低漏电流的动态随机存取存储器及其相关制造方法技术

本发明专利技术公开了一种低漏电流的动态随机存取存储器及其相关制造方法。所述制造方法包含在一基底内形成所述动态随机存取存储器的多个栅极；通过一第一离子注入在所述基底内形成所述动态随机存取存储器的多个漏/源极；及在所述多个漏/源极形成后，通过一第二离子注入在所述多个漏/源极的全部漏/源极或部分漏/源极的下方形成多个轻掺杂漏极，其中所述多个轻掺杂漏极是用来降低所述动态随机存取存储器内的漏电流，且所述第二离子注入具有一预定入射角度。因此，所述多个轻掺杂漏极可有效降低所述动态随机存取存储器的总漏电流。也就是说本发明专利技术将可使具有所述动态随机存取存储器的便携式电子产品的待机时间大幅延长。

Low leakage current dynamic random access memory and its related manufacturing methods

The invention discloses a dynamic random access memory (RAM) with low leakage current and a related manufacturing method. A plurality of gate the manufacturing method includes forming the dynamic random access memory on a substrate; a first ion implantation through a plurality of drain / source to form the dynamic random access memory on the base of the pole; and the plurality of source / drain formed after injection in the a drain / source / drain all pole of the source or drain / source part below to form a plurality of lightly doped drain through a second ion, wherein the plurality of lightly doped drain is used to reduce the leakage current within dynamic random access memory, and the second is a set of pre implantation the incident angle. Therefore, the plurality of light doped leaks can effectively reduce the total leakage current of the dynamic random access memory. That is to say, the invention will greatly extend the standby time of the portable electronic products with the dynamic random access memory.

