半导体装置封装制造方法及图纸
Semiconductor device packaging
The invention discloses a semiconductor device package includes a substrate; the surface component is located on the substrate; the package body, the encapsulation of the assembly; and the EMI electromagnetic interference shielding, the conformal formed within the package body, wherein the EMI shield has a side opening defined.
【技术实现步骤摘要】
半导体装置封装
本专利技术大体来说涉及半导体装置封装。更特定来说，本专利技术涉及具有电磁干扰屏蔽的半导体装置封装。
技术介绍
半导体装置已渐进地变得较复杂，至少部分地由对增强处理速度及较小大小的需求促进。虽然增强处理速度及较小大小的益处明显，但半导体装置的这些特性也可形成挑战。特定来说，越高的时钟速度可涉及信号层级间越频繁的转变，此继而可以更高频率或更短波长导致较高位准的电磁发射。电磁发射可从源半导体装置辐射，且可入射于相邻半导体装置上。如果到达相邻半导体装置的电磁辐射的位准足够高，那么这些辐射可不利地影响相邻半导体装置的操作。此现象有时被称作电磁干扰(EMI)。减少EMI的一种方式为屏蔽内半导体装置封装的源半导体装置或源半导体装置。特定来说，可通过包含经电接地且被固定到封装的外部的导电外壳或壳体来实现屏蔽。在来自封装内部的电磁发射击中外壳的内表面时，这些发射的至少一部分可电短路，借此减少可通过外壳的发射位准(且不利地影响在外壳的外部的半导体装置)。同样地，在电磁发射击中外壳的外表面时，可发生类似电短路以减少半导体装置上外壳内的EMI。
技术实现思路
在一或多个实施例...
【技术保护点】
一种半导体装置封装，其包括：衬底；至少一个组件，其位于所述衬底的表面上；封装本体，其包封所述至少一个组件；及电磁干扰EMI屏蔽，其适形地形成在所述封装本体上，所述EMI屏蔽具有界定第一开口的第一侧部。
【技术特征摘要】
2016.07.28 US 15/222,8201.一种半导体装置封装，其包括：衬底；至少一个组件，其位于所述衬底的表面上；封装本体，其包封所述至少一个组件；及电磁干扰EMI屏蔽，其适形地形成在所述封装本体上，所述EMI屏蔽具有界定第一开口的第一侧部。2.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一开口具有长度及高度，其中所述长度大于所述高度。3.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一开口具有由0.026λ≦L1≦0.155λ决定的第一长度L1，且λ为与所述半导体装置封装的操作频率相关的波长，且所述操作频率在从大约5.180GHz到大约5.825GHz的范围中。4.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一开口具有由0.029λ≦L1≦0.139λ决定的第一长度L1，且λ为与所述半导体装置封装的操作频率相关的波长，且所述操作频率在从大约5.180GHz到大约5.825GHz的范围中。5.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述EMI屏蔽在所述第一侧部上进一步界定第二开口，其中所述第一开口具有第一长度L1且所述第二开口具有第二长度L2，所述第一长度L1及所述第二长度L2的和Ls是由0.026λ≦Ls≦0.155λ决定，且λ为与所述半导体装置封装的操作频率相关的波长，且所述操作频率在从大约5.180GHz到大约5.825GHz的范围中。6.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述EMI屏蔽在所述第一侧部上进一步界定多个第二开口，其中所述第一开口具有第一长度L1，且所述多个第二开口中的每一者具有第二长度L2，所述第一长度L1及所述第二长度L2的和Ls是由0.026λ≦Ls≦0.155λ决定，且λ为与所述半导体装置封装的操作频率相关的波长，且所述操作频率在从大约5.180GHz到大约5.825GHz的范围中。7.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述EMI屏蔽进一步包括连接到所述第一侧部的第二侧部，且所述EMI屏蔽在所述第二侧部上进一步界定第二开口。8.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：林季民，廖明文，黄俊颖，
申请(专利权)人：环旭电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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