LDMOS 晶体管和方法技术

本公开涉及LDMOS晶体管和方法。在一个实施例中，一种半导体器件包括半导体衬底、布置在半导体衬底的正面中的LDMOS晶体管以及导电衬底通孔。导电衬底通孔包括从半导体衬底的正面延伸到背面的通孔、填充通孔的第一部分的导电插塞以及对通孔的第二部分的侧壁加衬且电耦合至导电插塞的导电衬层。

【技术实现步骤摘要】
LDMOS晶体管和方法
本公开涉及半导体领域，更具体地，涉及LDMOS晶体管和方法。
技术介绍
对适用于在更高频率(包括微波频率)下进行操作的固态电路存在持续的需求。如本文所使用的，术语“微波”旨在表示约300MHz或以上的频率，诸如在300MHz和3GHz之间。创建各种晶体管结构，其能够在这种频率范围内提供增益。LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)晶体管是这种晶体管结构的示例。在一些横向晶体管器件(诸如LDMOS晶体管器件)中，源极通常耦合至形成有晶体管结构的衬底的背侧。源极可以通过衬底的重掺杂区域(通常已知为下沉(sinker)结构)或者导电衬底通孔(TSV)耦合至衬底的背面。期望对源极与衬底的背侧之间的连接的进一步改进。
技术实现思路
在一个实施例中，一种半导体器件包括半导体衬底、布置在半导体衬底的正面中的LDMOS晶体管以及导电衬底通孔。导电衬底通孔包括从半导体衬底的正面延伸到背面的通孔、填充通孔的第一部分的导电插塞以及对通孔的第二部分的侧壁加衬且电耦合至导电插塞的导电衬层。在一个实施例中，一种方法包括：在半导体衬底的第一表面中形成开口，其中在第一表面中具有LDMOS晶体管结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体衬底；LDMOS晶体管，布置在所述半导体衬底的正面中；以及导电衬底通孔，其中所述导电衬底通孔包括：通孔，从所述正面延/伸到所述半导体衬底的背面；导电插塞，填充所述通孔的第一部分；和导电衬层，对所述通孔的第二部分的侧壁加衬并且电耦合至所述导电插塞。

【技术特征摘要】
2016.06.24 US 15/192,2831.一种半导体器件，包括：半导体衬底；LDMOS晶体管，布置在所述半导体衬底的正面中；以及导电衬底通孔，其中所述导电衬底通孔包括：通孔，从所述正面延/伸到所述半导体衬底的背面；导电插塞，填充所述通孔的第一部分；和导电衬层，对所述通孔的第二部分的侧壁加衬并且电耦合至所述导电插塞。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述导电衬层直接定位在所述导电插塞上，从而在所述导电衬层与所述导电插塞之间形成界面。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述导电衬层和所述导电插塞具有不同的微观结构。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述导电插塞包括的晶粒尺寸大于所述导电衬层的晶粒尺寸。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述导电衬层环绕所述通孔内的间隙。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述导电插塞和所述导电衬层包括高纯度铜。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述导电衬底通孔将布置在所述半导体衬底的正面中的所述LDMOS晶体管的本征源极电耦合至布置在所述半导体衬底的背面上的导电层。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体衬底具有ρ≥100Ohm.cm的体电阻率。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述导电衬底通孔具有高度h1且所述导电插塞具有高度h2，其中h2≤2h1/3。10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中20μm≤h1≤100μm且其中5μm≤h2≤70μm。11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述导电衬层具有厚度t，其中0.5μm≤t≤3μm，并且所述导电插塞具有高度h2，其中5μm≤h2≤70μm。12.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括覆盖所述通孔且限定所述通孔的所述第二部分内的腔的介电材料。13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中所述介电材料包括布置在所述导电衬层上的第一层和覆盖所述通孔以限定所述腔的第二层。14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中所述第一层包括SiNx，并且所述第二层包括SiOx。15.根据权利要求1所述的半导体器件，其中以规则阵列布置多个导电衬底通孔。16.根据权利要求1所述的半导体器件，其中在与所述LDMOS晶体管的细长本征源极相邻的至少一行中布置多个导电衬底通孔。17.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述导电衬底通孔电耦合至所述LDMOS晶体管的两个相邻晶体管单元的本征源极。18.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述导电...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·布里纳，H·布里施，M·齐格尔德鲁姆，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE