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本实用新型涉及一种超高压VDMOS晶体管，包括第一导电类型的衬底片、位于衬底片背面的第一导电类型的掺杂层、位于掺杂层下方的第一金属电极、位于衬底片正面的栅极结构以及位于栅极结构上的第二金属电极，所述第一金属电极作为该VDMOS晶体管的漏极，...
该专利属于苏州锴威特半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州锴威特半导体有限公司授权不得商用。

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