【技术实现步骤摘要】
低漏电流的动态随机存取存储器及其相关制造方法
本专利技术涉及一种低漏电流的动态随机存取存储器及其相关制造方法，尤其涉及一种利用轻掺杂漏极降低漏电流的动态随机存取存储器及其相关制造方法。
技术介绍
因为现有技术所公开的沟槽式动态随机存取存储器的尺寸减少的缘故，所以所述沟槽式动态随机存取存储器的多个漏/源极和所述沟槽式动态随机存取存储器的多个栅极之间的电场会随着增大，导致所述多个漏/源极和所述多个栅极之间的接面的热载流子(Hot-Carrier)效应增大。因为所述多个漏/源极和所述多个栅极之间的接面的热载流子效应增大，所以所述多个漏/源极和所述多个栅极之间的接面的隧道漏电流(tunnelingleakagecurrent)也随所述热载流子效应增大而增大。另外，所述多个漏/源极和所述沟槽式动态随机存取存储器的基底之间的电压差也会使所述多个漏/源极和所述基底之间具有较大的接面漏电流(junctionleakagecurrent)。如此，较大的接面漏电流和较大的隧道漏电流将会使具有所述沟槽式动态随机存取存储器的便携式电子产品的待机时间大幅缩短。因此，如何改进所述沟槽式动态随机存取存储器成为所述沟槽式动态随机存取存储器的设计者的一项重要课题。
技术实现思路
本专利技术的一实施例公开一种低漏电流的动态随机存取存储器的制造方法。所述制造方法包含在一基底内形成所述动态随机存取存储器的多个栅极；利用一第一离子注入在所述基底内形成所述动态随机存取存储器的多个漏/源极；及在所述多个漏/源极形成后，利用一第二离子注入在所述多个漏/源极的全部漏/源极或部分漏/源极的下方形成多个轻掺杂漏极(lightlydopeddrain,LDD)区，其中所述多个轻掺杂漏极是用来降低所述动态随机存取存储器内的漏电流，且所述第二离子注入具有一预定入射角度。本专利技术的另一实施例公开一种低漏电流的动态随机存取存储器。所述动态随机存取存储器包含一基底、多个栅极、多个漏/源极和多个轻掺杂漏极。所述多个栅极形成于所述基底内。所述多个漏/源极是通过一第一离子注入形成于所述基底内。所述多个轻掺杂漏极是通过一第二离子注入形成于所述多个漏/源极的全部漏/源极或部分漏/源极的下方，其中所述多个轻掺杂漏极是用来降低所述动态随机存取存储器内的漏电流，且所述第二离子注入具有一预定入射角度。本专利技术的另一实施例公开一种低漏电流的动态随机存取存储器。所述动态随机存取存储器包含一基底、多个栅极、多个漏/源极和多个轻掺杂漏极。所述多个栅极形成于所述基底内。所述多个漏/源极是通过一第一离子注入形成于所述基底内。所述多个轻掺杂漏极是通过一第二离子注入形成于所述多个漏/源极的全部漏/源极或部分漏/源极的下方，其中所述多个轻掺杂漏极是用来降低所述动态随机存取存储器内的漏电流。本专利技术的另一实施例公开一种低漏电流的动态随机存取存储器。该动态随机存取存储器包含一基底、多个栅极、多个漏/源极和多个轻掺杂漏极。该多个栅极形成于该基底内。该多个漏/源极形成于该基底内。两相邻栅极的侧壁上形成位于相对应的漏/源极的下方的轻掺杂漏极。本专利技术的另一实施例公开一种低漏电流的动态随机存取存储器。该动态随机存取存储器包含一基底、多个栅极、多个漏/源极、多个隔离层和多个轻掺杂漏极。该多个栅极形成于该基底内。该多个漏/源极形成于该基底内。该多个隔离层形成于该基底内，且每一隔离层是位于两栅极之间，其中该两栅极面对该每一隔离层的侧壁上以及该每一隔离层的侧壁上形成位于相对应的漏/源极的下方的轻掺杂漏极。本专利技术公开一种低漏电流的动态随机存取存储器及其相关制造方法。因为本专利技术在所述动态随机存取存储器的多个漏/源极的全部漏/源极或部分漏/源极的下方形成所述动态随机存取存储器的多个轻掺杂漏极，所以所述多个轻掺杂漏极可使所述多个漏/源极和所述动态随机存取存储器的多个栅极之间的电场以及所述多个漏/源极和所述动态随机存取存储器的基底之间的电场降低(导致所述多个漏/源极和所述多个栅极之间以及所述多个漏/源极和所述基底之间的热载流子数目降低)。因此，所述多个轻掺杂漏极可有效降低所述多个漏/源极和所述多个栅极之间的接面的隧道漏电流和所述多个漏/源极和所述基底之间的接面漏电流。也就是说所述多个轻掺杂漏极可有效降低所述动态随机存取存储器的总漏电流。如此，本专利技术将可使具有所述动态随机存取存储器的便携式电子产品的待机时间大幅延长。附图说明图1是本专利技术的一实施例所公开的一种低漏电流的动态随机存取存储器的制造方法的流程图。图2是说明第一电介质层、第一氧化层以及光阻层形成在基底之上的示意图。图3是说明在光阻层中蚀刻出多个开口的示意图。图4是说明在基底中形成多个沟槽的示意图。图5是说明依序沉积第二氧化层、第二电介质层和金属层于所述多个沟槽的示意图。图6是说明利用化学机械抛光和一回蚀方式移除所述多个沟槽外的第二电介质层和金属层的示意图。图7是说明依序沉积第三电介质层和硼磷掺杂四乙氧基硅烷层的示意图。图8是说明利用所述化学机械抛光方式和硬屏蔽方式移除第一氧化层以上的第一电介质层、第二氧化层、第三电介质层和硼磷掺杂四乙氧基硅烷层的示意图。图9是说明利用湿蚀刻方式移除所述每一沟槽内的第三电介质层的示意图。图10是说明沉积四乙氧基硅烷层在第一氧化层、硼磷掺杂四乙氧基硅烷层和第二电介质层之上的示意图。图11是说明利用干蚀刻方式和光阻层移除未被光阻层覆盖的四乙氧基硅烷层的示意图。图12是说明利用第一离子注入在基底内形成所述动态随机存取存储器的多个漏/源极的示意图。图13、14是说明利用第二离子注入在所述多个漏/源极的下方形成多个轻掺杂漏极的示意图。图15是本专利技术的另一实施例所公开的一种低漏电流的动态随机存取存储器的示意图。其中，附图标记说明如下：100-126步骤202第一氧化层204第一电介质层206、2030、2036光阻层208基底2010、2012、2042开口2014、2016、2050沟槽2018第二氧化层2020第二电介质层2022金属层2024第三电介质层2026硼磷掺杂四乙氧基硅烷层2028四乙氧基硅烷层2032第一离子注入2034第二离子注入2038、2040储存电容20382、20384电介质层20386钨和氮化钨层20388多晶硅层2048隔离层N+、2044、2046漏/源极N-轻掺杂漏极NL法线θ预定入射角度具体实施方式请参照图1-15，图1是本专利技术的一实施例所公开的一种低漏电流的动态随机存取存储器的制造方法的流程图，其中所述动态随机存取存储器是一沟槽式动态随机存取存储器。图1的制造方法是利用图2-15说明，详细步骤如下：步骤100：开始；步骤102：形成一第一氧化层202、一第一电介质层204和一光阻层206于一基底208之上；步骤104：在光阻层206中蚀刻出多个开口；步骤106：根据所述多个开口，在基底208中形成多个沟槽，并移除光阻层206；步骤108：依序沉积一第二氧化层2018、一第二电介质层2020和一金属层2022于所述多个沟槽；步骤110：利用一化学机械抛光(chemicalmechanicalpolish,CMP)和一回蚀(etchingback)方式移除所述多个沟槽外的第二电介质层2020和金属层2022；步骤112：依序沉本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低漏电流的动态随机存取存储器的制造方法，包含：在一基底内形成所述动态随机存取存储器的多个栅极；通过一第一离子注入在所述基底内形成所述动态随机存取存储器的多个漏/源极；及其特征在于还包含：在所述多个漏/源极形成后，通过一第二离子注入在所述多个漏/源极的全部漏/源极或部分漏/源极的下方形成多个轻掺杂漏极，其中所述多个轻掺杂漏极是用来降低所述动态随机存取存储器内的漏电流，且所述第二离子注入具有一预定入射角度。

