半导体生产设备及其清洗方法技术

本发明专利技术提供一种半导体生产设备及其清洗方法，半导体生产设备的清洗方法包括如下步骤：将反应腔室内的温度自第一预设温度以预设的降温速率快速降温至第二预设温度，以使得沉积于反应腔室侧壁的薄膜在热应力的作用下裂解剥落；将反应腔室内的压强调整至于预设压强以下周期性震荡变化，并于上述压强条件下使用清洗气体对反应腔室进行清洗，以将剥落的薄膜颗粒自反应腔室内排出。本发明专利技术通过快速降温和腔室内的压强周期性震荡可以使得沉积于反应腔室侧壁的薄膜在热应力的作用下裂解剥落，在后续的清洗过程中将剥落的薄膜排出反应腔室，可以有效地降低微尘粉粒的产生，从而提高产品的良率，同时可以降低机台维护周期，降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
半导体生产设备及其清洗方法
本专利技术属于半导体制造
，特别是涉及一种半导体生产设备及其清洗方法。
技术介绍
在现有的半导体的生产制造工艺中，微尘粉粒(particle)已成为影响产品良率的重要因素。在现有的生产制造工艺中(譬如氮化硅工艺)，随着处理批次的增加，使得反应腔室侧壁上沉积的薄膜厚度会随之增加；又在生产制造工艺中，由于涉及到若干次的升温及降温过程，在热应力的作用下，沉积在所述反应腔室侧壁上的薄膜会裂解剥离而导致微尘粉粒的产生，这些微尘粉粒若掉落在芯片的表面，会在芯片的表面形成缺陷，从而影响产品的良率；以LPCVD(低压化学气相沉积)氮化硅反应腔室为例，沉积在反应腔室侧壁的薄膜裂解剥离产生的微尘粉粒若掉落在芯片的表面，会使得后续刻蚀制程发生失效而导致元件短路。譬如，在DRAM(动态随机存取存储器)的氮化硅工艺设备上，若位于衬底11表面的氮化硅层12的上表面掉落有所述微尘粉粒，所述微尘粉粒会在所述氮化硅层12的表面形成颗粒缺陷13(如图1所示)，而此时，若在所述氮化硅层12的上表面形成图形化光刻胶层14以进行布线时，位于所述颗粒缺陷13的的光刻胶会发生倾斜或倒塌(如图2所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体生产设备的清洗方法，所述半导体生产设备包括反应腔室，其特征在于，所述半导体生产设备的清洗方法包括如下步骤：将所述反应腔室内的温度自第一预设温度以预设的降温速率快速降温至第二预设温度，以使得沉积于所述反应腔室侧壁的薄膜在热应力的作用下裂解剥落；以及，快速降温的同时，将所述反应腔室内的压强调整至于预设压强以下周期性震荡变化，并于上述压强条件下使用清洗气体对所述反应腔室进行清洗，以将剥落的薄膜颗粒自所述反应腔室内排出。

【技术特征摘要】
1.一种半导体生产设备的清洗方法，所述半导体生产设备包括反应腔室，其特征在于，所述半导体生产设备的清洗方法包括如下步骤：将所述反应腔室内的温度自第一预设温度以预设的降温速率快速降温至第二预设温度，以使得沉积于所述反应腔室侧壁的薄膜在热应力的作用下裂解剥落；以及，快速降温的同时，将所述反应腔室内的压强调整至于预设压强以下周期性震荡变化，并于上述压强条件下使用清洗气体对所述反应腔室进行清洗，以将剥落的薄膜颗粒自所述反应腔室内排出。2.根据权利要求1所述的半导体生产设备的清洗方法，其特征在于，所述预设的降温速率大于10℃/分钟。3.根据权利要求1所述的半导体生产设备的清洗方法，其特征在于，所述第二预设温度为320℃～480℃，所述第一预设温度为720℃～880℃。4.根据权利要求1所述的半导体生产设备的清洗方法，其特征在于，所述预设压强为小于等于10毫托，所述反应腔室于预设压强以下周期性震荡变化的过程中，所述反应腔室内的压强震荡变化的周期数为2～32个周期；每个变化周期所需的时间为40秒～110秒。5.根据权利要求1至4任一项所述的半导体生产设备的清洗方法，其特征在于，所述清洗气体为氮气。6.一种半导体工艺方法，特征在于，所述半导体工艺方法包括如下步骤：1)进行一批次产品制程工艺，并于完成所述批次产品制程工艺之后，将所述反应腔室内的温度由反应温度降至待机温度，并将所述反应腔室内的压强恢复至标准大气压；2)使用如权利要求1所述的清洗方法对所述反应腔室内部进行清洗；3)清洗完毕后，将所述反应腔室内的温度升至待机温度，并将所述反应腔室内的压强恢复至标准大气压；以及，4)将所述反应腔室内的温度升至反应温度，并将所述反应腔室内抽至真空后，进行再一批次产品制程工艺。7.根据权利要求6所述的半导体工艺方法，其特征在于，步骤4)之后还包括重复步骤1)～步骤4)至少一次的步骤。8.一种半导体生产设备，其特征在于，所述半...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：睿力集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34