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一种矩阵排列的环形FET器件制造技术
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下载一种矩阵排列的环形FET器件的技术资料
文档序号:16549007
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本发明涉及半导体器件技术领域,具体涉及一种矩阵排列的环形FET器件,从下至上包括衬底、缓冲层及势垒层;环形隔离区形成于势垒层表面且延伸至缓冲层内部;源极由若干个呈矩阵排列的源极金属组成;栅极的第一环绕部由若干个呈矩阵排列的闭合环组成,闭合环...
该专利属于成都海威华芯科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过成都海威华芯科技有限公司授权不得商用。
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