半导体装置制造方法及图纸

提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：漏区和源区，彼此间隔开；半导体图案，设置在漏区与源区之间，并且包括第一区域和第二区域，其中，第一区域的厚度大于第二区域的厚度，第一区域设置在漏区与第二区域之间；栅电极，与半导体图案交叉。

Semiconductor device

A semiconductor device is provided. The semiconductor device includes a drain region and the source region are spaced apart from each other; a semiconductor pattern disposed between the drain region and a source region, and includes a first region and a second region, the first region is greater than the thickness of the thickness of the first second areas, area is arranged between the drain region and the second region; a gate electrode, and the cross a semiconductor pattern.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置本申请要求于2016年5月2日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0053978号韩国专利申请以及于2016年12月6日在美国专利商标局提交的第15/370,182号美国申请的优先权和权益，所述韩国专利申请和美国申请的公开内容通过引用全部包含于此。
根据示例性实施例的设备和方法涉及一种半导体装置。
技术介绍
近来，半导体装置正变得更小且具有更高的性能。因此，即使包括在半导体装置中的晶体管的小的结构差异也对半导体装置的性能产生大的影响。作为提高半导体装置的密度的缩放技术之一，已经提出了多栅极晶体管，在多栅极晶体管中，具有鳍形状或纳米线形状的硅体形成在基底上，栅极形成在硅体的表面上。因为多栅极晶体管采用三维沟道，所以利于缩放。另外，可以增强电流控制能力，而不增加多栅极晶体管的栅极的长度。此外，可以有效地抑制涉及漏极电压对沟道区中的电位的影响的短沟道效应(SCE)。顺便提及，随着沟道变薄，自加热或电离发生得更频繁。结果，会降低半导体装置的可靠性。
技术实现思路
一个或更多个示例性实施例提供了一种能够通过调节与漏极相邻的沟道区的厚度的方式来提高可靠性的半导体装置。示例性实施例解决的目标可以不限于上述目标，因此，基于下面提供的描述，本领域技术人员可以清楚地理解在这里未提及的其他目标。根据示例性实施例的方面，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：漏区和源区，彼此间隔开；半导体图案，设置在漏区与源区之间，并且包括第一区域和第二区域，其中，第一区域的厚度大于第二区域的厚度，第一区域设置在漏区与第二区域之间；栅电极，与半导体图案交叉。根据另一示例性实施例的方面，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底；场绝缘膜，位于基底上；半导体图案，从基底突出并且包括第一区域和第二区域，其中，半导体图案的一部分从场绝缘膜的上表面突出；源区和漏区，设置在基底上且分别设置在半导体图案的两侧上；栅电极，与半导体图案交叉，其中，半导体图案的第一区域设置在漏区与第二区域之间，半导体图案的第一区域的厚度大于半导体图案的第二区域的厚度。根据另一示例性实施例的方面，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：漏区和源区，彼此间隔开；沟道区，设置在漏区与源区之间；栅电极，与沟道区交叉，其中，沟道区的与漏区邻近的区域的厚度大于沟道区的与源区邻近的区域的厚度。附图说明通过参照附图的下面的详细描述，上述的和其他的方面和特征将变得更明显，在附图中：图1是根据示例性实施例的半导体装置的透视图；图2是沿着图1的线A-A'截取的剖视图；图3是根据示例性实施例的半导体装置的透视图；图4是沿着图1的线A-A'截取的剖视图；图5是沿着图1的线B-B'截取的剖视图；图6是图5的区域K的放大图；图7是沿着图1的线B-B'截取的剖视图；图8是沿着图1的线B-B'截取的剖视图；图9是图8中示出的区域L的放大图；图10至图15是根据示例性实施例的半导体装置的剖视图；图16至图23是沿着图1的线C-C'截取的剖视图；图24至图32是根据示例性实施例的半导体装置的剖视图；图33是图32中示出的区域M的放大图；图34至图44是根据示例性实施例的半导体装置的剖视图；图45是包括根据示例性实施例的半导体装置的片上系统(SoC)系统的框图。具体实施方式现在将参照附图在下文中更充分地描述示例性实施例。然而，示例性实施例可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于在这里所阐述的示例性实施例。相反，提供这些示例性实施例，使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达专利技术构思的范围。贯穿说明书，相同的附图标记表示相同的组件。在附图中，为了清楚起见，夸大了层和区域的厚度。将理解的是，当元件或层被称为“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接连接到或结合到另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。相反，当元件或层被称为“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。如在这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关列出项的任意和全部组合。还将理解的是，当层被称为“在”另一层或基底“上”时，该层可以直接在所述另一层或基底上，或者也可以存在中间层。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。将理解的是，虽然在这里可以使用术语第一、第二等来描述各种元件，但是这些元件不应该受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离专利技术构思的教导的情况下，例如，下面讨论的第一元件、第一组件或第一部分可以被称为第二元件、第二组件或第二部分。在描述示例性实施例的上下文中(特别是在权利要求的上下文中)使用的术语“一个(种)(者)”和“所述(该)”以及相似的指代要被解释为覆盖单数和复数两者，除非在这里另有指示或与上下文明显矛盾。除非另有说明，否则术语“包含”、“具有”、“包括”和“含有”要被解释为开放术语(即，意味着“包括但不限于”)。除非另有定义，否则在这里使用的所有技术术语和科学术语具有与示例性实施例所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。注意的是，除非另有说明，否则在这里提供的任意和全部示例或示例性术语的使用仅仅意图更好地说明示例性实施例，而不是对示例性实施例的范围的限制。此外，除非另有定义，否则在通常使用的字典中定义的所有术语不可以被过度解释。将参照透视图、剖视图和/或平面图来描述示例性实施例。因此，示例性视图的轮廓可以根据制造技术和/或公差来进行修改。也就是说，示例性实施例不意图限制范围，而是意图覆盖可能由于制造工艺的变化导致的全部变化和修改。因此，附图中示出的区域以示意性形式示出，并且区域的形状通过图示的方式简单地呈现而不作为限制。在下文中，将参照图1至图4描述根据示例性实施例的半导体装置。图1是根据示例性实施例的半导体装置的透视图。图2是沿着图1的线A-A'截取的剖视图。图3是根据示例性实施例的半导体装置的透视图。图4是沿着图1的线A-A'截取的剖视图。参照图1和图2，根据示例性实施例的半导体装置可以包括在基底100上的场绝缘膜101、鳍状图案110、漏区111、源区113、半导体图案115和栅极结构120。基底100可以是例如体硅基底或SOI(绝缘体上硅)基底。可选择地，基底100可以是硅基底或由诸如硅锗(SiGe)、锑化铟(InSb)、碲化铅(PbTe)化合物、砷化铟(InAs)、磷化铟(InP)、砷化镓(GaAs)和锑化镓(GaSb)的其他材料制成的基底。可选择地，基底100可以通过在基体基底上生长外延层来形成。场绝缘膜101可以形成在基底100上。场绝缘膜101可以围绕鳍状图案110的侧壁的至少一部分。虽然为了示出的方便，图1中示出的鳍状图案110的侧壁被场绝缘膜101完全围绕，但是它仅仅是说明性的。例如，可以仅鳍状图案110的侧壁的一部分被场绝缘膜101围绕。鳍状图案110可以形成在基底100上。鳍状图案110可以从基底100的上表面突出。鳍状图案110可以由场绝缘膜101来限定。场绝缘膜101可以由包括氧化硅膜、氮化硅膜和氮氧化硅膜中的至少一种的材料制成。鳍状图案110可以设置在半导体图案115的任一侧或两侧上。鳍状图案110可以包括作为单元素半导体材料的硅或锗。可选择地，鳍本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，所述半导体装置包括：漏区和源区，彼此间隔开；半导体图案，设置在漏区与源区之间，并且包括第一区域和第二区域，其中，第一区域的厚度大于第二区域的厚度，第一区域设置在漏区与第二区域之间；栅电极，与半导体图案交叉。

