【技术实现步骤摘要】
金属构件其制造方法及具有金属构件的处理室
本专利技术涉及一种金属构件、其制造方法及具有金属构件的处理室,尤其涉及一种与使用在显示器或半导体制造制程的处理室的内部连通的金属构件、其制造方法及具有金属构件的处理室。
技术介绍
化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition,CVD)装置、物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition,PVD)装置、干式蚀刻装置等(以下,称为“处理室”)在其处理室的内部利用反应气体、蚀刻气体或清洗气体(以下,称为“处理气体”)。主要使用Cl、F或Br等腐蚀性气体作为这种处理气体,因此着重要求对腐蚀的耐蚀性。也曾有使用不锈钢作为用于处理室的金属构件的以往技术,但也存在如下情况:导热性不充分,在制程中释出作为不锈钢的合金成分的Cr或Ni等重金属而成为污染源。因此,开发出一种利用轻于不锈钢、导热性优异、无重金属污染的担忧的纯铝或铝合金的用于处理室的零件。然而,纯铝或铝合金的表面耐蚀性欠佳,因此研究出进行表面处理的方法。作为对纯铝或铝合金的母材进行阳极氧化处理而形成阳极氧化膜的方法,可考虑在纯铝的母材形成阳极氧化膜的 ...
【技术保护点】
一种金属构件,其设置到流入处理气体的处理室内、或与所述处理室的内部连通,其特征在于,包括:母材,包括含有添加成分的金属合金,通过从表面去除所述添加成分中的至少任一种添加成分而成;以及阳极氧化阻障层,形成在所述母材的所述表面上。
【技术特征摘要】
2016.07.12 KR 10-2016-00882201.一种金属构件,其设置到流入处理气体的处理室内、或与所述处理室的内部连通,其特征在于,包括:母材,包括含有添加成分的金属合金,通过从表面去除所述添加成分中的至少任一种添加成分而成;以及阳极氧化阻障层,形成在所述母材的所述表面上。2.根据权利要求1所述的金属构件,其特征在于,所述金属合金为铝合金,所述阳极氧化阻障层为将所述铝合金阳极氧化而形成的阳极氧化铝。3.根据权利要求2所述的金属构件,其特征在于,所述铝合金为6000系列的铝合金,从所述母材的所述表面去除的所述添加成分包括硅。4.根据权利要求2所述的金属构件,其特征在于,所述铝合金为5000系列的铝合金,从所述母材的所述表面去除的所述添加成分包括镁。5.根据权利要求1所述的金属构件,其特征在于,所述母材的所述表面包括形成为平面的平面区域与不规则地凹陷的多个凹陷区域,所述阳极氧化阻障层以固定厚度连续地形成在所述凹陷区域与所述平面区域中。6.根据权利要求1所述的金属构件,其特征在于,所述阳极氧化阻障层的厚度为100nm以上至小于1μm。7.一种金属构件,其设置在流入处理气体的处理室内、或与所述处理室的内部连通,其特征在于,包括:母材,由铝-镁-硅系铝合金所制成;以及表面-非多孔性阳极氧化膜,形成在所述母材的表面上;且硅被去除而不存在于所述母材的所述表面,在形成在所述母材的所述表面的凹陷区域也形成所述表面-非多孔性阳极氧化膜,所述表面-非多孔性阳极氧化膜以100nm以上至小于1μm的固定厚度形成。8.一种金属构件,其设置到流入处理气体的处理室内、或与所述处理室的内部连通,其特征在于,包括:母材,由铝-镁-硅系铝合金所制成;以及表面-非多孔性阳极氧化膜,形成在所述母材的表面上;且在能量分散光谱仪对所述金属构件的表面测得的测定成分中,未检测到硅成分。9.一种金属构件,其设置到流入处理气体的处理室内、或与所述处理室的内部连通,其特征在于,包括:铝合金的母材,所述铝合金含有0.40%至0.8%的硅、0.7%的铁、0.15%至0.40%的铜、0.15%的锰、0.8%至1.2%的镁、0.25%的锌、0.04%至0.35%的铬、0.15%的钛作为添加成分;以及表面-非多孔性阳极氧化膜,通过将从所述母材的表面去除所述添加成分中的硅而成的所述母材阳极氧化而形成。10.根据权利要求9所述的金属构件,其特征在于,所述表面-非多孔性阳极氧化膜的厚度为100nm以上至小于1μm。11.一种金属构件,其设置到流入处理气体的处理室内、或与所述处理室的内部连通,其特征在于,包括:母材,材质为含有硅、镁、硅及镁中的任一种添加成分作为主要添...
【专利技术属性】
技术研发人员:安范模,朴胜浩,
申请(专利权)人:ABM股份有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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