Preparation and structure of a three-dimensional memory provided by the invention, the contact hole process before the peripheral circuit area in advance to the array storage area metal gate process, realize the contact hole etching on the silicon dioxide peripheral circuit area of thin film stress release, improve the macro stress distribution, and effectively reduce the bending, before another the peripheral circuit area contact hole arranged on the metal gate array storage process, local storage array metal gate process should be uneven force caused by the peripheral circuit contact failure. The purpose of the present invention is to be implemented by the following technical scheme.
【技术实现步骤摘要】
一种三维存储器的制备方法及其结构
本专利技术涉及半导体器件及其制造领域,尤其涉及一种三维存储器的制备方法及其结构。
技术介绍
随着市场需求对存储器容量的不断提高,传统的基于平面或二维结构的存储器在单位面积内可提供的存储单元数量已经接近极限,无法进一步满足市场对更大容量存储器的需求。就如同在一块有限的平面上建立的数间平房,这些平房整齐排列,但是随着需求量的不断增加,平房的数量不断井喷,可最终这块面积有限的平面只能容纳一定数量的平房而无法继续增加。平面结构的存储器已接近其实际扩展极限,给半导体存储器行业带来严峻挑战。为了解决上述困难,业界提出了三维存储器(3DNAND)的概念,其是一种新兴的闪存类型,通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。不同于将存储芯片放置在单面,新的3DNAND技术,垂直堆叠了多层数据存储单元,具备卓越的精度。基于该技术,可打造出存储容量比同类NAND技术高达数倍的存储设备。该技术可支持在更小的空间内容纳更高存储容量,进而带来很大的成本节约、能耗降低,以及大幅的性能提升以全面满足众多消费类移动设备和要求最严苛的企业部署的需求。利用新的技术使得颗粒能够进行立体式的堆叠,从而解决了由于晶圆物理极限而无法进一步扩大单晶片可用容量的限制,在同样体积大小的情况下,极大的提升了存储器颗粒单晶片的容量体积,进一步推动了存储颗粒总体容量的飙升。三维存储器结构通常包括:(1)阵列存储区,即存储单元阵列,阵列存储区作为存储电荷所在的区域,形成纵向堆叠的结构,阵列存储区的MOS管导电沟道的方向通常沿着纵向分布,因此不同于传统二维存储器 ...
【技术保护点】
一种三维存储器的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:提供一基板,在所述基板上形成三维存储器的外围电路区和阵列存储区;在所述基板上形成表面平坦的绝缘层以覆盖上述外围电路区和阵列存储区;在所述阵列存储区中形成存储单元的沟道区;对所述外围电路区上的绝缘层进行图形化,刻蚀以及金属填充以形成与所述外围电路区电连接的多个第一接触孔;在所述阵列存储区形成存储单元的金属栅;对所述阵列存储区上的绝缘层进行图形化,刻蚀以及金属填充以形成与所述阵列存储区的每一个金属栅电连接的多个第二接触孔。
【技术特征摘要】
1.一种三维存储器的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:提供一基板,在所述基板上形成三维存储器的外围电路区和阵列存储区;在所述基板上形成表面平坦的绝缘层以覆盖上述外围电路区和阵列存储区;在所述阵列存储区中形成存储单元的沟道区;对所述外围电路区上的绝缘层进行图形化,刻蚀以及金属填充以形成与所述外围电路区电连接的多个第一接触孔;在所述阵列存储区形成存储单元的金属栅;对所述阵列存储区上的绝缘层进行图形化,刻蚀以及金属填充以形成与所述阵列存储区的每一个金属栅电连接的多个第二接触孔。2.如权利要求1所述的一种三维存储器的制备方法,其特征在于:形成所述阵列存储区包括在所述基板上交替形成氮化硅层和氧化硅层的多层堆叠结构;利用光刻工艺在所述多层堆叠结构的至少一侧形成台阶区以使每一氮化硅层的一部分上表面被暴露于台阶区。3.如权利要求1所述的一种三维存储器的制备方法,其特征在于:所述对所述外围电路区上的绝缘层进行图形化,刻蚀以及金属填充以形成与所述外围电路区电连接的多个第一接触孔之后,还包括对所述基板表面进行化学机械掩膜的步骤。4.如权利要求3所述的一种三维存储器的制备方...
【专利技术属性】
技术研发人员:宋豪杰,徐强,李广济,邵明,夏志良,霍宗亮,
申请(专利权)人:长江存储科技有限责任公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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