原子层生长装置制造方法及图纸

本发明专利技术的原子层生长装置具备安装到成膜容器开口部的喷射器和插入安装到开口部的喷射器防粘构件，在喷射器分隔设有喷射器原料气体供给路径、喷射器原料气体供给口、喷射器反应气体供给路径、喷射器反应气体供给口、喷射器惰性气体供给路径、喷射器惰性气体供给口，在喷射器防粘构件分隔设有防粘构件原料气体供给路径、防粘构件原料气体供给口、防粘构件反应气体供给路径、防粘构件反应气体供给口、防粘构件惰性气体供给路径、防粘构件惰性气体供给口，在喷射器防粘构件的外周侧和开口部的内周侧的间隙，设有防粘构件惰性气体供给路径，以使惰性气体流过。

Atomic layer growth device

The invention of the atomic layer growth device has the installation to the injector and insert mounted to the opening part of ejector anti sticking film component container opening, the injector with separate injector gas supply path of ejector, gas supply port, injector reaction gas supply path, injector, reaction gas supply port the injector of an inert gas supply path of ejector, inert gas supply port in the ejector anti sticking member is provided with an anti stick component separated gas supply path, anti sticking component raw material gas supply port, anti sticking component reaction gas supply path and anti sticking component reaction gas supply port, preventing supply of inert gas path, anti sticking component viscous component of an inert gas supply port, the gap in the anti sticking member injector peripheral side and an opening on the inner peripheral side, an anti sticking component supply inert gas path to Let the inert gas flow through.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】原子层生长装置
本专利技术涉及在基板上形成薄膜的原子层生长装置。
技术介绍
众所周知，原子层生长法是在基板上交互供给构成要形成的薄膜的元素的气体，在基板上以原子层单位形成薄膜，因此是使薄膜均匀地形成的技术。原子层生长法与一般的CVD(ChemicalVaporDeposition：化学气相沉积)法比较，阶差覆盖性、膜厚控制性更佳。若通过原子层生长法反复形成薄膜，则在成膜容器的内表面也附着薄膜。成膜容器内表面附着的薄膜的厚度若变厚，则堆积的薄膜剥离，其一部分形成颗粒，成为在基板上形成的薄膜的质量劣化的原因。因此，优选为定期地去除成膜容器的内表面附着的薄膜。作为成膜容器的清洁方法，有湿法蚀刻方法、气体蚀刻方法。湿法蚀刻方法中，例如，采用氟酸等液体，去除在成膜容器的内表面附着的薄膜。另一方面，气体蚀刻方法中，通过向成膜容器的内部供给蚀刻气体，去除在成膜容器的内表面附着的薄膜。另外，已知有在CVD成膜、溅射成膜中使用防粘板的装置(参照专利文献1)、通过用非晶质膜覆盖在腔室的内壁堆积的堆积物来抑制从堆积在腔室的内壁的堆积物产生气体的气相生长装置(参照专利文献2)。而且，提出了通过向在供给气体的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种原子层生长装置，其特征在于，具备：成膜容器；能够安装到所述成膜容器的开口部的喷射器；以及喷射器防粘构件，其能够以位于所述喷射器的靠所述成膜容器内侧的方式插入安装到所述开口部，在所述喷射器分隔开地设有：供给薄膜的原料即原料气体的喷射器原料气体供给路径；设于所述喷射器原料气体供给路径并流出所述原料气体的喷射器原料气体供给口；供给与所述原料气体反应而形成所述薄膜的反应气体的喷射器反应气体供给路径；设于所述喷射器反应气体供给路径并流出所述反应气体的喷射器反应气体供给口；用于惰性气体流过的喷射器惰性气体供给路径；设于所述喷射器惰性气体供给路径并流出所述惰性气体的喷射器惰性气体供给口，在所述喷射器防粘...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.05.26 JP 2015-1068551.一种原子层生长装置，其特征在于，具备：成膜容器；能够安装到所述成膜容器的开口部的喷射器；以及喷射器防粘构件，其能够以位于所述喷射器的靠所述成膜容器内侧的方式插入安装到所述开口部，在所述喷射器分隔开地设有：供给薄膜的原料即原料气体的喷射器原料气体供给路径；设于所述喷射器原料气体供给路径并流出所述原料气体的喷射器原料气体供给口；供给与所述原料气体反应而形成所述薄膜的反应气体的喷射器反应气体供给路径；设于所述喷射器反应气体供给路径并流出所述反应气体的喷射器反应气体供给口；用于惰性气体流过的喷射器惰性气体供给路径；设于所述喷射器惰性气体供给路径并流出所述惰性气体的喷射器惰性气体供给口，在所述喷射器防粘构件分隔开地设有：与所述喷射器原料气体供给口连接并供给所述原料气体的防粘构件原料气体供给路径；设于防粘构件原料气体供给路径并向所述成膜容器内流出所述原料气体的防粘构件原料气体供给口；与所述喷射器反应气体供给口连接并供给所述反应气体的防粘构件反应气体供给路径；设于所述防粘构件反应气体供给路径并向所述成膜容器内流出所述反应气体的防粘构件反应气体供给口；与所述喷射器惰性气体供给口连接并供给所述惰性气体的防粘构件惰性气体供给路径；设于所述防粘构件惰性气体供给路径并向所述成膜容器内流出所述惰性气体的防粘构件惰性气体供给口，在所述喷射器防粘构件的外周侧和所述开口部的内周侧之间的间隙设有所述防粘构件惰性气体供给路径，以使所述惰性气体流过。2.如权利要求1所述的原子层生长装置，其特征在于，所述喷射器与所述喷射器防粘构件在经由所述喷射器原料气体供给口连通所述喷射器原料气体供给路径与所述防粘构件原料气体供给路径的部件彼此之间、经由所述喷射器反应气体供给口连通所述喷射器反应气体供给路径与所述防粘构件反应气体供给路径的部件彼此之间，至少在分隔所述原料气体和所述反应气体的位置配置有密封构件。3.如权利要求2所述的原子层生长装置，其特征在于，所述喷射器前端与所述喷射器防粘构件前端对接配置，在所述喷射器防粘构件安装到所述成膜容器的状态下按压所述密封构件。4.如权利要求2或3所述的原子层...

【专利技术属性】
技术研发人员：松本龙弥，鹫尾圭亮，
申请(专利权)人：株式会社日本制钢所，
类型：发明
国别省市：日本,JP