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本发明提供一种薄膜层形成结构及其形成方法、半导体器件，提供一具有第一区域与第二区域的基底，第一区域高于第二区域，且第一区域与第二区域的连接处具有一第一交叠点，在基底上形成的薄膜层具有第一表面区、第二表面区与第三表面区，第一表面区高于第二表面...
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