The invention relates to the technical field of the semiconductor device, in particular to a matrix ring FET device arrangement, from the bottom comprises a substrate, a buffer layer and barrier layer; an isolation region is formed on the barrier layer surface and extends to the internal buffer layer; the source electrode is composed of a plurality of arranged in a matrix of the source metal; first surround gate composed of a plurality of closed loop matrix arrangement, closed ring surrounds the corresponding source metal; the first extending part from the closed loop of each line is located at the edge of the first line along the direction of extension to cover the annular isolation area; drain second surround with a plurality of through holes arranged in a matrix, the through hole closed loop located in the corresponding extension; second from second surround extending coverage to the annular isolation zone along the second line direction; the back hole is provided with a plurality of Zhiyuan metal substrate from bottom to top, each source The metal is connected to the back metal through the connecting back hole through the connecting metal. The invention can reduce the gate delay and improve the breakdown voltage of the device.
【技术实现步骤摘要】
一种矩阵排列的环形FET器件
本专利技术属于半导体器件
,具体涉及一种矩阵排列的环形FET器件。
技术介绍
管芯的结构设计对于器件的性能影响严重,目前常用的场效应晶体管(FET)采用条形栅结构,源极和漏极分列栅极的两边。这种管芯设计,同样栅宽下,面积更大,栅延迟严重,并且由于电场的不均匀分布极易导致器件击穿。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种可以降低栅延迟、提高击穿电压的矩阵排列的环形FET器件。为达到上述要求,本专利技术采取的技术方案是:提供一种矩阵排列的环形FET器件,从下至上包括衬底、缓冲层及势垒层;还包括环形隔离区、栅极、源极及漏极,环形隔离区形成于势垒层表面且延伸至缓冲层内部;源极由若干个呈矩阵排列的源极金属组成,每个源极金属形成于势垒层上且底部延伸至缓冲层;栅极包括第一环绕部和第一延伸部,第一环绕部由若干个呈矩阵排列的闭合环组成,闭合环与源极金属一一对应,且闭合环环绕对应的源极金属,每个闭合环与同一行相邻的闭合环连接;第一延伸部从每一行位于边缘的闭合环引出,并沿第一直线方向延伸覆盖至环形隔离区;漏极包括第二环绕部和第二延伸部,第二环绕部具有若干个呈矩阵排列的通孔,每个通孔与同一行相邻的通孔连通,通孔与闭合环一一对应,且闭合环位于对应的通孔内;第二延伸部从第二环绕部沿第二直线方向延伸覆盖至环形隔离区;从衬底底部向上开设若干背孔至源极金属,背孔与源极金属一一对应,且每个源极金属经对应的背孔通过连接金属与衬底底面的背面金属相连。与现有技术相比,本专利技术具有以下优点:源极做成圆柱形,通过背面通孔接地,并呈矩阵结构排列;栅极做成环状,包裹住 ...
【技术保护点】
一种矩阵排列的环形FET器件,从下至上包括衬底、缓冲层及势垒层,其特征在于,还包括环形隔离区、栅极、源极及漏极,环形隔离区形成于势垒层表面且延伸至缓冲层内部;源极由若干个呈矩阵排列的源极金属组成,每个源极金属形成于势垒层上且底部延伸至缓冲层;栅极包括第一环绕部和第一延伸部,第一环绕部由若干个呈矩阵排列的闭合环组成,闭合环与源极金属一一对应,且闭合环环绕对应的源极金属,每个闭合环与同一行相邻的闭合环连接;第一延伸部从每一行位于边缘的闭合环引出,并沿第一直线方向延伸覆盖至环形隔离区;漏极包括第二环绕部和第二延伸部,第二环绕部具有若干个呈矩阵排列的通孔,每个通孔与同一行相邻的通孔连通,通孔与闭合环一一对应,且闭合环位于对应的通孔内;第二延伸部从第二环绕部沿第二直线方向延伸覆盖至环形隔离区;从衬底底部向上开设若干背孔至源极金属,背孔与源极金属一一对应,且每个源极金属经对应的背孔通过连接金属与衬底底面的背面金属相连。
【技术特征摘要】
1.一种矩阵排列的环形FET器件,从下至上包括衬底、缓冲层及势垒层,其特征在于,还包括环形隔离区、栅极、源极及漏极,环形隔离区形成于势垒层表面且延伸至缓冲层内部;源极由若干个呈矩阵排列的源极金属组成,每个源极金属形成于势垒层上且底部延伸至缓冲层;栅极包括第一环绕部和第一延伸部,第一环绕部由若干个呈矩阵排列的闭合环组成,闭合环与源极金属一一对应,且闭合环环绕对应的源极金属,每个闭合环与同一行相邻的闭合环连接;第一延伸部从每一行位于边缘的闭合环引出,并沿第一直线方向延伸覆盖至环形隔离区;漏极包括第二环绕部和第二延伸部,第二环绕部具有若干个呈矩阵排列的通孔,每个通孔与同一行相邻的通孔连通,通孔与闭合环一一对应,且闭合环位于对应的通孔内;第二延伸部从第二环绕部沿第二直线方向延伸覆盖至环形隔离区;从衬底底部向上开设若干背孔至源极...
【专利技术属性】
技术研发人员:李春江,翟媛,
申请(专利权)人:成都海威华芯科技有限公司,
类型:发明
国别省市:四川,51
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