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本发明提供一种半导体生产设备及其清洗方法，半导体生产设备的清洗方法包括如下步骤：将反应腔室内的温度自第一预设温度以预设的降温速率快速降温至第二预设温度，以使得沉积于反应腔室侧壁的薄膜在热应力的作用下裂解剥落；将反应腔室内的压强调整至于预设压...
该专利属于睿力集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过睿力集成电路有限公司授权不得商用。

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