一种芯片级封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种芯片级封装结构。所述芯片级封装结构包括：衬底；形成于所述衬底第一表面上的集成电路，所述集成电路包括一个或多个电子元器件以及金属互联层；形成于所述衬底除所述第一表面外的其他表面上的屏蔽金属层，所述屏蔽金属层与所述金属互联层电连接。本实用新型专利技术实施例提供的技术方案，实现了芯片级屏蔽金属层的制备，避免了芯片之间的信号干扰，形成芯片模组后无需再制备模组级屏蔽金属层，达到了简化芯片模组构成工艺的有益效果，此外，芯片模组边缘也无需再设置模组级屏蔽金属层的接地过孔，进而减小了芯片模组的尺寸。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片级封装结构
本技术实施例涉及屏蔽结构及其制备技术，尤其涉及一种芯片级封装结构。
技术介绍
屏蔽结构能够避免信号干扰，属于现有电路的常规设置。现有技术中主要的屏蔽结构包括两种，一种是金属屏蔽罩，采用金属形成，能够与电路板上对应设置的屏蔽墙嵌扣，使得屏蔽墙内的芯片以及电子元器件被屏蔽。另一种是芯片模组上使用的屏蔽金属层，采用镀膜工艺形成于芯片模组塑封材料表面，用于屏蔽芯片模组中的各芯片以及电子元器件。上述两种屏蔽结构屏蔽的均为部分电路，包括多个芯片和多个电子元器件，虽然被屏蔽的这部分电路不会受到外部电路信号的影响，但是这部分电路内部的芯片和电子元器件之间还存在相互间的信号干扰。此外，对于芯片模组上使用的屏蔽金属层，由于要在芯片模组外边缘为屏蔽金属层设置接地过孔，导致芯片模组的尺寸变大。
技术实现思路
本技术提供一种芯片级封装结构，以避免芯片之间的信号干扰，减小芯片模组尺寸，简化芯片模组的构成工艺。本技术实施例提供了一种芯片级封装结构，所述芯片级封装结构包括：衬底；形成于所述衬底第一表面上的集成电路，所述集成电路包括一个或多个电子元器件以及金属互联层；形成于所述衬底除所述第一表面外的其他表本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片级封装结构，其特征在于，包括：衬底；形成于所述衬底第一表面上的集成电路，所述集成电路包括一个或多个电子元器件以及金属互联层；形成于所述衬底除所述第一表面外的其他表面上的屏蔽金属层，所述屏蔽金属层与所述金属互联层电连接。

【技术特征摘要】
1.一种芯片级封装结构，其特征在于，包括：衬底；形成于所述衬底第一表面上的集成电路，所述集成电路包括一个或多个电子元器件以及金属互联层；形成于所述衬底除所述第一表面外的其他表面上的屏蔽金属层，所述屏蔽金属层与所述金属互联层电连接。2.根据权利要求1所述的芯片级封装结构，其特征在于，所述衬底包括硅衬底、玻璃衬底、石英衬底以及蓝宝石衬底。3.根据权利要求1所述的芯片级封装结构，其特征在于，所述屏蔽金属层包括至少一层导电金属层。4.根据权利要求3所述的芯片级封装结构，其特征在于，所述屏蔽金属层包括一层导电金属层时，所述屏蔽金属层的材料包括铜。5.根据权利要求3所述的芯片级封装结构，其特征在于，所述屏蔽金属层...

【专利技术属性】
技术研发人员：何军，其他发明人请求不公开姓名，
申请(专利权)人：安徽安努奇科技有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34