【技术特征摘要】
2016.08.08 US 62/371,8471.一种低漏电流的动态随机存取存储器的制造方法，包含：在一基底内形成所述动态随机存取存储器的多个栅极；通过一第一离子注入在所述基底内形成所述动态随机存取存储器的多个漏/源极；及其特征在于还包含：在所述多个漏/源极形成后，通过一第二离子注入在所述多个漏/源极的全部漏/源极或部分漏/源极的下方形成多个轻掺杂漏极，其中所述多个轻掺杂漏极是用来降低所述动态随机存取存储器内的漏电流，且所述第二离子注入具有一预定入射角度。2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述第二离子注入的浓度低于所述第一离子注入的浓度。3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述基底具有一第一导电类型，所述第一离子注入和所述第二离子注入具有一第二导电类型，以及所述第一导电类型和所述第二导电类型的电性相反。4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述多个栅极是做为所述动态随机存取存储器的位线。5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：有关所述第二离子注入的离子种类为砷，磷，磷加碳，砷加磷加碳，或锗加磷加碳。6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述预定入射角度为7°～45°中的一角度。7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述多个栅极是由钨构成的多个金属栅极。8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述第二离子注入的入射方向是可旋转的。9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述第二离子注入的浓度介于1E13个原子/平方公分至2E15个原子/平方公分之间。10.一种低漏电流的动态随机存取存储器，包含：一基底；多个栅极，形成于所述基底内；多个漏/源极，其中所述多个漏/源极是通过一第一离子注入形成于所述基底内；及其特征在于还包含：多个轻掺杂漏极，其中所述多个轻掺杂漏极是通过一第二离子注入形成于所述多个漏/源极的全部漏/源极或部分漏/源极的下方，其中所述多个轻掺杂漏极是用来降低所述动态随机存取存储器内的漏电流，且所述第二离子注入具有一预定入射角度。11.如权利要求10所述的动态随机存取存储器，其特征在于：所述第二离子注入的浓度低...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄立平，
申请(专利权)人：钰创科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71