【技术实现步骤摘要】
一种带温度补偿的电流偏置电路
本专利技术涉及电流偏置电路
，尤其涉及一种带温度补偿的电流偏置电路。
技术介绍
目前所采用的电流偏置电路如图1所示，其中MOS管M1-M3组成电流镜，三极管Q1和Q2均采用NPN型管，且Q1与Q2的个数比设计为n:1，三极管Q1的发射极通过电阻R1接地。若MOS管M1和M2的总宽长比为1:1，则MOS管M1和M2所在支路电流相等，电流记为I1。因此，对于三极管Q1和Q2来说，有以下等式成立：Vbe1+I1*R1=Vbe2I1=I1=其中，VT表示热电压，具有正温度特性；为一常数，R1为电阻。由此可见，电流I1的温度特性取决于VT和电阻R1的比值，因此，要将电流I1设计成零温特性，必须将电阻R1的温度特性调整到与VT一致，通常的做法是，采用两种不同温度特性的电阻组合，通过调整两种电阻的所占的比例，是可以将温度特性调整到与VT相当的。然而，由于电阻类型的不同，甚至这两种电阻的尺寸也不同，在生产时，不同类型及不同尺寸的电阻可能朝着不同的方向产生偏差，并在工艺上也很难保证其一致性，因此导致产品CP良率较低，在温度特性方面的良率更是不高，...
【技术保护点】
1.一种带温度补偿的电流偏置电路，其特征在于：包括第一至第三MOS管、第一至第二三极管、第一电阻和温度补偿电路，温度补偿电路包括第四至第五MOS管、第三至第六三极管、第二至第五电阻，第一至第三MOS管的源极均连接电源VCC，第一至第三MOS管的栅极共联，第一MOS管的栅极连接其漏极，第一MOS管的漏极连接第一三极管的集电极，第一至第二三极管的基极共联，第一三极管的发射极串联电阻R1后接地，第二MOS管的漏极连接第二三极管的集电极，第二三极管的集电极连接第二三极管的基极，第二三极管的发射极连接第三三极管的发射极，第三三极管的集电极接地，第三MOS管的漏极连接第四MOS管的漏极...
【技术特征摘要】
1.一种带温度补偿的电流偏置电路，其特征在于：包括第一至第三MOS管、第一至第二三极管、第一电阻和温度补偿电路，温度补偿电路包括第四至第五MOS管、第三至第六三极管、第二至第五电阻，第一至第三MOS管的源极均连接电源VCC，第一至第三MOS管的栅极共联，第一MOS管的栅极连接其漏极，第一MOS管的漏极连接第一三极管的集电极，第一至第二三极管的基极共联，第一三极管的发射极串联电阻R1后接地，第二MOS管的漏极连接第二三极管的集电极，第二三极管的集电极连接第二三极管的基极，第二三极管的发射极连接第三三极管的发射极，第三三极管的集电极接地，第三MOS管的漏极连接第四MOS管的漏极，第四至第五MOS管的栅极共联，第四MOS管的漏极连接第四MOS管的栅极，第四至第五MOS管的源极接地，第五MOS管的漏极连接第三三极管的基极，第五和第六三极管的集电极连接电源VCC，第二电阻和第三电阻串联后第二电阻的一端接电源VCC，第三电阻的一端连接第四三极管的集电极，第四电阻和第五电阻串联后第四电阻的一端接第五三极管的发射极，第五电阻的一端接第四三极...
【专利技术属性】
技术研发人员：谭在超，张胜，罗寅，丁国华，
申请(专利权)人：苏州锴威特半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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