半导体封装和用于制造半导体封装的方法技术

本发明专利技术概念的实施例提供一种用于制造半导体封装的方法。方法包含提供包括衬底、半导体芯片和模塑层的封装，所述衬底包括在所述衬底的一个表面处暴露的接地图案；以及将包含金属粒子和导电碳材料的溶液涂覆到所述模塑层上以形成屏蔽层。所述屏蔽层包括：所述金属粒子；以及连接到所述金属粒子中的至少一个金属粒子的所述导电碳材料。所述屏蔽层延伸到所述衬底的所述一个表面上且电连接到所述接地图案。

Semiconductor encapsulation and method for manufacturing semiconductor packaging

An embodiment of the concept of the invention provides a method for manufacturing semiconductor packaging. The method includes providing a package including substrate, semiconductor chip and molding layer. The substrate includes a grounding pattern exposed on one surface of the substrate, and a solution containing metal particles and conductive carbon material is coated on the molding layer to form a shielding layer. The shielding layer comprises the metal particles, and the conductive carbon material connected to at least one metal particle in the metal particle. The shielding layer extends to the surface of the substrate and is electrically connected to the ground pattern.

【技术实现步骤摘要】
半导体封装和用于制造半导体封装的方法相关申请案的交叉参考本申请案要求2016年6月14日在美国专利商标局提交的美国临时申请案第62/349,917号，和2016年9月8日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请案第10-2016-0115857号的优先权，所述申请案的公开内容在此以全文引用的方式并入本文中。
技术介绍
本揭露的实例实施例涉及半导体封装和用于制造半导体封装的方法，且更特定来说，涉及包含屏蔽层的半导体封装和用于制造所述半导体封装的方法。包含集成电路芯片的半导体封装可以用于在电子产品中使用集成电路芯片的合适形式呈现。在一般半导体封装中，半导体芯片可以安装在印刷电路板(printedcircuitboard,PCB)上且可以通过接线(bondingwires)或凸块电连接到PCB。随着电子行业的发展，已经开发了高性能、高速和小型电子组件。因此，在半导体封装与其它电子组件之间可能会发生电磁干扰现象。
技术实现思路
实例实施例提供一种半导体封装和一种用于制造半导体封装的方法。根据实例实施例的方面，一种用于制造半导体封装的方法可以包含：提供包含接地图案的封装；以及形成安置在封装的顶部表面和侧壁上且本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造半导体封装的方法，所述方法包括：提供包括接地图案的封装；以及形成屏蔽层，所述屏蔽层安置在所述封装的顶部表面和侧壁上且电连接到所述接地图案，其中所述屏蔽层包括：金属粒子，其彼此连接，所述金属粒子包含：第一粒子；和第二粒子，其具有大于所述第一粒子的高宽比；以及导电碳材料，其连接到所述金属粒子中的至少一个金属粒子。

【技术特征摘要】
2016.09.08 KR 10-2016-0115857;2017.06.12 KR 10-2011.一种用于制造半导体封装的方法，所述方法包括：提供包括接地图案的封装；以及形成屏蔽层，所述屏蔽层安置在所述封装的顶部表面和侧壁上且电连接到所述接地图案，其中所述屏蔽层包括：金属粒子，其彼此连接，所述金属粒子包含：第一粒子；和第二粒子，其具有大于所述第一粒子的高宽比；以及导电碳材料，其连接到所述金属粒子中的至少一个金属粒子。2.根据权利要求1所述用于制造半导体封装的方法，其特征在于，还包括：在所述屏蔽层的所述形成之前，在所述封装的所述顶部表面上形成凹陷，其中所述屏蔽层的第一部分提供在所述封装的在所述凹陷外部的所述顶部表面上，其中所述屏蔽层的第二部分提供在所述凹陷上，以及其中所述第一部分具有第一顶部表面，且所述第二部分具有在相对于所述第一顶部表面倾斜的方向上延伸的第二顶部表面。3.根据权利要求2所述用于制造半导体封装的方法，其特征在于，从所述屏蔽层的所述第二部分反射的光的强度不同于从所述屏蔽层的所述第一部分反射的光的强度，其中所述凹陷的深度至少为20μm，以及其中所述第一顶部表面与所述第二顶部表面之间的角度介于130度到160度的范围。4.根据权利要求3所述用于制造半导体封装的方法，其特征在于，所述屏蔽层的所述第一部分和所述屏蔽层的所述第二部分中的每一部分包括所述金属粒子和所述导电碳材料，以及其中所述第一部分的构成比与所述第二部分的构成比相同。5.根据权利要求1所述用于制造半导体封装的方法，其特征在于，所述屏蔽层包括第一部分和第二部分，其中所述方法进一步包括将光照射到所述屏蔽层的所述第二部分上，而不将所述屏蔽层的所述第一部分暴露于所述光，其中所述光具有495nm到570nm的波长，其中所述屏蔽层更包括氧化钛，其中所述屏蔽层的所述第一部分反射具有第一波长的光，以及其中所述屏蔽层的所述第二部分反射具有不同于所述第一波长的第二波长的光。6.根据权利要求1所述用于制造半导体封装的方法，其特征在于，所述第二粒子的所述高宽比介于为所述第一粒子的所述高宽比的5倍到20倍的范围。7.根据权利要求1所述用于制造半导体封装的方法，其特征在于，所述屏蔽层更包括亲水性聚合物，以及其中所述屏蔽层具有疏水性性质。8.根据权利要求1所述用于制造半导体封装的方法，其特征在于，所述导电碳材料共价键结到所述金属粒子。9.一种用于制造半导体封装的方法，所述方法包括：提供包括衬底、半导体芯片和模塑层的封装，所述衬底包括在所述衬底的一个表面处暴露的接地图案；以及将包含金属粒子和导电碳材料的溶液涂覆到所述模塑层上以形成屏蔽层，其中所述屏蔽层包括：所述金属粒子；以及连接到所述金属粒子中的至少一个金属粒子的所述导电碳材料，以及其中所述屏蔽层延伸到所述衬底的所述一个表面上且电连接到所述接地图案。10.根据权利要求9所述用于制造半导体封装的方法，其特征在于，还包括在所述溶液的所述涂覆之前，在所述模塑层的表面上形成凹陷，以及其中从提供在所述凹陷上的所述屏蔽层反射的光的强度弱于从提供在所述凹陷外部的所述屏蔽层反射的光的强度。11.根据权利要求9所述用于制造半导体封装的方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：闵丙国，赵成日，崔宰熏，金時经，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR