本发明公开了一种超结IGBT功率器件及制备方法。该功率器件包括：衬底、第一外延层、第二外延层和非均匀沟槽；第一外延层设置于衬底正面，第二外延层设置于第一外延层远离衬底的一侧，非均匀沟槽沿第二外延层远离第一外延层的表面向第二外延层内部延伸...

本发明公开了一种超结IGBT功率器件及制备方法。该功率器件包括：衬底、第一外延层、第二外延层和非均匀沟槽；第一外延层设置于衬底正面，第二外延层设置于第一外延层远离衬底的一侧，非均匀沟槽沿第二外延层远离第一外延层的表面向第二外延层内部延伸...

本实用新型公开了一种超薄超结IGBT器件，包括：金属化集电极；位于所述金属化集电极上的P型集电区；位于所述P型集电区上方的N型FS层；位于所述N型FS层上方的N型FS隔离层；位于所述N型FS隔离层上方的第一N型外延层及位于所述第一N型外...

本实用新型公开了一种超结RB

本实用新型提出了一种多通道超结IGBT器件，包括金属化集电极、P

本发明公开了一种超薄超结IGBT器件及制备方法，包括：金属化集电极；位于所述金属化集电极上的P型集电区；位于所述P型集电区上方的N型FS层；位于所述N型FS层上方的N型FS隔离层；位于所述N型FS隔离层上方的第一N型外延层及位于所述第一...

本实用新型公开了一种低开启电压的超结LIGBT器件，包括：衬底；设置于所述衬底上的埋氧化层；设置于所述埋氧化层上的SOI层；所述SOI层包括发射极结构、与所述发射极结构相邻设置的中间超结结构及与所述中间超结结构相邻设置的集电极结构；所述...

本实用新型公开了一种低开启电压的超结RB

本发明提出了一种多通道超结IGBT器件，包括金属化集电极、P

本发明公开了一种超结RB

本发明公开了一种低开启电压的超结LIGBT器件，包括：衬底；设置于所述衬底上的埋氧化层；设置于所述埋氧化层上的SOI层；所述SOI层包括发射极结构、与所述发射极结构相邻设置的中间超结结构及与所述中间超结结构相邻设置的集电极结构；所述发射...

本发明公开了一种低开启电压的超结RB

本实用新型公开了一种超结IGBT器件结构，包括：第一导电类型衬底；设置在所述第一导电型衬底上的第二导电类型外延层；设置在所述第二导电类型外延层内的第一导电类型柱形扩散区；第一导电类型阱区，所述第一导电类型阱区与所述第一导电类型柱形扩散区...

本发明公开了一种超结IGBT器件，包括：第一导电类型衬底；设置在所述第一导电型衬底上的第二导电类型外延层；设置在所述第二导电类型外延层内的第一导电类型柱形扩散区；第一导电类型阱区，所述第一导电类型阱区与所述第一导电类型柱形扩散区通过一浮...

本实用新型的一种N层集成二极管半导体场效应晶体管器件结构，器件结构包括基地金属层、N型衬底层、N型外延层、P层、外接金属连接层。P层上设有栅极、源极、漏极。N型衬底层上设有二极管。二极管周边设有与N型衬底层、基地金属层相绝缘的绝缘体层。...

本实用新型的一种P层集成二极管半导体场效应晶体管器件结构，器件结构包括基地金属层、N型衬底层、N型外延层、P层、外接金属连接层。P层上设有栅极、源极、漏极、二极管周边设有与栅极、源极、漏极相隔离的绝缘体层二极管的一端与漏极相连接，二极管...

本实用新型公开了一种发光二极管交流驱动电路，包括变压器T、整流桥D、三端稳压器IC、场效应管Q和发光二极管LED；所述变压器T的两输入端接220V交流电源，所述变压器T的两输出端之间接整流桥D；所述整流桥D的输出端分别连接电容C1的正极...

本实用新型公开了一种场效应晶体管充电电路，包括变压器T、整流桥D、三端稳压器IC比较器A和场效应管Q；所述变压器T的两输出端之间接整流桥D；所述整流桥D的输出端分别连接电容C1的正极和三端稳压器IC的电压输入端；所述三端稳压器IC的电压...

本实用新型公开了一种场效应管，包括：P型衬底；所述P型衬底上表面设有N型外延层，所述N型外延层上部设有栅极沟槽，所述N型外延层表面有氧化层，所述栅极沟槽内设有多晶硅栅；所述沟槽两侧形成有P型阱和N型有源区，且所述N型有源区位于P型阱的上...

本实用新型公开了一种低功率超结金属栅场效应晶体管，包括N