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台湾积体电路制造股份有限公司
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半导体器件和方法技术
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文档序号:17266864
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提供了半导体器件和制造方法。靠近间隔件形成源极/漏极区,间隔件邻近栅电极。通过注入掩模向源极/漏极区和第一间隔件内实施注入,在间隔件内形成注入区域。本发明实施例涉及半导体器件和方法。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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