场效应管制造技术
Field effect tube
The utility model discloses a field effect transistor includes: P type substrate; N type epitaxial layer is arranged on the surface of the P substrate, the N type epitaxial layer is arranged on the upper part of the gate trench, the N epitaxial layer on the surface of an oxide layer, the gate electrode is arranged in the groove of the trench polysilicon gate; the P type is formed on both sides of the wells and N type active region, and N above the active region of the trap is located on the P type, the upper oxide layer coated with a protective layer, a contact hole is connected to the N type active region of the protective layer. The utility model has the advantages of simple structure and easy preparation. It can effectively protect the oxidation layer from corrosion during processing, and ensure the pressure resistance of the field effect tube.
【技术实现步骤摘要】
场效应管
本技术属于电子元器件
，具体来说涉及一种场效应管。
技术介绍
场效应管是一种电压放大器件，它具有三个电极：源极、栅极和漏极。场效应管包括结型场效应管（JFET）和金属-氧化物场效应管（MOSFET）。现有的金属-氧化物场效应管在加工过程中，其耐压能力不是很稳定，纠其原因，在于源极上方的氧化层很容易在干法加工的过程中因为腐蚀或刮蹭而变薄，导致影响了场效应管的耐压能力。因此，如何提供一种新型的场效应管，能够有效保护氧化层在加工过程中免于腐蚀，保证场效应管的耐压能力，是本领域技术人员需要研究的方向。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种场效应管，能够有效保护氧化层在加工过程中免于腐蚀，保证场效应管的耐压能力。一种场效应管，包括：P型衬底；所述P型衬底上表面设有N型外延层，所述N型外延层上部设有栅极沟槽，所述N型外延层表面有氧化层，所述栅极沟槽内设有栅氧化层和多晶硅栅；所述沟槽两侧形成有P型阱和N型有源区，且所述N型有源区位于P型阱的上方，所述氧化层上部涂覆有防护层，所述防护层中设有连接至N型有源区的接触孔。通过采用这种技术方案：以栅极沟槽中的栅氧化层和多晶硅栅构...
【技术保护点】
一种场效应管，其特征在于包括：P型衬底（1）；所述P型衬底（1）上表面设有N型外延层（2），所述N型外延层（2）上部设有栅极沟槽（21），所述N型外延层（2）表面有氧化层（22），所述栅极沟槽（21）内设有栅氧化层（24）和多晶硅栅（23）；所述沟槽（21）两侧形成有P型阱（3）和N型有源区（4），且所述N型有源区（4）位于P型阱（3）的上方，所述氧化层（22）上部涂覆有防护层（5），所述防护层（5）中设有连接至N型有源区（4）的接触孔（51）。
【技术特征摘要】
1.一种场效应管，其特征在于包括：P型衬底（1）；所述P型衬底（1）上表面设有N型外延层（2），所述N型外延层（2）上部设有栅极沟槽（21），所述N型外延层（2）表面有氧化层（22），所述栅极沟槽（21）内设有栅氧化层（24）和多晶硅栅（23）；所述沟槽（21）两侧形成有P型阱（3）和...
【专利技术属性】
技术研发人员：任留涛，李菲，禹久赢，
申请(专利权)人：上海超致半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31
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