半导体存储器件的操作方法技术

一种操作半导体存储器件的方法，该方法包括：接收刷新命令；检测半导体存储器件内部的温度；响应于刷新命令和检测到的温度来生成刷新地址，所述刷新地址对应于在一个刷新周期期间刷新的半导体存储器件的存储单元；以及根据刷新地址执行刷新操作，其中，在每个刷新操作中刷新的存储单元的数量是可变的。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储器件的操作方法本申请是申请日为2013年5月17日、申请号为201310184668.1、专利技术名称为“半导体存储器件及其操作方法、存储器系统”的专利技术专利申请的分案申请。对相关申请的交叉引用本申请要求2012年5月17日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2012-0052593的优先权，通过引用将其全部内容并入于此。
各个示例实施例涉及一种半导体存储器件，并且更具体地涉及一种控制刷新周期的半导体存储器件、存储器系统、以及一种操作半导体存储器件的方法。
技术介绍
广泛用于高性能电子系统中的半导体器件的容量和速度持续增加。动态随机存取存储器(DRAM)(即，半导体器件的示例)是易失性存储器，其中通过电容器中存储的电荷来表示数据。由于电容器中存储的电荷随着时间泄漏，因此DRAM存储单元具有有限数据保持特性。周期性地执行刷新操作以便维持在DRAM的存储单元中存储的数据。通常基于设计规范来确定刷新周期的定时，其中对于所有存储单元应用具有统一值的刷新周期。然而，由于工艺技术的难度级别根据连续DRAM工艺规模而增加，DRAM器件上处理的统一性劣化，这可能造成制造产量劣化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种操作半导体存储器件的方法，所述方法包括：接收刷新命令；检测半导体存储器件内部的温度；响应于刷新命令和检测到的温度来生成刷新地址，所述刷新地址对应于在一个刷新周期期间刷新的半导体存储器件的存储单元；以及根据刷新地址执行刷新操作，其中，在每个刷新操作中刷新的存储单元的数量是可变的。

【技术特征摘要】
2012.05.17 KR 10-2012-00525931.一种操作半导体存储器件的方法，所述方法包括：接收刷新命令；检测半导体存储器件内部的温度；响应于刷新命令和检测到的温度来生成刷新地址，所述刷新地址对应于在一个刷新周期期间刷新的半导体存储器件的存储单元；以及根据刷新地址执行刷新操作，其中，在每个刷新操作中刷新的存储单元的数量是可变的。2.如权利要求1所述的方法，其中，响应于刷新命令和检测到的温度来生成刷新地址包括：响应于刷新命令，基于计数操作来生成计数信号；以及响应于检测到的温度、对计数信号的高位比特当中的至少一个比特选择性地执行不关心处理，并且输出经不关心处理的计数信号作为刷新地址。3.如权利要求2所述的方法，其中，在选择性地执行不关心处理时，在半导体存储器件内部为第一温度的情况下经不关心处理的计数信号的比特的数量大于在半导体存储器件内部为第二温度的情况下经不关心处理的计数信号的比特的数量，所述第一温度高于所述第二温度。4.如权利要求1所述的方法，其中，在一个刷新周期期间刷新的存储单元的平均数量为n×a，a为刷新的存储单元的数量而n可调整为非整数的小数值。5.如权利要求4所述的方法，其中，n可调整为整数值。6.一种操作半导体存储器件的方法，所述方法包括：接收刷新命令；响应于刷新命令来生成第一刷新地址，所述第一刷新地址对应于连接到在一个刷新周期期间刷新的第一存储体的多个页的存储单元；以及根据第一刷新地址执行刷新操作，其中，根据第一刷新地址之一来同时地刷新连接到第一存储体的至少两个页的存储单元。7.如权利要求6所述的方法，其中，响应于刷新命令来生成第一刷新地...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑仁喆，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR