The utility model relates to a semiconductor field, provides a heat radiating semiconductor field effect transistor device structure, device structure includes a gate electrode, a source electrode, a drain electrode, a base, the base and the source is electrically connected with the gate electrode, the source electrode and the drain electrode are respectively connected with the metal legs, feet with the outer metal oxide insulating layer. The device structure is arranged around the alumina insulating layer, device structure and part of the metal layer and the outside leg radiator are connected by alumina insulation. The utility model combines the metal around the supporting legs and the device structure is provided with an insulating layer of alumina, alumina by the insulating layer and the external radiator is connected, because the alumina insulating layer can be very thin thickness of insulation can better heat transfer to the outside from the radiator, and solve the rapid cooling in the prior art can not problems.
【技术实现步骤摘要】
一种易散热半导体场效应晶体管器件结构
本技术涉及半导体领域,具体涉及一种易散热半导体场效应晶体管器件结构。
技术介绍
目前在半导体场效应晶体管通常由塑料进行封装,由于塑料的导热性较低,常常不能及时散热,在高度工作的时候,常常由于散热不及时导致失效。为了解决不能快速散热的问题。因此,需对现有技术加以改进。
技术实现思路
本技术提供了一种易散热半导体场效应晶体管器件结构,用以解决现有技术中不能快速散热的问题。为实现上述目的,本技术采用的技术方案是:一种易散热半导体场效应晶体管器件结构,所述器件结构包括栅极、源极、漏极、基极,所述基极和所述源极电连接,所述栅极、所述源极、所述漏极分别与金属支脚电连接,所述金属支脚外层附有氧化铝绝缘层,所述器件结构周围设有氧化铝绝缘层,所述器件结构和部分所述金属支脚通过氧化铝绝缘层与外界散热器相连接。相对于现有技术而言,将金属支脚及器件结构周围设有氧化铝绝缘层,再由氧化铝绝缘层与外界散热器相连接,由于氧化铝绝缘层可以很薄的厚度达到绝缘的效果,可以更好的将热量传递到外界散热器,从而解决了现有技术中不能快速散热的问题。进一步的改进在于,所述金属支脚为耐高温金属。进一步的改进在于,所述金属支脚为铁制金属支脚。进一步的改进在于,所述金属支脚外的氧化铝绝缘层为α型氧化铝层。进一步的改进在于,所述外界散热器为铜制散热器。进一步的改进在于,所述铜制散热器通过金属锡焊接在所述器件结构和部分所述金属支脚上。进一步的改进在于,所述外界散热器为铝制散热器。进一步的改进在于,所述铝制散热器以热熔的方式焊接在所述器件结构和部分所述金属支脚上。进一步的改进在于,所述 ...
【技术保护点】
一种易散热半导体场效应晶体管器件结构,所述器件结构包括栅极、源极、漏极、基极,所述基极和所述源极电连接,其特征在于:所述栅极、所述源极、所述漏极分别与金属支脚电连接,所述金属支脚外层附有氧化铝绝缘层,所述器件结构周围设有氧化铝绝缘层,所述器件结构和部分所述金属支脚通过氧化铝绝缘层与外界散热器相连接。
【技术特征摘要】
1.一种易散热半导体场效应晶体管器件结构,所述器件结构包括栅极、源极、漏极、基极,所述基极和所述源极电连接,其特征在于:所述栅极、所述源极、所述漏极分别与金属支脚电连接,所述金属支脚外层附有氧化铝绝缘层,所述器件结构周围设有氧化铝绝缘层,所述器件结构和部分所述金属支脚通过氧化铝绝缘层与外界散热器相连接。2.如权利要求1所述的一种易散热半导体场效应晶体管器件结构,其特征在于:所述金属支脚为耐高温金属。3.如权利要求2所述的一种易散热半导体场效应晶体管器件结构,其特征在于:所述金属支脚为铁制金属支脚。4.如权利要求2所述的一种易散热半导体场效应晶体管器件结构,其特征在于:所述金属支脚外的氧化铝绝...
【专利技术属性】
技术研发人员:任留涛,
申请(专利权)人:上海超致半导体科技有限公司,
类型:新型
国别省市:上海,31
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