行锤击刷新命令制造技术

行锤击刷新命令。存储器控制器发布目标刷新命令。存储器设备的特定行可以是重复访问的目标。当行在时间阈值内被重复访问时（也称为“锤击”或“行锤击事件”），物理邻近行（“受害”行）可能经历数据恶化。存储器控制器接收行锤击事件的指示，标识与行锤击事件相关联的行，并且向存储器设备发送一个或多个命令以使得存储器设备执行将刷新受害行的目标刷新。

Hammer refresh command

Hammer refresh command. The memory controller releases the target refresh command. A specific row of a memory device can be a repeated access target. What is a repeat visit in time when the threshold (also known as the \hammer\ or \hammer event\), physical proximity line (\injured\ line) may experience a deterioration of data. The memory controller receives for hammer event instructions for identification and hammer events associated with the line, and sent to the memory device of one or more commands to the memory device for the target execution will refresh the victim refresh.

【技术实现步骤摘要】
行锤击刷新命令
本专利技术的实施例一般地涉及存储器管理，并且更具体地涉及响应于行锤击（rowhammer）事件而发送刷新命令。版权通告/许可本专利文档的公开的部分可以包含经受版权保护的材料。版权所有人对本专利文档或专利公开中任一个如其出现在专利与商标局专利文件或记录中的那样的再现没有异议，但是以其它方式保留无论任何的所有版权权利。版权通告适用于如以下和于此的附图中描述的所有数据，以及应用于以下描述的任何软件：版权©2012，IntelCorporation（英特尔公司），版权所有。
技术介绍
随着计算技术中的发展，计算设备更小并且具有多得多的处理能力。此外，它们包括越来越多的存储装置和存储器来满足在设备上所执行的编程和计算的需要。设备收缩的大小连同增加的存储容量通过提供更高密度的设备来达成，其中存储器设备内的原子存储单元具有越来越小的几何结构。在增加密度的最新一代的情况下，已经在一些设备中出现了间歇失效。例如，一些现有的基于DDR3的系统在沉重工作负荷的情况下经历间歇失效。研究者已经追踪失效到在存储器单元的刷新窗口内对存储器的单个行的重复访问。例如，对于32nm过程，如果行在64ms刷新窗口中被访问550K次或更多，则对于所访问的行的物理邻近的字线具有经历数据恶化的非常高的可能性。行锤击可以引起跨通过闸（passgate）的迁移。由对一行的重复访问引起的漏电流和寄生电流引起在非所访问的物理邻近行中的数据恶化。失效问题已经被其最常被见于其中的DRAM行业标记为“行锤击”或“1行干扰”问题。所标识的应对归因于行锤击的失效的一种方法是限制每个刷新周期每行所允许的访问数目，这在系统中具有性能影响。所标识的解决行锤击失效的另一方法包括减小埋沟阵列晶体管（BCAT）中的底部临界尺寸（BCD），和/或增加沟道长度以改善漏极感应势垒降低（DIBL）。然而，改变设备的尺寸大小具有物理和实际二者的限制。到某些尺寸现在可以改变的程度，将仍需要对制造过程的改变。而且，它使如何解决下一代产品中的问题这一难题尚无定论。应对行锤击问题的另一方法是减小刷新之间的时间。然而，刷新时间甚至在设备的密度已经增加时也已经保持恒定。当前设备被要求在相同的时间段内在越来越大的区域上执行刷新。因此，进一步减小刷新时间将会引起系统中的性能影响，诸如通过需要存储器设备中的附加刷新开销。附图说明以下描述包括具有作为本专利技术的实施例的实现示例而给出的说明的各图的讨论。附图应当作为示例而并非作为限制地被理解。如本文所使用的，对一个或多个“实施例”的参考要被理解为描述了被包括在本专利技术的至少一个实现中的特定特征、结构或特性。因此，出现在本文中的诸如“在一个实施例中”或“在可替换实施例中”之类的短语描述本专利技术的各种实施例和实现，并且不必都是指相同实施例。然而，它们也不必相互排斥。图1是提供目标刷新命令的系统的实施例的框图。