用于刷新储存元件的系统和方法技术方案

技术编号:16708309 阅读:27 留言:0更新日期:2017-12-02 23:40
在存储设备上执行刷新操作的方法包括识别耦合到弱存储元件的字线。该方法还包括将具有不同组偏移的多个字线分组到单个刷新地址上。多个字线中的每一个耦合到对应的弱存储元件。该方法还包括执行对单个刷新地址的刷新。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于刷新储存元件的系统和方法优先权要求本申请要求享有于2015年3月17日提交的共有美国非临时专利申请No.14/660,366的优先权,其内容通过引用整体明确地并入本文。
本公开通常涉及刷新存储元件。
技术介绍
技术进步已经导致更小且更强大的计算设备。例如,目前存在各种便携式个人计算设备,包括诸如便携式无线电话、个人数字助理(PDA)和寻呼设备之类的无线计算设备,它们小型、重量轻且易于用户携带。更具体地,诸如蜂窝电话和互联网协议(IP)电话之类的便携式无线通信设备可以通过无线网络传送语音和数据分组。此外,许多这样的无线通信设备包括并入其中的其他类型的设备。例如,无线通信设备还可以包括数字静态照相机、数字摄像机、数字记录器和音频文件播放器。此外,这样的无线通信设备可以处理可执行指令,包括可以用于访问互联网的软件应用,例如web浏览器应用。这样,这些无线通信设备可以包括显著的计算能力。无线通信设备可以包括易失性存储器设备,其具有周期性刷新以保持数据完整性的存储元件(例如,存储器单元)。例如,一些存储元件的保留时间可能低于阈值保留时间(例如,32毫秒)。已经提出了各种方法以在低保留时间的存在下维持数据完整性。在第一种方法中,可以增加刷新命令的频率,从而在最坏情况的保留时间内刷新存储器单元。最坏情况的保留时间可以对应于多个存储器单元中的具有最低保留时间的特定存储器单元的保留时间。在这种方法中,在特定时间段内发布的刷新命令的数目可以加倍或更多,从而许多存储器单元被刷新得比所需更的更频繁。在第二种方法中,可以为具有低保留时间的每个存储器单元发出额外的刷新命令。在该方法中,在特定时间段期间发布的刷新命令的数目可以增加具有低保留时间的存储器单元的数目。在这两种方法中,响应于刷新命令,取回单行存储器单元的地址,并刷新该单行存储器单元中的每个单元。
技术实现思路
公开了刷新存储元件的系统和方法。设备可以包括具有多个存储器组的存储器阵列。多个存储器组可以包括多行存储元件(例如,存储器单元)。每行存储元件可以耦合到特定字线。该设备还可以包括耦合到存储器阵列的刷新电路(例如,外围电路、存储器控制器或两者)。存储器阵列可以包括一个或多个“弱存储元件”,其具有低于阈值保留时间的数据保留时间。可以在存储器阵列或设备的制造过程的测试阶段期间识别弱存储元件。标识与存储器阵列的“弱行”存储元件耦合的字线的信息(例如,地址)可以存储在存储设备(例如,一次性可编程(OTP)存储器)中。弱行可以包括至少一个弱存储元件。刷新电路可以耦合到OTP存储器。具有不同组偏移的多个字线中的每一个可以耦合到对应的弱存储元件。例如,存储器阵列的第一存储器组的第一字线可以具有第一组偏移,并且存储器阵列的第二存储器组的第二字线可以具有第二存储器组组偏移。第一字线可以耦合到第一行存储元件。第一行存储元件可以包括至少一个弱存储元件。第二字线可以耦合到第二行存储元件。第二行存储元件可以包括至少一个弱存储元件。刷新电路可以将第一字线和第二字线分组到单个刷新地址上。例如,刷新电路可以通过将单个刷新地址映射到第一字线的第一字线地址以及第二字线的第二字线地址,来对第一字线和第二字线进行分组。为了说明,刷新电路可以基于存储在OTP存储器中的数据将单个刷新地址映射到第一字线地址和第二字线地址。刷新电路可以执行对单个刷新地址的刷新。例如,单个刷新地址可以映射到耦合到存储元件行的字线的字线地址。刷新电路可以通过执行对应行的存储元件的刷新来执行对单个刷新地址的刷新。