图像传感器、电子装置及其制造方法制造方法及图纸

本公开涉及图像传感器、电子装置及其制造方法。在一个实施例中，本公开涉及图像传感器，该图像传感器包括：逻辑区域，包括多个晶体管；像素区域，包括多个像素晶体管；其中所述多个像素晶体管中的第一像素晶体管的栅极电介质层比所述多个晶体管中的第一晶体管的栅极电介质层薄。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器、电子装置及其制造方法
本公开涉及图像传感器及其制造方法以及包括该图像传感器的电子装置及其制造方法。
技术介绍
许多现代电子设备涉及使用图像传感器的电子装置，例如，单反相机、普通数码相机、摄像机、手机、汽车电子等等。因此，本领域中一直存在对具有改善的图像质量的图像传感器的需求。
技术实现思路
本公开的一个目的是提供一种本领域的新技术。本公开的方面可以包括图像传感器、图像传感器的制造方法、包括该图像传感器的电子装置以及该电子装置的制造方法中的至少一个。根据本公开的第一方面，提供了一种图像传感器。该图像传感器可以包括：逻辑区域，包括多个晶体管；像素区域，包括多个像素晶体管；其中所述多个像素晶体管中的第一像素晶体管的栅极电介质层比所述多个晶体管中的第一晶体管的栅极电介质层薄。根据本公开的第二方面，提供了一种电子装置。该电子装置可以包括如上所述的图像传感器。根据本公开的第三方面，提供了一种制造图像传感器的方法。该方法可以包括：提供衬底，所述衬底包括逻辑区域和像素区域；在所述衬底的表面处形成栅极电介质层，以使得所述像素区域的第一像素晶体管区域中的栅极电介质层比所述逻辑区域的第一晶体管区域本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图像传感器，其特征在于所述图像传感器包括：逻辑区域，包括多个晶体管；像素区域，包括多个像素晶体管；其中所述多个像素晶体管中的第一像素晶体管的栅极电介质层比所述多个晶体管中的第一晶体管的栅极电介质层薄。

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其特征在于所述图像传感器包括：逻辑区域，包括多个晶体管；像素区域，包括多个像素晶体管；其中所述多个像素晶体管中的第一像素晶体管的栅极电介质层比所述多个晶体管中的第一晶体管的栅极电介质层薄。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一晶体管的栅极电介质层的厚度为5～6纳米，以及所述第一像素晶体管的栅极电介质层的厚度为4～5.5纳米。3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一像素晶体管的操作电压与所述第一晶体管的操作电压相同。4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述多个像素晶体管还包括第二像素晶体管，所述第二像素晶体管的栅极电介质层比所述多个晶体管中的第一晶体管的栅极电介质层薄。5.根据权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，所述第二像素晶体管的栅极电...

【专利技术属性】
技术研发人员：北村阳介，大石周，黄晓橹，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32