功率放大装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种功率放大装置。包括放大第1无线频率信号且输出第2无线频率信号的第1晶体管；放大第2无线频率信号且输出第3无线频率信号的第2晶体管；向第1晶体管的基极提供第1偏置电流的第1偏置电路；向第2晶体管的基极提供第2偏置电流的第2偏置电路，第1偏置电路包括从发射极或源极输出第1偏置电流的第3晶体管；一端输入第1无线频率信号且另一端与第1晶体管的基极相连接的电容器；一端与第3晶体管的发射极或源极相连接且另一端与第1晶体管的基极相连接的第1电阻器；一端与电容器的一端相连接且另一端与第3晶体管的发射极或源极相连接的第2电阻器；一端与电容器的一端相连接且另一端与第1晶体管的基极相连接的第3电阻器。

【技术实现步骤摘要】
功率放大模块
本专利技术涉及一种功率放大模块的专利技术。
技术介绍
手机等移动通信机中，为了放大向基站发送的无线频率(RF：RadioFrequency)信号的功率，使用了功率放大模块。功率放大模块使用了向功率放大用的晶体管提供偏置电流的偏置电路。例如，专利文献1中，披露了作为放大元件使用了晶体管的由多个放大级构成的功率放大模块，专利文献1中记载的功率放大模块将前级以及后级的双极型晶体管都设为发射极接地，使前级的双极型晶体管在基极电流一定模式下进行动作，使后级的双极型晶体管在基极电压一定模式下进行动作。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]特开平10-135750号公报
技术实现思路
[专利技术所要解决的问题]但是,专利文献1中所披露的功率放大模块中，随着输出功率的增加，增益会降低，从而线性就会变差。本专利技术是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于提高功率放大模块的线性。[解决问题的方法]本专利技术的功率放大模块包括：放大第1无线频率信号且输出第2无线频率信号的第1晶体管；放大第2无线频率信号且输出第3无线频率信号的第2晶体管；向第1晶体管的基极提供第1偏置电流的第1偏置电路；以及向第2晶体管的基极提供第2偏置电流的第2偏置电路。第1偏置电路包括：从发射极或源极输出第1偏置电流的第3晶体管；一端输入第1无线频率信号且另一端与第1晶体管的基极相连接的电容器；一端与第3晶体管的发射极或源极相连接且另一端与第1晶体管的基极相连接的第1电阻器；一端与电容器的一端相连接且另一端与第3晶体管的发射极或源极相连接的第2电阻器；以及一端与电容器的一端相连接且另一端与第1晶体管的基极相连接的第3电阻器。[专利技术的效果]根据本专利技术，能够提高功率放大模块的线性。附图说明图1是表示包含本专利技术的一个实施方式的功率放大模块的发送单元的构成例的图。图2是表示功率放大模块112的构成例的图。图3是表示放大电路200以及偏置电路210的构成例的图。图4是表示放大电路201以及偏置电路211的构成例的图。图5A是表示本实施方式所涉及的功率放大模块的线性的一例的图。图5B是表示本实施方式所涉及的功率放大模块的线性的一例的图。图5C是表示本实施方式所涉及的功率放大模块的线性的一例的图。图6是表示偏置电路210的其他构成例的图。图7是表示偏置电路210的其他构成例的图。图8是表示偏置电路210的其他构成例的图。具体实施方式(发送单元100的结构)以下，参照附图说明本专利技术的一个实施方式。图1是表示包含本专利技术的一个实施方式的功率放大模块的发送单元100的构成例的图。发送单元100例如在手机等移动通信机中用于向基站发送声音、数据等各种信号。另外，移动通信机还包括用于从基站接收信号的接收单元，但在这里省略说明。如图1所示，发送单元100包括：基带部110、RF部111、功率放大模块112、前端部113以及天线114。基带部110基于HSUPA(High-SpeedUplinkPacketAccess：高速上行链路分组接入)、LTE(LongTermEvolution：长期演进)等的调制方式，对声音、数据等输入信号进行调制并输出调制信号。本实施方式中，从基带部110输出的调制信号作为在IQ平面上表示振幅以及相位的IQ信号(I信号和Q信号)进行输出。IQ信号的频率例如为数MHz到数10MHz左右。此外，基带部110输出用于控制功率放大模块112的增益的模式信号MODE。RF部111根据从基带部输出的IQ信号，生成用于进行无线发送的RF信号(RFIN)。RF信号例如为数百MHz到数GHz左右。功率放大模块112将从RF部111输出的RF信号(RFIN)的功率放大至为了发送到基站所需要的水平，并输出放大信号(RFOUT)。功率放大模块112基于从基带部110提供的模式信号MODE决定偏置电流的电流量，来控制增益。前端部113进行针对放大信号(RFOUT)的滤波，进行与从基站接收到的接收信号之间的切换等。