例如,刷新电路可以执行对第一行存储元件和第二行存储元件的刷新。刷新电路可以通过以下方式来执行刷新:从第一行存储元件读取第一数据,将第一数据写入第一行存储元件,从第二行存储元件读取第二数据,并将第二数据写入第二行存储元件。在特定方面,在存储设备上执行刷新操作的方法包括识别耦合到弱存储元件的字线。该方法还包括将具有不同组偏移的多个字线分组到单个刷新地址上。多个字线中的每一个耦合到对应的弱存储元件。例如,多个字线可以是所识别出的字线的子集。该方法还包括执行对单个刷新地址的刷新。在另一方面,一种设备包括存储器阵列和存储设备。该设备还包括刷新电路。存储器阵列包括多行存储元件。每行耦合到特定的字线。存储设备被配置为存储标识耦合到弱存储元件的字线的信息。刷新电路被配置为将具有不同组偏移的多个字线分组到单个刷新地址上。多个字线中的每一个耦合到对应的弱存储元件。例如,多个字线可以是所识别出的字线的子集。刷新电路还被配置为执行对单个刷新地址的刷新。例如,刷新电路可以基于存储在存储设备中的信息将单个刷新地址映射到多个字线地址。多个字线地址可以标识多个字线。多个字线可以耦合到存储元件行。刷新电路可以通过执行对应行的存储元件的刷新来执行对单个刷新地址的刷新。刷新电路可以通过以下方式来刷新存储元件的每一行:从该行存储元件读取数据并将数据写入该行存储元件。在另一方面,一种系统包括存储器阵列和存储设备。该系统还包括刷新电路。存储器阵列包括多行存储元件。每行耦合到特定的字线。存储设备被配置为存储标识耦合到弱存储元件的字线的信息。刷新电路被配置为将具有不同组偏移的多个字线分组到单个刷新地址上。多个字线中的每一个耦合到对应的弱存储元件。刷新电路还被配置为执行对单个刷新地址的刷新。由所公开的示例中的至少一个提供的一个特别的优点是可以使用单个刷新地址来刷新对应于不同组偏移的多个弱行。例如,刷新地址可以映射到耦合到弱行的字线的字线地址。可以响应于接收到(或生成)刷新命令来确定刷新地址。在该示例中,响应于单个刷新命令,可以基于刷新地址来刷新具有不同组偏移的多个弱行。本公开的其他方面、优点和特征将在查看整个申请之后变得显而易见,所述整个申请包括以下部分:附图说明、具体实施方式和权利要求书。附图说明图1是可操作以刷新存储元件的系统的特定说明性示例的框图;图2A是刷新调度的特定示例的图;图2B是对应于刷新调度的刷新命令的特定示例的定时图;图3是可操作以刷新存储元件的系统的特定示例的图;图4是刷新命令的特定示例的定时图;图5是可操作以刷新存储元件的系统的特定示例的图;图6是可操作以刷新存储元件的系统的特定示例的图;图7是刷新存储元件的方法的特定说明性示例的流程图;以及图8是可操作以刷新存储元件的设备的框图。具体实施方式参考图1,公开了可操作以刷新存储元件的系统的特定说明性示例,并且一般被标示为100。在特定方面,系统100的一个或多个部件可以集成到通信设备、个人数字助理(PDA)、平板计算机、计算机、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备或机顶盒中。应当注意,在下面的描述中,由图1的系统100执行的各种功能被描述为由特定部件或模块执行。然而,部件和模块的这种划分仅用于说明。在替代示例中,由特定部件或模块执行的功能可以在多个部件或模块中被划分。此外,在替代示例中,图1的两个或更多个部件或模块可以集成到单个部件或模块中。图1所示的每个部件或模块可以使用硬件(例如,现场可编程门阵列(FPGA)设备、专用集成电路(ASIC)、数字信号处理器(DSP)、控制器等)、软件(例如,处理器可执行的指令)或其任何组合来实现。系统100包括具有多个存储器组(例如,第一存储器组180和本文档来自技高网
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用于刷新储存元件的系统和方法

【技术保护点】
