超高压VDMOS晶体管制造技术

本实用新型专利技术涉及一种超高压VDMOS晶体管，包括第一导电类型的衬底片、位于衬底片背面的第一导电类型的掺杂层、位于掺杂层下方的第一金属电极、位于衬底片正面的栅极结构以及位于栅极结构上的第二金属电极，所述第一金属电极作为该VDMOS晶体管的漏极，所述第二金属电极作为该VDMOS晶体管的源极；所述栅极结构包括第二导电类型的阱区、位于阱区内的第二导电类型的接触区、位于接触区两侧的第一导电类型的源区。本VDMOS晶体管直接在衬底片的正面进行器件的制作，省略了在衬底片上生长外延，从而有效避免了高耐压条件下增厚的外延厚度对超高压VDMOS晶体管的良率和可靠性的影响，也有效降低了超高压VDMOS晶体管的生产成本。

Ultra high voltage VDMOS transistor

The utility model relates to a super high voltage VDMOS transistor, including a substrate, a first conductivity type in the substrate on the back of the doped layer, a first conductive type first metal electrode, in the doped layer beneath the gate structure is located in the substrate and the metal electrode second is located in the front gate structure, the first metal electrode as a drain most of the VDMOS transistor, the second metal electrode as the VDMOS transistor source; the gate structure includes a well region of a second conductivity type, located second conductivity type well region within the contact area, the contact area on both sides of the source regions of the first conductivity type. The VDMOS transistor device directly on the front substrate, epitaxial growth on a substrate is omitted, thus avoiding the influence of thickness of high pressure under the condition of epitaxial thickening of the yield and reliability of ultra high voltage VDMOS transistor, but also effectively reduces the production cost of ultra high voltage VDMOS transistor.

【技术实现步骤摘要】
超高压VDMOS晶体管
本技术涉及一种半导体功率器件，具体地说是涉及一种超高压VDMOS晶体管，特别是涉及一种良率及可靠性高且生产成本低的超高压VDMOS晶体管。
技术介绍
VDMOS（VerticalDouble-diffusedMetalOxideSemiconductor，垂直双扩散金属氧化物半导体）晶体管是一种新颖的功率MOS场效应晶体管，它是一种垂直型的自对准双扩散的MOS场效应晶体管，同时具有双极型晶体管和普通MOS器件的优点。与双极型晶体管相比，它的开关速度快，开关损耗小，输入阻抗高，驱动功率小，频率特性好，跨导线性度高，没有双极型功率器件的二次击穿问题，并且安全工作区大。因此，不论是开关应用还是线性应用，VDMOS晶体管都是理想的功率半导体器件。现有的VDMOS晶体管通常是在衬底上生长外延，然后在外延上制作器件，器件的正面工序做好后，通过背面减薄及背面金属化，最终形成VDMOS器件。其中，外延的规格与VDMOS器件的耐压相关，耐压越高，外延的电阻率越高，厚度就越厚，反之则外延的电阻率越低，厚度越薄。比如200V的N型VDMOS晶体管的N-外延的电阻率为5左右，厚度为1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超高压VDMOS晶体管，其特征在于：包括第一导电类型的衬底片、位于衬底片背面的第一导电类型的掺杂层、位于掺杂层下方的第一金属电极、位于衬底片正面的栅极结构以及位于栅极结构上的第二金属电极，所述第一金属电极作为该VDMOS晶体管的漏极，所述第二金属电极作为该VDMOS晶体管的源极；所述栅极结构包括第二导电类型的阱区、位于阱区内的第二导电类型的接触区、位于接触区两侧的第一导电类型的源区和位于阱区上方的多晶硅栅极。

【技术特征摘要】
1.一种超高压VDMOS晶体管，其特征在于：包括第一导电类型的衬底片、位于衬底片背面的第一导电类型的掺杂层、位于掺杂层下方的第一金属电极、位于衬底片正面的栅极结构以及位于栅极结构上的第二金属电极，所述第一金属电极作为该VDMOS晶体管的漏极，所述第二金属电极作为该VDMOS晶体管的源极；所述栅极结构包括第二导电类型的阱区、位于阱区内的第二导电类型的接触区、位于接触区两侧的第一导电类型的源区和位于阱区上方的多晶硅栅极。2.如权利要求1所述的一种超高压VDMOS晶体管，其特征在于，所述栅极结构还包括栅氧化层和场氧化层，所述栅氧化层位于阱区和多晶硅栅极之间，所述场氧化层位于栅氧化层和多晶硅栅极之间，所述第二金属电极设置在多晶硅栅极的上方。3.如权利要求2所述的一种超高压VDMOS晶体管，其特征在于，所述栅极结构还包括设置在多晶硅栅极与第二金属电极之间的绝缘保护层，所述绝缘保护层采用二氧化硅绝缘保护层。4.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭在超，罗寅，丁国华，张海滨，薛金鑫，
申请(专利权)人：苏州锴威特半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32