从前端部113输出的放大信号经由天线114发送到基站。(2.功率放大模块112的结构)图2是表示功率放大模块112的构成例的图。如图2所示，功率放大模块112包括放大电路200、201；偏置电路210、211；匹配电路(MN：MatchingNetwork)220、221、222；电感器230、231；电阻器240、241；以及偏置控制电路250。放大电路200、201构成2级的放大电路。放大电路200放大RF信号(RFIN)(第1无线频率信号的一个例子)，输出放大信号(RFOUT)(第2无线频率信号的一个例子)。从放大电路200输出的放大信号(RFOUT1)经由匹配电路221作为RF信号(RFIN2)输入到放大电路201。放大电路201放大RF信号(RFIN2)，输出放大信号(RFOUT2)(第3无线频率信号的一个例子)。本实施方式中，将功率放大模块的放大电路设为两级，放大电路的级数不仅限于两级，也可为三级以上。在放大电路是三级以上的情况下，对于最后级以外的放大电路，可使用与后述的偏置电路210相同的结构。偏置电路210、211分别对放大电路200、211提供偏置电流。偏置电路210(第1偏置电路的一个例子)将与从偏置控制电路250输出的偏置控制电流ICONT1相应的偏置电流IBIAS1(第1偏置电流的一个例子)提供给放大电路200。此外，偏置电路211(第2偏置电路的一个例子)将与从偏置控制电路250输出的偏置控制电流ICONT2相应的偏置电流IBIAS2(第2偏置电流的一个例子)提供给放大电路201。匹配电路220、221、222是为了使电路间的阻抗匹配而设置的。匹配电路220、221、222分别例如使用电感器、电容器构成。电感器230、231是用于隔离RF信号而设置的。对于放大电路200、201分别经由电感器230、231提供电源电压VCC。偏置控制电路250根据模式信号MODE，输出用于控制偏置电流IBIAS1、IBIAS2的偏置控制电流ICONT1、ICONT2。偏置控制电流ICONT1经由电阻器240提供给偏置电路210。此外，偏置控制电流ICONT2经由电阻器241提供给偏置电路211。功率放大模块112包括电阻器240、241，从而能够抑制从偏置控制电路250观察到的偏置电路210、211的阻抗变化。功率放大模块112中，通过控制偏置电流IBIAS1、IBIAS2，从而控制增益。另外，偏置控制电路250也可以设置在功率放大模块112的外部。功率放大模块112也可以不包括电阻器240、241。(3.放大电路200以及偏置电路210的结构)图3是表示放大电路200以及偏置电路210的构成例的图。放大电路200包括晶体管300A(第1晶体管的一个例子)、电容器301A、电容器302A，以及电阻器303A。晶体管300A例如是异质结双极型晶体管(HBT：HeterojunctionBipolarTransisitor)。经由电容器301A以及后述的电容器332A，向晶体管300A的基极输入RF信号(RFIN1)。经由电感器230，向晶体管300A的集电极提供电源电压VCC。晶体管300的发射极接地。此外，向晶体管300A的基极提供偏置电流IBIAS1。然后，从本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率放大模块，包括：放大第1无线频率信号且输出第2无线频率信号的第1晶体管；放大所述第2无线频率信号且输出第3无线频率信号的第2晶体管；向所述第1晶体管的基极提供第1偏置电流的第1偏置电路；以及向所述第2晶体管的基极提供第2偏置电流的第2偏置电路，所述第1偏置电路包括：从发射极或源极输出所述第1偏置电流的第3晶体管；一端输入所述第1无线频率信号且另一端与所述第1晶体管的基极相连接的电容器；一端与所述第3晶体管的发射极或源极相连接且另一端与所述第1晶体管的基极相连接的第1电阻器；一端与所述电容器的一端相连接且另一端与所述第3晶体管的发射极或源极相连接的第2电阻器；以及一端与所述电容器的一端相连接且另一端与所述第1晶体管的基极相连接的第3电阻器。

【技术特征摘要】
2015.11.27 JP 2015-2321361.一种功率放大模块，包括：放大第1无线频率信号且输出第2无线频率信号的第1晶体管；放大所述第2无线频率信号且输出第3无线频率信号的第2晶体管；向所述第1晶体管的基极提供第1偏置电流的第1偏置电路；以及向所述第2晶体管的基极提供第2偏置电流的第2偏置电路，所述第1偏置电路包括：从发射极或源极输出所述第1偏置电流的第3晶体管；一端输入所述第1无线频率信号且另一端与所述第1晶体管的基极相连接的电容器；一端与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡边一雄，田中聪，中井一人，筒井孝幸，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本,JP