原子层成长装置及原子层成长装置排气部制造方法及图纸

本发明专利技术的原子层成长装置具备：筒状的排气配管连接部，其安装在设置于成膜容器的排气用开口部的外侧，其外周面具有超过开口部的大小，其排气路径位于筒孔侧；以及筒状的排气防附着部件，其位于成膜容器内侧，插入并安装于开口部，其排气路径位于筒孔侧，排气配管连接部设置有：与排气路径分隔并且有惰性气体流通的连接部惰性气体供给路径；以及设置于连接部惰性气体供给路径并且惰性气体向开口部侧流出的连接部惰性气体供给口，排气防附着部件设置有：与排气路径分隔，由开口部内周面及开口部周围的成膜容器内壁与防附着部件之间的间隙形成，并与连接部惰性气体供给口连通的防附着部件惰性气体供给路径；以及设置于防附着部件惰性气体供给路径并且惰性气体向成膜容器内部流出的防附着部件惰性气体排出口。

The atomic layer growth device and the exhaust part of the atomic layer growth device

The invention of the atomic layer growth device comprises an exhaust pipe cylinder of the connecting parts of the lateral opening with its installation is provided in the film container exhaust, the outer peripheral surface is more than the size of the openings, the exhaust path in the cylinder and the exhaust hole side; the cylindrical anti attachment parts, which is located in the film the inside of the container, inserted and installed on the opening part of the exhaust path in the cylinder hole, an exhaust pipe connection part is arranged with a connecting part of the exhaust path separator and an inert gas supply path of inert gas flow; and arranged on the connecting part of the inert gas supply path and the inert gas to the opening side out of the connecting part of inertia the gas supply port, exhaust anti attachment member is provided with: separation and exhaust path, the gap between the inner peripheral surface around the opening and the opening part of the film the inner wall of the container and anti attachment parts An inert gas supply path connected to the inert gas supply port of the connecting part and an inert gas outlet arranged on the inert gas supply path of the anti adhesion component and the inert gas flowing into the film container inside the inert gas outlet.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】原子层成长装置及原子层成长装置排气部
本专利技术涉及在基板上形成薄膜的原子层成长装置。
技术介绍
原子层成长法是在基板上交替地供给构成要形成的薄膜的元素的气体并在基板上以原子层为单位形成薄膜的方法，公知作为均匀地形成薄膜的技术。原子层成长法与一般的CVD(ChemicalVaporDeposition：化学气相沉积)法相比，在台阶覆盖性和膜厚控制性方面优异。通过原子层成长法反复进行薄膜的形成时，成膜容器的内表面也附着薄膜。附着在成膜容器内表面的薄膜的厚度变厚时，堆积的薄膜剥离，其一部分成为颗粒，这将造成在基板上形成的薄膜的质量变差。因此，优选定期去除附着于成膜容器的内表面的薄膜。在专利文献1中，提出了在CVD成膜、溅射成膜等气相成长装置中使用防附着板，并进一步用非晶质膜覆盖堆积在腔室内壁的堆积物的处理方法及装置。而且，专利文献2中，提出了以下方法，即，在ALD(AtomicLayerDeposition：原子层沉积)真空成膜装置中构成为，从反应室排出的原料气体通过的排气箱在其内部插入防附着板，在排气箱的内壁面设置密封机构，该密封机构由中空的密封部件构成，并且被构成为，向该密封部件的内本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种原子层成长装置，其特征在于，具备：成膜容器；筒状的排气配管连接部，其安装在设置于所述成膜容器的排气用的开口部的外侧，其外周面具有超过所述开口部的大小，其排气路径位于筒孔侧；以及筒状的排气防附着部件，其位于所述成膜容器内侧，插入并安装于所述开口部，其排气路径位于筒孔侧，所述排气配管连接部设置有：与所述排气路径分隔并且流通惰性气体的连接部惰性气体供给路径；以及设置于所述连接部惰性气体供给路径并且所述惰性气体向所述开口部侧流出的连接部惰性气体供给口，所述排气防附着部件设置有：与所述排气路径分隔，由所述开口部内周面及所述开口部周围的所述成膜容器内壁与所述排气防附着部件之间的间隙形成，并与所述连接部...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.05.26 JP 2015-1068571.一种原子层成长装置，其特征在于，具备：成膜容器；筒状的排气配管连接部，其安装在设置于所述成膜容器的排气用的开口部的外侧，其外周面具有超过所述开口部的大小，其排气路径位于筒孔侧；以及筒状的排气防附着部件，其位于所述成膜容器内侧，插入并安装于所述开口部，其排气路径位于筒孔侧，所述排气配管连接部设置有：与所述排气路径分隔并且流通惰性气体的连接部惰性气体供给路径；以及设置于所述连接部惰性气体供给路径并且所述惰性气体向所述开口部侧流出的连接部惰性气体供给口，所述排气防附着部件设置有：与所述排气路径分隔，由所述开口部内周面及所述开口部周围的所述成膜容器内壁与所述排气防附着部件之间的间隙形成，并与所述连接部惰性气体供给口连通的防附着部件惰性气体供给路径；以及设置于所述防附着部件惰性气体供给路径并且所述惰性气体向所述成膜容器内部流出的防附着部件惰性气体排出口。2.根据权利要求1所述的原子层成长装置，其特征在于，所述防附着部件惰性气体排出口在所述排气防附着部件的整周上形成。3.根据权利要求1或2所述的原子层成长装置，其特征在于，所述开口部的内周面与插入所述开口部的所述排气防附着部件的外周面之间的间隙在0.01至5mm的范围内。4.根据权利要求1至3中任一项所述的原子层成长装置，其特征在于，所述开口部周围的所述成膜容器内壁和所述排气防附着部件之间的间隙为10mm以下。5.根据权利要求1至4中任一项所述的原子层成长装置，其特征在于，在所述排气路径的外周侧沿着排气气体的流动方向设置有一个或多个所述连接部惰性气体供给路径。6.根据权利要求1至5中任一项所述的原子层成长装置，其特征在于，所述排气防附着部件具有插入所述排气配管连接部的筒孔内、沿着所述筒孔延伸的防附着排气配管，该防附着排气配管与所述排气防附着部件的筒孔连通，所述筒孔和所述防附着排气配管的管孔在长度方向上构成了所述排气路径的至少一部分。7.根据权利要求6所述的原子层成长装置，其特征在于，在所述防附着排气配管和所述排气配管连接部的筒孔之间具有直...

【专利技术属性】
技术研发人员：松本龙弥，鹫尾圭亮，
申请(专利权)人：株式会社日本制钢所，
类型：发明
国别省市：日本,JP