The invention discloses a preparation method of double PERC solar cell, which comprises the following steps: (1) formed on a silicon wafer suede front and back; (2) on the front surface of the silicon wafer diffusion; (3) to remove the front surface of the silicon wafer phosphorus silicon glass; (4) the single centrifugal etching on the silicon wafer back surface etching equipment and from the side; (5) annealing on the silicon wafer; (6) in silicon deposited three two aluminum oxide film and a silicon nitride film; (7) on the front surface of the silicon wafer deposited silicon nitride film; (8) in the silicon back printing back silver main gate electrode; (9) in the silicon aluminum printing the gate line; (10) on the front surface of the silicon wafer printing positive electrode paste; (11) the high temperature sintering process on the silicon wafer, forming back silver electrode and the positive silver electrode; (12) anti LID treatment on the battery. Using the invention, the uniformity of the back etching can be improved, thus the color uniformity of the back membrane of the double side PERC battery is enhanced and the product yield is improved.
【技术实现步骤摘要】
一种双面PERC晶硅太阳能电池的制备方法
本专利技术涉及太阳能电池领域,尤其涉及一种双面PERC太阳能电池的制备方法。
技术介绍
在光伏太阳能行业,常规太阳能电池的制造要经过制绒,扩散,刻蚀,镀膜,丝网印刷和烧结六大工序。其中,制绒和刻蚀属于化学刻蚀工艺。制绒的目的是要在硅片的正面形成有利于太阳光吸收的绒面;刻蚀一般采用链式清洗设备,去除硅片边缘和背面的PN结,防止电池短路,同时去除硅片正面的磷硅玻璃。常规太阳能电池属于单面太阳能电池,电池的背面会被铝背场覆盖,硅片背面的刻蚀形貌不会对电池良率产生影响。对于双面PERC太阳能电池,硅片背面刻蚀的均匀性是影响电池背面膜色的主要因素。如果采用常规的链式清洗机,由于双面PERC电池的刻蚀量很高,硅片背面的一些区域,尤其是边缘区域,刻蚀量会非常大,反射率很高,造成硅片背面镀膜后的膜色均匀性很差,降低双面PERC电池的良率。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于,提供一种双面PERC太阳能电池的制备方法,可以提升背面刻蚀的均匀性,从而提升双面PERC电池的背面膜色均匀性,提升产品良率。为了解决上述技术问题,本专利技术提 ...
【技术保护点】
一种双面PERC太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)在硅片正面和背面形成绒面,所述硅片为P型硅;(2)在所述硅片正面进行扩散,形成N型发射极;(3)去除扩散过程形成的正面磷硅玻璃;(4)采用单面离心刻蚀设备对硅片背面和侧面进行刻蚀;(5)对硅片进行退火;(6)在硅片背面沉积三氧化二铝膜和氮化硅膜;(7)在硅片正面沉积氮化硅膜;(8)在所述硅片背面采用丝网印刷或喷墨方式印刷背银主栅电极;(9)在所述硅片背面采用丝网印刷或喷墨方式印刷铝栅线;(10)在所述硅片正面印刷正电极浆料;(11)对硅片进行高温烧结,形成背银电极和正银电极;(12)对电池进行抗LID退火。
【技术特征摘要】
1.一种双面PERC太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)在硅片正面和背面形成绒面,所述硅片为P型硅;(2)在所述硅片正面进行扩散,形成N型发射极;(3)去除扩散过程形成的正面磷硅玻璃;(4)采用单面离心刻蚀设备对硅片背面和侧面进行刻蚀;(5)对硅片进行退火;(6)在硅片背面沉积三氧化二铝膜和氮化硅膜;(7)在硅片正面沉积氮化硅膜;(8)在所述硅片背面采用丝网印刷或喷墨方式印刷背银主栅电极;(9)在所述硅片背面采用丝网印刷或喷墨方式印刷铝栅线;(10)在所述硅片正面印刷正电极浆料;(11)对硅片进行高温烧结,形成背银电极和正银电极;(12)对电池进行抗LID退火。2.如权利要求1所述双面PERC太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述步骤(4)包括:将硅片放置在单面离心刻蚀设备的旋转工作台上;打开抽真空装置,使硅片吸附固定在旋转工作台上;驱动旋转工作台使得硅片旋转,并向硅片喷洒刻蚀液,对硅片背面和侧面进行刻蚀。3.如权利要求2所述双面PERC太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述步骤(4)的单面离心刻蚀设备工作旋转速度为50-2000转/分钟。4.如权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员:方结彬,林纲正,赖俊文,秦崇德,何达能,陈刚,
申请(专利权)人:浙江爱旭太阳能科技有限公司,广东爱康太阳能科技有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江,33
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