The invention discloses a metal component and a processing chamber with the metal component. More specifically, the invention relates to a metal component and a processing chamber equipped with the metal component by forming an anodic barrier layer without a hole in a manufacturing process for a display or semiconductor. On the surface of the metal component having its processing chamber, the metal component can prevent process defects and reduce the productivity of the display or semiconductor.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】金属构件、其制造方法及装备有上述金属构件的处理腔室
本专利技术大体上是有关于金属构件、其制造方法以及具有上述金属构件的处理腔室。更特定而言，本专利技术是有关于金属构件、其制造方法以及具有上述金属构件的处理腔室，其中金属构件构成用于显示器或半导体的制造工艺中的处理腔室的内表面，且安装为处理腔室的内构件。
技术介绍
大体而言，化学气相沉积CVD(ChemicalVapourDeposition)设备、物理气相沉积PVD(PhysicalVaporDeposition)设备以及干式蚀刻设备等(在下文中被称作「处理腔室」)在处理腔室内部使用反应气体、蚀刻气体或清洗气体(在下文中被称作「处理气体」)。由于诸如Cl、F或Br的腐蚀性气体主要用作此处理气体，因此耐腐蚀性是重要的。因此，已使用将不锈钢用作处理腔室的构件的现有技术，但其导热性并不充分，且诸如Cr以及Ni(其为不锈钢的合金成分)的重金属会在工艺期间释放并变成污染源。因此，已开发使用铝或铝合金的处理腔室构件，其比不锈钢轻、具有极好的导热性且并不产生重金属污染的问题。然而，铝或铝合金的表面缺乏耐腐蚀性。因此，已研究表面处...
【技术保护点】
1.一种金属构件，其特征在于，所述金属构件提供于处理气体流入的处理腔室中，所述金属构件包括：基底，由金属制成；以及表面纳米氧化薄膜，形成于所述基底的表面上，其中所述表面纳米氧化薄膜(SNO)是藉由阳极化所述基底而形成，且包含具有多孔层的第一阳极氧化薄膜以及形成于所述多孔层的孔中使得所述表面纳米氧化薄膜(SNO)的表面以及内部皆不具有孔的第二阳极氧化薄膜。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.31 KR 10-2016-00392571.一种金属构件，其特征在于，所述金属构件提供于处理气体流入的处理腔室中，所述金属构件包括：基底，由金属制成；以及表面纳米氧化薄膜，形成于所述基底的表面上，其中所述表面纳米氧化薄膜(SNO)是藉由阳极化所述基底而形成，且包含具有多孔层的第一阳极氧化薄膜以及形成于所述多孔层的孔中使得所述表面纳米氧化薄膜(SNO)的表面以及内部皆不具有孔的第二阳极氧化薄膜。2.如权利要求1所述的金属构件，其特征在于，所述基底由铝制成，且所述表面纳米氧化薄膜(SNO)为藉由阳极化所述铝形成的阳极氧化铝(Al2O3)。3.如权利要求1所述的金属构件，其特征在于，所述多孔层的所述孔的深度等于所述第二阳极氧化薄膜的厚度。4.如权利要求1所述的金属构件，其特征在于，所述处理腔室为CVD处理腔室，且所述金属构件包括所述CVD处理腔室的内表面或提供为所述CVD处理腔室的内构件。5.如权利要求4所述的金属构件，其特征在于，提供为所述内构件的所述金属构件为扩散器、背板、遮蔽框架以及基座中的至少一者。6.如权利要求1所述的金属构件，其特征在于，所述处理腔室为干式蚀刻处理腔室，且所述金属构件包括所述干式蚀刻处理腔室的内表面或提供为所述干式蚀刻处理腔室的内构件。7.如权利要求6所述的金属构件，其特征在于，提供为所述内构件的所...
【专利技术属性】
技术研发人员：安范模，朴胜浩，
申请(专利权)人：ABM股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR
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