【技术特征摘要】
2016.05.02 KR 10-2016-0053978;2016.12.06 US 15/3701.一种半导体装置，所述半导体装置包括：漏区和源区，彼此间隔开；半导体图案，设置在漏区与源区之间，并且包括第一区域和第二区域，其中，第一区域的厚度大于第二区域的厚度，第一区域设置在漏区与第二区域之间；栅电极，与半导体图案交叉。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，半导体图案的第一区域包括与漏区间隔开第一距离的第一位置以及与漏区间隔开大于第一距离的第二距离的第二位置，其中，半导体图案的第一区域在第一位置处的厚度大于半导体图案的第一区域在第二位置处的厚度。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，半导体图案还包括第三区域，其中，半导体图案的第二区域设置在半导体图案的第一区域与半导体图案的第三区域之间。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，半导体图案的第三区域包括与漏区间隔开第四距离的第四位置以及与漏区间隔开大于第四距离的第五距离的第五位置，其中，半导体图案的第三区域在第四位置处的厚度小于半导体图案的第三区域在第五位置处的厚度。5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，半导体图案的第三区域的厚度小于半导体图案的第一区域的厚度。6.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，半导体图案的第三区域的厚度等于半导体图案的第二区域的厚度。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：半导体图案的第一区域包括与漏区间隔开第一距离的第一位置，半导体图案的第二区域包括与漏区间隔开比第一距离大的第三距离的第三位置，半导体图案的第一区域的厚度在第一位置处测量，半导体图案的第二区域的厚度在第三位置处测量。8.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：基底，其中，半导体图案形成在基底上方，其间有间隔，其中，栅电极的一部分设置在半导体图案与基底之间。9.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：基底，其中，半导体图案包括第一半导体图案和第二半导体图案，第一半导体图案和第二半导体图案均形成在基底上方，第一半导体图案和第二半导体图案均与基底有间隔，其中，第一半导体图案与第二半导体图案间隔开，其中，栅电极的一部分设置在第一半导体图案与第二半导体图案之间，栅电极的另一部分设置在第二半导体图案与基底之间。10.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：中西俊郎，南甲镇，张立杰，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR