【技术实现步骤摘要】
一种基准电压温度系数修调方法、装置及终端
本专利技术涉及基准电压修调
，尤其涉及一种基准电压温度系数修调方法、装置及终端。
技术介绍
带隙基准电压是模拟集成电路中的关键模块，低温度系数的带隙基准电压有利于提升电池管理芯片对电池剩余电量估算的准确性；根据半导体器件基本原理，三极管的基极-发射极电压VBE具有负的温度系数，两个具有不同电流密度的三极管的基极-发射极电压差值△VBE具有正温度系数，带隙基准电压是将上述两个具有相反温度系数的电压以合适的权重相加，获得一阶补偿的接近零温度系数的基准电压。带隙基准电压的精度对半导体制造过程中引入的非理想因素的影响十分敏感，通过仿真软件可以有效的模拟和预测系统性误差，如厄利电压、沟道长度调制效应等，而器件失配、绝对值偏差和封装应力等非理想因素是随机的，且随着带隙基准电路复杂程度的提高，精度受误差影响更加严重。现有技术中，基准源电路的初始误差约为±2％～±3.5％；为了获得高精度基准电压，采用逐次逼近最优温度曲线的方法，但是使用逐次逼近最优温度曲线的方法，测试十块芯片的平均修调次数较多，工作效率较低。
技术实现思路
为了解决上述...
【技术保护点】
1.一种基准电压温度系数修调方法，其特征在于：所述的方法包括：获取第一修调电阻的第一码值和第二修调电阻的第二码值，所述第一码值和第二码值分别为第一修调电阻的阻值按照第一预设条件转化为二进制码的值和第二修调电阻的阻值按照第二预设条件转化为二进制码的值；获取第一码值的温度特性曲线的斜率、第二码值的温度特性曲线的斜率以及第一码值和第二码值之间数值的差值；根据所述第一码值的温度特性曲线的斜率、所述第二码值的温度特性曲线的斜率以及所述第一码值和所述第二码值之间数值的差值，获得修调步长，所述修调步长为任意相邻两个码值之间的温度特性曲线斜率的差值；获得第一预设斜率值，并根据所述第一预设斜...
【技术特征摘要】
1.一种基准电压温度系数修调方法，其特征在于：所述的方法包括：获取第一修调电阻的第一码值和第二修调电阻的第二码值，所述第一码值和第二码值分别为第一修调电阻的阻值按照第一预设条件转化为二进制码的值和第二修调电阻的阻值按照第二预设条件转化为二进制码的值；获取第一码值的温度特性曲线的斜率、第二码值的温度特性曲线的斜率以及第一码值和第二码值之间数值的差值；根据所述第一码值的温度特性曲线的斜率、所述第二码值的温度特性曲线的斜率以及所述第一码值和所述第二码值之间数值的差值，获得修调步长，所述修调步长为任意相邻两个码值之间的温度特性曲线斜率的差值；获得第一预设斜率值，并根据所述第一预设斜率值和所述修调步长，以及所述第一码值的温度特性曲线的斜率或所述第二码值的温度特性曲线的斜率，获得与所述第一预设斜率值对应的理论码值，其中，所述理论码值为正数；根据所述理论码值获得最低温度系数的码值；基于所述最低温度系数的码值，对每一个芯片的温度系数进行修调。2.根据权利要求1所述的基准电压温度系数修调方法，其特征在于：所述获取第一修调电阻的第一码值和第二修调电阻的第二码值，之前还包括：建立温度系数修调电路；在所述温度系数修调电路中接入K个修调电阻，以便于采用K位二进制码表示所述温度系数修调电路的第一修调电阻的阻值和第二修调电阻的阻值；基于接入修调电阻的温度系数修调电路，获得温度系数修调电路的第一修调电阻的阻值和第二修调电阻的阻值；根据所述第一修调电阻的阻值和所述第二修调电阻的阻值，获得第一修调电阻的第一码值和第二修调电阻的第二码值。3.根据权利要求1所述的基准电压温度系数修调方法，其特征在于：所述根据所述理论码值获得最低温度系数的码值，包括：判断所述理论码值是否为正整数；若是，则将所述理论码值确定为最低温度系数的码值。4.根据权利要求3所述的基准电压温度系数修调方法，其特征在于：所述判断所述理论码值是否为正整数之后，还包括：若否，则根据所述理论码值相邻的第三码值和第四码值进行修调，以得到最低温度系数的码值，其中所述第三码值和所述第四码值均为整数码值，且第三码值大于理论码值，第四码值小于理论码值。5.根据权利要求4所述的基准电压温度系数修调方法，其特征在于：所述根据所述理论码值相邻的第三码值和第四码值进行修调，以得到最低温度系数的码值，包括：获取第三码值对应的基准电压第一温度系数的绝对值和第四码值对应的基准电压第二温度系数的绝对值；判断所述第一温度系数的绝对值是否小于所述第二温度系数的绝对值；若所述第一温度系数的绝对值小于所述第二温度系数的绝对值，则将第三码值确定为最低温度系数的码值。6.根据权利要求5所述的基准电压温度系数修调方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐大伟，程新红，徐超，李新昌，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：上海,31
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