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一种操作半导体存储器件的方法，该方法包括：接收刷新命令；检测半导体存储器件内部的温度；响应于刷新命令和检测到的温度来生成刷新地址，所述刷新地址对应于在一个刷新周期期间刷新的半导体存储器件的存储单元；以及根据刷新地址执行刷新操作，其中，在每个...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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