一种对存储设备执行刷新操作的方法,包括:识别耦合到弱存储元件的字线;将具有不同组偏移的多个字线分组到单个刷新地址上,所述多个字线中的每个字线耦合到对应的弱存储元件;以及执行对所述单个刷新地址的刷新。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.17 US 14/660,3661.一种对存储设备执行刷新操作的方法,包括:识别耦合到弱存储元件的字线;将具有不同组偏移的多个字线分组到单个刷新地址上,所述多个字线中的每个字线耦合到对应的弱存储元件;以及执行对所述单个刷新地址的刷新。2.根据权利要求1所述的方法,其中所述存储设备包括将特定刷新地址映射到一组字线地址的数据。3.根据权利要求1所述的方法,其中将所述多个字线分组到所述单个刷新地址上包括:将所述单个刷新地址映射到所述多个字线的多个字线地址。4.根据权利要求3所述的方法,其中所述单个刷新地址基于存储于一次性可编程存储器中的数据而被映射到所述多个字线地址。5.根据权利要求1所述的方法,其中所述多个字线中的每个字线比未耦合到弱存储元件的第二字线更频繁地被刷新。6.根据权利要求5所述的方法,其中所述单个刷新地址的第一刷新率基本上是所述第二字线的第二刷新地址的第二刷新率的两倍。7.根据权利要求5所述的方法,其中所述多个字线根据第一刷新调度被刷新,所述第一刷新调度独立于用于刷新所述第二字线的第二刷新调度。8.根据权利要求1所述的方法,其中对所述多个字线中的每个字线的连续刷新之间的持续时间是相同的。9.根据权利要求1所述的方法,还包括:基于计数器确定所述单个刷新地址;以及在确定所述单个刷新地址之后更新所述计数器。10.根据权利要求1所述的方法,其中所述弱存储元件中的每个弱存储元件具有小于阈值保留时间的数据保留时间。11.一种设备,包括:存储器阵列,其包括多行存储元件,每行耦合到特定字线;存储设备,其被配置为存储标识耦合到弱存储元件的字线的信息;以及刷新电路,其被配置为:将具有不同组偏移的多个字线分组到单个刷新地址上,所述多个字线中的每个字线耦合到对应的弱存储元件;以及执行对所述单个刷新地址的刷新。12.根据权利要求11所述的设备,其中所述刷新电路被配置为通过将所述单个刷新地址映射到所述多个字线的多个字线地址,来对所述多个字线进行分组,并且其中标识所述字线的所述信息将特定刷新地址映射到一组字线地址。13.根据权利要求11所述的设备,其中所述多个字线包括所述存储器阵列的第一存储器组的第一字线和所述存储器阵列的第二存储器组的第二字线。14.根据权利要求11所述的设备,其中所述存储设备包括一次性可编程存储器,其被配置为存储将所述单个刷新地址映射到所述多个字线的多个字线地址的数据。15.根据权利要求11所述的设备,其中所述刷新电路还被配置为:将所述多个字线中的第一字线的第一字线地址加载到行地址缓冲器,以及通过激活第一行选通来锁存所述第一字线地址,其中对所述单个刷新地址的所述刷新通过以下操作被执行:激活所述第一字线,以及当第一字线被激活时,读取第一行存储元件的第一数据,并将所述第一数据写入所述第一行存储元件,并且其中所述第一行存储元件对应于所述第一字线。16.根据权利要求15所述的设备,其中所述刷新电路还被配置为:响应于接收到刷新命令来执行所述刷新,其中在接收到所述刷新命令之前所述第一字线地址被锁存。17.根据权利要求15所述的设备,其中所述刷新电路还被配置为:将所述多个字线的第二字线的第二字线地址加载到所述行地址缓冲器,以及通过激活第二行选通来锁存所述第二字线地址,其中对所述单个刷新地址的所述刷新通过以下操作被执行:在将所述第一数据写入所述第一行存储元件之后,激活所述第二字线,以及当...

【专利技术属性】
技术研发人员:M·塞弗丁金俊培
申请(专利权)人:高通股份有限公司
类型:发明
国别省市:美国,US

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