LDMOS晶体管和方法技术
【技术实现步骤摘要】
LDMOS晶体管和方法
技术介绍
现在正需要适于操作在越来越高的频率（包括微波频率）下的固态电路。在本文中所使用的术语“微波”意图是指处于或高于大约300MHz的频率，例如300MHz到3GHz之间的频率。已经产生了能够在这样的频率范围内提供增益的多种晶体管结构。LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）晶体管是此类晶体管结构的一个实例。在诸如LDMOS晶体管设备之类的一些横向晶体管设备中，源极通常耦合到在其中形成晶体管结构的衬底的背面。源极可以通过衬底的高度掺杂区段（通常称作沉降（sinker）结构）或者导电贯穿衬底通孔（TSV）而耦合到衬底的背面。针对源极与衬底的后表面之间的连接的进一步改进是符合期望的。
技术实现思路
在一个实施例中，一种半导体设备包括：包括前表面的半导体衬底，布置在半导体衬底的前表面中并且具有本征源极的LDMOS晶体管，以及贯穿衬底通孔。第一导电层铺衬贯穿衬底通孔的侧壁并且从贯穿衬底通孔延伸到半导体衬底的前表面上。第一导电层与本征源极电耦合。在一个实施例中，提供了一种用于把布置在衬底的第一表面处的晶体管结构的电极电耦合到布置在与第一表面相对的衬底的第二表...
【技术保护点】
一种用于把布置在衬底的第一表面处的晶体管结构的电极电耦合到布置在与第一表面相对的衬底的第二表面处的导电层的方法，所述方法包括：在衬底中形成邻近晶体管结构的盲通孔；把第一导电层沉积到盲通孔的侧壁和第二导电层的区段上，所述第二导电层布置在衬底的第一表面上邻近盲通孔并且耦合到晶体管结构的电极；对衬底的第二表面进行加工从而暴露出第一导电层的一部分；以及把第三导电层沉积到衬底的第二表面和第一导电层的所述部分上，以便把第三导电层与晶体管结构的电极电耦合。
【技术特征摘要】
2016.06.24 US 15/1919891.一种用于把布置在衬底的第一表面处的晶体管结构的电极电耦合到布置在与第一表面相对的衬底的第二表面处的导电层的方法，所述方法包括：在衬底中形成邻近晶体管结构的盲通孔；把第一导电层沉积到盲通孔的侧壁和第二导电层的区段上，所述第二导电层布置在衬底的第一表面上邻近盲通孔并且耦合到晶体管结构的电极；对衬底的第二表面进行加工从而暴露出第一导电层的一部分；以及把第三导电层沉积到衬底的第二表面和第一导电层的所述部分上，以便把第三导电层与晶体管结构的电极电耦合。2.根据权利要求1所述的方法，其中，第一导电层具有厚度t1并且第二导电层具有厚度t2，其中t1≥5t2。3.根据权利要求2所述的方法，其中，第一导电层包括高纯铜并且第二导电层包括Ti。4.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积第一导电层包括：用导电材料填充盲通孔的基底；以及把导电连接层共形沉积到所述导电材料、所述盲通孔的侧壁以及邻近所述盲通孔布置在衬底的第一表面上的所述第二导电层的所述区段上。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述导电连接层具有厚度t1并且第二导电层具有厚度t2，其中t1≥5t2。6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述导电连接层包括高纯铜并且第二导电层包括Ti。7.根据权利要求4所述的方法，还包括：在盲通孔中的导电连接层之上形成电介质层；以及在第一表面中的盲通孔的开放末端之上形成另一个电介质层，从而在盲通孔内形成封闭的空腔。8.根据权利要求1所述的方法，其中，通过电镀来沉积第一导电层。9.根据权利要求1所述的方法，还包括：将掩模施加到第一表面，从而使得将开口定位在盲通孔和第二导电层的所述区段之上并且使得晶体管结构的电极被掩模覆盖；将第一导电层施加到掩模的所述开口中；以及将衬底的第一表面平面化，从而使得第一导电层的上表面与布置在衬底的第一表面上的氧化物层的上表面基本上共面。10.根据权利要求1所述的方法，还包括：将多层衬垫沉积到盲通孔中并且沉积到邻近通孔在衬底的第一表面上的第二导电层的所述区段上；以及将第一导电层沉积到多层衬垫上。11.根据权利要求10所述的方法，其中，被沉积到盲通孔的侧壁上的多层衬垫的一部分...
【专利技术属性】
技术研发人员：A比尔纳，H布雷赫，M齐格尔德伦，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE
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