一种存储器高压防耦合高压泄放电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种存储器高压防耦合高压泄放电路，包括相邻的非挥发存储器单元第一存储单元、第二存储单元、节点A以及节点B，所述节点A和节点B之间设有寄生电容Cg，节点A和节点B之间串联有附属电路，附属电路包括电阻串、电压比较器以及NMOS开关管，附属电路设有的电阻串分压给电压比较器，电压比较器控制NMOS开关管通断，节点B瞬间拉低到低电平，能够削弱Cg耦合的高电压，保护了右边存储单元不会被误写；本专利针对存储单元读写过程中因高压耦合而可能引起的相邻存储单元误操作的现象，采取必要的高压防耦合高压泄放措施，设计相应电路，达到防止临近存储单元误写入的目的。

A high voltage anti coupling high voltage discharge circuit for memory

The utility model discloses a memory high-pressure anti coupled high voltage discharge circuit, including adjacent non-volatile memory cell of the first memory unit, a storage unit, second node A and node B, parasitic capacitance Cg is arranged between the A node and B node, a subsidiary circuit series between the node A and node B, including the subsidiary circuit the resistance in series, voltage comparator and NMOS switch circuit is arranged on the attached resistance pressure to the voltage comparator, a voltage comparator control switch NMOS switch node B moment pulled to a low level, can weaken the high piezoelectric coupling of Cg, protect the right storage unit will not be mistaken; the patent for the storage unit read and write process of adjacent memory cells due to the high pressure coupling caused by the misoperation, take the necessary anti pressure coupling of high pressure discharge measures, design the corresponding circuit of To prevent the near memory unit from mistakenly writing.

【技术实现步骤摘要】
一种存储器高压防耦合高压泄放电路
本专利涉及存储硬件领域，具体涉及一种存储器高压防耦合高压泄放电路。
技术介绍
在非挥发存储器电路中，通过高压信号对存储器中的存储单元进行读写操作。当读写电路对某个存储单元读写时，不应该影响临近电路的读写状态，造成误操作而影响数据的正确性和可靠性。传统的非挥发存储器由于单元面积大，相邻的间距大，电压信号耦合并不严重，一般并不采取防耦合措施。然而随着存储单元的面积尺寸越来越小，单元之间的排列愈来愈紧凑，高压控制信号对临近单元的信号耦合愈来愈严重，对单元的误读写操作时常发生，不得不引起我们的重视。为了防止这种现象的出现，必须采取有效措施，在存储单元及其附属电路中增加防高压耦合电路，保证高压信号不会耦合或串扰到临近的存储单元中。
技术实现思路
本专利的目的在于克服现有技术中存在的上述问题，提供一种存储器高压防耦合高压泄放电路，防止在高密度非挥发存储器中，因相邻存储单元间的高电压耦合而造成数据的误写操作。为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本专利是通过以下技术方案实现：一种存储器高压防耦合高压泄放电路，包括相邻的非挥发存储器单元第一存储单元、第二存储单元、节点A本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器高压防耦合高压泄放电路，包括相邻的非挥发存储器单元第一存储单元、第二存储单元、节点A以及节点B，所述节点A和节点B之间设有寄生电容Cg，其特征在于：所述节点A和节点B之间串联有附属电路，所述附属电路包括电阻串、电压比较器以及NMOS开关管，附属电路设有的电阻串分压给电压比较器，所述电压比较器控制NMOS开关管通断，节点B瞬间拉低到低电平，能够削弱Cg耦合的高电压，保护了右边存储单元不会被误写入。

【技术特征摘要】
1.一种存储器高压防耦合高压泄放电路，包括相邻的非挥发存储器单元第一存储单元、第二存储单元、节点A以及节点B，所述节点A和节点B之间设有寄生电容Cg，其特征在于：所述节点A和节点B之间串联有附属电路，所述附属电路包括电阻串、电压比较器以及NMOS开关管，附属电路设有的电阻串分压给电压比较器，所述电压比较器控制NMOS开关管通断，节点B瞬间拉低到低电平，能够削弱Cg耦合的高电压，保护了右边存储单元不会被误写入。2.如权利要求1所述的一种存储器高压防耦合高压泄放电路，其特征在于：所述电压比较器输入端分别连接电阻串节点和参考电压端，形成电压比较电路，所述电压比较器的输出端和NMOS...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘吉平，朱金桥，唐伟，
申请(专利权)人：深圳市航顺芯片技术研发有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44