一种硅薄膜单面去除方法技术

本申请公开了一种硅薄膜单面去除方法，包括：对硅片进行清洗和表面制绒；以面靠面的方式在所述硅片的背面沉积薄膜；在所述硅片的背面沉积保护层；将所述硅片的正面和绕镀的薄膜氧化，形成氧化层；利用酸腐蚀液刻蚀，去除所述氧化层和所述保护层。上述硅薄膜单面去除方法，能够无损伤且零污染的单面去除硅薄膜。

A single side removal method of silicon thin film

The invention discloses a method for removing silicon thin film, one side includes: cleaning and surface texturing on the silicon wafer surface on the way to; on the back of the silicon thin film deposition; deposition on the back of the silicon protective layer; the front side of the wafer and oxide films around plating, forming an oxide layer; the use of acid etching liquid etching, removing the oxide layer and the protective layer. The single side removal method of the silicon film can remove silicon thin film without damage and zero pollution.

【技术实现步骤摘要】
一种硅薄膜单面去除方法
本专利技术属于太阳能电池
，特别是涉及一种硅薄膜单面去除方法。
技术介绍
自1954年美国贝尔实验室制备出世界上第一块转换效率为6％的单晶硅太阳电池以来，太阳能电池的发展可谓突飞猛进，晶硅太阳能电池的生产、使用已经遍布世界各地。在科研人员的不断努力探索下，晶硅电池的效率也在不断取得突破，最高转换效率已经达到了26.33％，非常接近理论极限值29％，电池效率提升的成本不断增高，发展新的硅薄膜技术电池势在必行，如非晶硅和多晶硅薄膜技术。硅薄膜通常采用CVD(化学气相沉积)方法制备，但是由于CVD方法沉积薄膜时往往会绕镀到另一面，无法实现单面沉积。现有两种方法能够形成单面硅薄膜，包括掩膜保护单面刻蚀法和激光刻蚀方法，其中，掩膜保护方法是指硅薄膜沉积后在硅薄膜表面镀上一层抗碱腐蚀的保护层，接着用碱溶液去除掉另一面的硅薄膜，最后用腐蚀溶液去除掉表面的保护层，该方法对保护层的致密性要求非常高，否则碱溶液会从保护膜层中渗透到正面硅薄膜表面，对硅薄膜造成刻蚀损伤，另一方面渗透至保护膜层中的碱离子很难被清洗干净，会在后序工艺过程对电池造成污染，而激光刻蚀方法是指利用激光的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅薄膜单面去除方法，其特征在于，包括：对硅片进行清洗和表面制绒；以面靠面的方式在所述硅片的背面沉积薄膜；在所述硅片的背面沉积保护层；将所述硅片的正面和绕镀的薄膜氧化，形成氧化层；利用酸腐蚀液刻蚀，去除所述氧化层和所述保护层。

【技术特征摘要】
1.一种硅薄膜单面去除方法，其特征在于，包括：对硅片进行清洗和表面制绒；以面靠面的方式在所述硅片的背面沉积薄膜；在所述硅片的背面沉积保护层；将所述硅片的正面和绕镀的薄膜氧化，形成氧化层；利用酸腐蚀液刻蚀，去除所述氧化层和所述保护层。2.根据权利要求1所述的硅薄膜单面去除方法，其特征在于，所述在所述硅片的背面沉积薄膜为在所述硅片的背面沉积氧化硅保护层或氮化硅保护层。3.根据权利要求1所述的硅薄膜单面去除方法，其特征在于，所述利用酸腐蚀液刻蚀，去除所述氧化层和所述保...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨洁，张昕宇，金浩，宴迪，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33