图2A是提供用于存储器阵列的受害行的目标刷新的系统的实施例的框图。图2B是提供用于存储器阵列的受害行的目标刷新的系统的实施例的框图，其中受害行在不同于过度访问的目标的区中。图3是使用N个引脚来指示目标刷新命令的地址的系统的实施例的框图。图4是支持目标刷新命令的命令真值表的实施例。图5是图示了用于目标刷新命令的时序的信令的实施例的时序图。图6是用于存储器设备的受害行的目标刷新的过程的实施例的流程图。图7是其中可以实现目标刷新的计算系统的实施例的框图。图8是其中可以实现目标刷新的移动设备的实施例的框图。以下的某些细节和实现的描述，包括各图的描述，其可以描绘下文描述的实施例中的一些或全部，以及讨论本文所呈现的专利技术概念的其它潜在实施例或实现。具体实施方式如本文所描述的，存储器控制器向存储器设备发送目标刷新命令以解决行锤击状况或行锤击事件。当存储器设备的特定行在某个时间窗口内被重复访问时，物理邻近行可能经历数据恶化。时间窗口内的重复访问在本文中被称为行锤击事件或行锤击状况。物理邻近行是行锤击事件的受害行。如本文所描述的，存储器控制器接收行锤击事件的指示，其中特定行在时间窗口内被访问多于阈值次数。存储器控制器标识与行锤击事件相关联的行，并且向存储器设备发送一个或多个命令以使得存储器设备执行目标刷新，其将刷新一个或多个受害行。对于当前DRAM（动态随机存取存储器）而言，行在64ms窗口（例如刷新窗口）内可以被访问的理论最大次数是1.35百万次（64ms刷新窗口除以47ns访问时间）。在没有数据恶化风险的情况下受害行中的实际最大值低得多，并且取决于所使用的过程技术。然而，通过检测行锤击事件并且发送目标刷新命令，数据恶化的风险可以降低而不约束对存储器的特定行的访问。本文提供的示例主要讨论关于DRAM的行锤击问题。然而，将理解到，行锤击问题更一般地是存储器设备缩放问题，其随存储器密度增加而发生。因此，关于DRAM的描述将被理解为非限制性示例，其可以应用于包括存储器控制器或等同逻辑的其它存储器技术。本文所描述的目标刷新命令与许多存储器技术中的任何一个兼容，诸如DDR4（双数据速率版本4，在本申请的提交时在发展中的规范）、LPDDR4（低功率双数据速率版本4，在本申请的提交时在发展中的规范）或者WIDEIO（在本申请的提交时在发展中的规范）。在存储器设备中，物理邻近的行可以通常从一个制造商到另一个而不同地被逻辑标记。典型地，制造商通过物理地址偏移而在逻辑上映射存储器的邻近行，并且偏移在不同制造商当中可以不同。存储器设备自身被配置成确定如何将访问请求映射到物理存储器资源。存储器控制器一般被设计成与许多不同类型的存储器设备兼容，并且因此它们一般并不关于任何特定制造商的设备而被特别地设计。因此，存储器控制器传统上不具有用以指示什么行在物理上邻近的逻辑或信息。在一个实施例中，存储器控制器发送对什么行正在被访问请求锤击进行指示的信息，连同发送目标刷新命令以使存储器设备刷新一个或多个正确的受害行。因此，存储器控制器不需要直接指示要刷新的（多个）行，而是替代地仅仅标识正被锤击的行。存储器设备自身可以基于存储器设备所使用的存储器布局来计算哪一个或多个受害行将被行锤击事件影响。在典型的刷新场景中，存储器设备自身追踪什么需要在何时被刷新。存储器设备通过打开行并且然后关闭要刷新的（多个）行来刷新（多个）受害行。将理解到，为了存储器控制器指示所锤击的行的地址以使存储器设备刷新所锤击行的（多个）受害行，需要某个数目的位（bit）来标识特定地址。在一个实施例中，存储器控制器标识特定地址。在另一实施例中，存储器控制器标识比特定行更大的区域。因此，存储器控制器可以标识特定块、特定行或区域，这取决于所选配置。标识非常特定的地址的成本是所需位的数目。更一般地标识地址的成本在于存储器设备需要刷新较大区域，使得存储器设备在较长刷新时间内不可用。在一个实施例中，存储器控制器通过向存储器设备发送地址信息来指示地址信息。在一个实施例中，一个或多个附加引脚或线可以被添加在存储器控制器和存储器设备之间，将地址信息嵌入到现有命令中以标识地址信息。因此，目标刷新命令可以是经修改的现有命令和/或结合使用一个或多个附加引脚或线的经修改的现有命令。在一个实施例中，目标刷新命令包括多次（例如三次）发送命令和地址。在一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于刷新存储器设备的装置，包括：模式寄存器，用以存储一个或多个位以控制存储器设备进入目标刷新模式；多行的存储器；以及耦合到存储器控制器的接口电路，所述接口电路用以接收模式寄存器命令以响应于在时间段内多行的目标行的激活的数量满足或超过阈值来触发进入目标刷新模式，并且用以在目标刷新模式中接收一个或多个命令来引起物理接近于目标行的仅有限数量的受害行的刷新。

