要】
2016.08.03 US 62/370,591;2016.10.07 US 62/405,726;1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：邻近第一间隔件制造第一源极/漏极区，所述第一间隔件邻近栅电极；形成暴露所述第一源极/漏极区的开口；以及在形成所述开口之后，在所述第一源极/漏极区和所述第一间隔件内注入掺杂剂，其中，注入所述掺杂剂在所述第一间隔件内形成第一注入区。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述掺杂剂是n型掺杂剂或p型掺杂剂。3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成暴露所述第一源极/漏极区的所述开口还去除所述第一间隔件的部分以形成第一倾斜侧壁。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一倾斜侧壁具有在10°和85°之间的角度。5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一注入区从所述第一倾斜侧壁的表面具有在和之间的厚度。6.根据权利要求1所述的方法，还包括退火所述第一源极/漏极区以激活所述掺杂剂，其中，退火所述第一源极/漏极区在所述第一间隔件内形成与所述第一注入区至少部分地重...

【专利技术属性】
技术研发人员：张哲诚，林志翰，曾鸿辉，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71