薄膜层形成结构及其形成方法、半导体器件技术
【技术实现步骤摘要】
薄膜层形成结构及其形成方法、半导体器件
本专利技术涉及电子
，具体涉及一种薄膜层形成结构及其形成方法、半导体器件。
技术介绍
在具有不同高度的基底上形成薄膜层时，在该基底上直接沉积薄膜材料，所述基底上由于不同的高度连接处形成有台阶，薄膜层在台阶上形成从顶部到底部倾斜的结构，当沉积的薄膜材料比较厚时，台阶上的薄膜层形成悬突角(fangshapecorner)，将会导致薄膜层内形成不牢固的内部应力线，在后续的工艺步骤中(例如平坦化工艺中)很容易遭到破坏，从而对后续的工艺造成影响。因此，如何避免应力线的产生，提高薄膜层的均一性是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种薄膜层形成结构及其形成方法、半导体器件，能够提高薄膜层的均一性，减缓薄膜层内部的应力，提高薄膜层的质量。为实现上述目的，本专利技术提供一种薄膜层的形成方法，包括：提供一基底，所述基底具有第一区域与第二区域，所述第一区域和所述第二区域在所述基底上连接，使所述基底对应在所述第一区域和所述第二区域的连接处具有一第一交叠点，其中，所述第一区域的顶部高于所述第二区域的顶部在10...
【技术保护点】
一种薄膜层的形成方法，其特征在于，包括：提供一基底，所述基底具有第一区域与第二区域，所述第一区域和所述第二区域在所述基底上连接，使所述基底对应在所述第一区域和所述第二区域的连接处具有一第一交叠点，其中，所述第一区域的顶部高于所述第二区域的顶部在1000纳米以上；以及形成一薄膜层在所述基底的所述第一区域和所述第二区域上，所述薄膜层的上表面包括一第一表面区、第二表面区和第三表面区，所述第一表面区覆盖在所述第一区域上并延伸至所述第二区域，所述第一表面区对应所述第一区域的顶部的部分位于第一高度位置，所述第二表面区覆盖在所述第二区域上并对应所述第二区域的顶部的部分位于第二高度位置，所...
【技术特征摘要】
1.一种薄膜层的形成方法，其特征在于，包括：提供一基底，所述基底具有第一区域与第二区域，所述第一区域和所述第二区域在所述基底上连接，使所述基底对应在所述第一区域和所述第二区域的连接处具有一第一交叠点，其中，所述第一区域的顶部高于所述第二区域的顶部在1000纳米以上；以及形成一薄膜层在所述基底的所述第一区域和所述第二区域上，所述薄膜层的上表面包括一第一表面区、第二表面区和第三表面区，所述第一表面区覆盖在所述第一区域上并延伸至所述第二区域，所述第一表面区对应所述第一区域的顶部的部分位于第一高度位置，所述第二表面区覆盖在所述第二区域上并对应所述第二区域的顶部的部分位于第二高度位置，所述第一高度位置高于所述第二高度位置，所述第三表面区连接所述第一表面区和所述第二表面区；所述第三表面区与所述第二表面区的连接点构成一第二交叠点；其中，所述第一交叠点与所述第二交叠点组成的连接线与第一方向的夹角小于58度，所述连接线与第二方向的夹角大于32度，其中，所述第一方向同向于所述第一区域的顶部，所述第二方向同向于所述第一区域的侧部。2.如权利要求1所述的薄膜层的形成方法，其特征在于，所述第一区域为包括电容阵列的元件区，所述第二区域为围绕所述元件区的周边区域。3.如权利要求1所述的薄膜层的形成方法，其特征在于，所述薄膜层的形成方法包括化学气相沉积法。4.如权利要求3所述的薄膜层的形成方法，其特征在于，在所述化学气相沉积法中，反应腔室的压强为3torr～5torr，在所述反应腔室内，第一射频功率为1300W～1500W，第二射频功率为1800W～2100W，所述薄膜层的沉积速率为5.如权利要求1所述的薄膜层的形成方法，其特征在于，所述薄膜层的厚度大于2000nm，所述第一区域的顶部与所述第二区域的顶部的高度差值大于1600nm，所述第二交叠点距离所述第一交叠点在所述第一方向上的水平宽度值的比值相对于所述高度差值大于1。6.如权利要求1所述的薄膜层的形成方法，其特征在于，所述薄膜层的形成方法还包括：平坦化所述薄膜层至所述基底的所述第一区域的顶部位置，使平坦化后的薄膜层位于所述第二区域内，并与所述第一区域的顶部平齐。7.如权利要求6所...
【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：睿力集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34
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