存储器件及其操作方法技术

一种存储器件可以包括：单元阵列，所述单元阵列包括主区域和相邻区域，多个主存储单元设置在主区域中，且多个相邻存储单元设置在相邻区域中；控制电路，所述控制电路适用于控制单元阵列的行操作和列操作；以及相邻区域控制器，所述相邻区域控制器适用于控制相邻存储单元，使得相邻存储单元在与主存储单元不同的条件下来操作。

Memory parts and their operation methods

A memory device may include an array of cells, the cell array includes a main region and adjacent regions, a plurality of main storage unit is arranged in the main area, and a plurality of adjacent memory cells arranged in adjacent areas; the control circuit, the control circuit for the control unit of the array is operated in column and row; and the adjacent area of the adjacent area controller, controller for controlling adjacent memory cells, the adjacent storage unit in the main storage unit with different operating conditions.

【技术实现步骤摘要】
存储器件及其操作方法相关申请的交叉引用本专利申请要求2016年7月12日在韩国知识产权局(KIPO)提交的申请号为10-2016-0088089的韩国专利申请的优先权，其公开内容通过整体引用并入本文。
本专利技术的实施例涉及一种存储器件及其操作方法。
技术介绍
诸如动态随机存取存储器(DRAM)的半导体存储器件的存储单元包括用作开关的晶体管和用于储存电荷(数据)的电容器。根据存储单元中是否储存电荷(即，电容器的端电压是高还是低)，储存在存储单元中的数据可以是高逻辑(1)或低逻辑(0)。储存数据需要维持电容器中的电荷。然而，由于由MOS晶体管的PN结引起的泄漏电流，因此储存在电容器中的初始电荷可能随时间劣化并且最终消失。因此，数据可能丢失。为了防止这种数据丢失，在数据丢失之前读取储存在存储单元中的数据，并且根据读取的信息对存储单元再充电。这种操作通常被周期性地重复以保留数据，并且被称为刷新操作。通常，每当刷新命令从存储器控制器被输入到存储器时执行刷新操作。考虑到存储器的数据保留时间，存储器控制器以预定时间间隔将刷新命令输入到存储器。例如，当存储器的数据保留时间为64ms并且只有在刷新命本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器件，包括：单元阵列，所述单元阵列包括主区域和相邻区域，多个主存储单元设置在所述主区域中，且多个相邻存储单元设置在所述相邻区域中；控制电路，所述控制电路适用于控制所述单元阵列的行操作和列操作；以及相邻区域控制器，所述相邻区域控制器适用于控制所述多个相邻存储单元，使得所述多个相邻存储单元在与所述多个主存储单元不同的条件下来操作。

【技术特征摘要】
2016.07.12 KR 10-2016-00880891.一种存储器件，包括：单元阵列，所述单元阵列包括主区域和相邻区域，多个主存储单元设置在所述主区域中，且多个相邻存储单元设置在所述相邻区域中；控制电路，所述控制电路适用于控制所述单元阵列的行操作和列操作；以及相邻区域控制器，所述相邻区域控制器适用于控制所述多个相邻存储单元，使得所述多个相邻存储单元在与所述多个主存储单元不同的条件下来操作。2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述多个相邻存储单元与所述控制电路相邻设置，并且所述相邻区域控制器储存所述多个相邻存储单元的地址。3.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述相邻区域控制器控制所述多个相邻存储单元，使得所述多个相邻存储单元以比所述多个主存储单元更高的频率来刷新。4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述相邻区域控制器控制所述多个相邻存储单元，使得所述多个相邻存储单元在比所述多个主存储单元更晚的时间点处开始被感测。5.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述相邻区域控制器控制所述多个相邻存储单元，使得所述多个相邻存储单元的写入操作在比所述多个主存储单元的写入操作更早的时间点处开始或者执行更长的时间。6.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述单元阵列包括：多个字线；以及多个位线。7.根据权利要求6所述的存储器件，其中，所述相邻区域控制器控制所述多个字线之中布置在与所述控制电路相邻的区域中的一个或更多个字线，使得在刷新操作期间，所述一个或更多个字线被驱动到比主区域字线更高的电压。8.根据权利要求6所述的存储器件，其中，所述相邻区域控制器控制所述多个字线之中布置在与所述控制电路相邻的区域中的一个或更多个字线，使得在刷新操作期间所述一个或更多个字线在比主区域字线更早的时间点处开始被驱动。9.一种存储器件，包括：单元阵列，所述单元阵列包括以矩阵形状布置的多个子单元阵列；控制电路，所述控制电路适用于控制所述单元阵列的行操作和列操作；以及相邻区域控制器，所述相邻区域控制器适用于控制所述多个子单元阵列之中布置在与所述控制电路相邻的区域中的子单元阵列中所包括的存储单元的全部或部分，使得所述存储单元的全部或部分在与包括在其它子单元阵列中的存储单元不同的条件下来操作。10.根据权利要求9所述的存储器件，其中，所述多个子单元阵列中的每个子单元阵列包括：多个子字线；以及多个位线。11.根据权利要求10所述的存储器件，其中，所述控制电路包括：行控制单元，所述行控制单元适用于控制所述单元阵列的行操作；以及列控制单元，所述列控制单元适用于控制所述单元阵列的列操作。12.根据权利要求11所述的存储器件，其中，所述相邻区域控制器控制所述多个子单元阵列之中与所述控制电路相邻的一个或更多...

【专利技术属性】
技术研发人员：元炯植，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR