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本申请公开了一种硅薄膜单面去除方法，包括：对硅片进行清洗和表面制绒；以面靠面的方式在所述硅片的背面沉积薄膜；在所述硅片的背面沉积保护层；将所述硅片的正面和绕镀的薄膜氧化，形成氧化层；利用酸腐蚀液刻蚀，去除所述氧化层和所述保护层。上述硅薄膜单...
该专利属于浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司授权不得商用。

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