【技术特征摘要】
2012.06.30 US 13/5394151.一种用于刷新存储器设备的装置，包括：模式寄存器，用以存储一个或多个位以控制存储器设备进入目标刷新模式；多行的存储器；以及耦合到存储器控制器的接口电路，所述接口电路用以接收模式寄存器命令以响应于在时间段内多行的目标行的激活的数量满足或超过阈值来触发进入目标刷新模式，并且用以在目标刷新模式中接收一个或多个命令来引起物理接近于目标行的仅有限数量的受害行的刷新。2.根据权利要求1所述的装置，其中时间段包括刷新窗口。3.根据权利要求1所述的装置，其中接口接收一个或多个命令还包括接收激活命令，随后是预充电命令。4.根据权利要求1所述的装置，其中接口电路接收一个或多个命令还包括从存储器控制器接收目标行地址与目标体群组和目标体地址。5.根据权利要求4所述的装置，还包括存储器设备中的逻辑，用以标识与目标行地址相关联的受害行或区。6.根据权利要求4所述的装置，还包括存储器设备中的逻辑，用以基于目标行的逻辑地址来标识一个或多个受害行的物理地址。7.根据权利要求1所述的装置，其中受害行包括物理邻近于目标行的行。8.根据权利要求1所述的装置，其中存储器设备包括符合双数据速率版本（DDR）标准或符合宽输入/输出（WIO）存储器标准的动态随机存取存储器（DRAM）设备。9.根据权利要求1所述的装置，还包括存储器设备中的检测器逻辑，用以确定在时间段内目标行的激活的数量满足或超过阈值。10.根据权利要求9所述的装置，其中检测器逻辑用以确定目标行的时间段内的激活的数量的计数并且指示所述计数何时满足或超过阈值。11.根据权利要求1所述的装置，其中接口电路响应于激活的数量来接收模式寄存器命令包括从存储器控制器接收模式寄存器命令，这是存储器控制器响应于存储器控制器的检测器对激活的数量满足或超过阈值的检测而发布的。12.一种用于刷新存储器设备的系统，包括：存储器设备，包括目标行和物理接近于目标行的受害行；检测器逻辑，用以确定在时间段内目标行的激活的数量满足或超过阈值；以及存储器控制器，用以至少部分地基于在时间段内激活的数量满足或超过阈值的确定来使得存储器设备进入目标刷新模式并且引起物理接近于目标行的仅有限数量的行的目标刷新模式中的刷新。13.根据权利要求12所述的系统，其中时间段包括刷新窗口。14.根据权利要求12所述的系统，其中发送一个或多个命令以使得存储器设备进入目标刷新模式包括存储器控制器发送模式寄存器设置命令来设置存储器设备的模式寄存器。15.根据权利要求12所述的系统，其中发送一个或多个命令以引起受害行的刷新包括存储器控...

【专利技术属性】
技术研发人员：K拜因斯，JB哈尔伯特，CP莫扎克，TZ舍恩博恩，Z格林菲尔德，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US