一种功率器件的失效定位方法技术

本发明专利技术涉及功率器件的失效分析技术领域，是一种功率器件的失效定位方法。漏电流增大是功率器件失效的主要电学表现形式之一，会大幅度减小器件的使用寿命。本发明专利技术提供了一种功率器件的漏电流定位方法。方法包括：对失效功率器件样本进行开封；将开封后的功率器件置于载物台上；固定并调节红外热成像仪，使其显示屏刚好容纳芯片；对功率器件进行电压偏置，找到热点最清晰的偏置电压；对功率器件施加恒定的上述偏置电压，获取该偏置电压下的芯片表面热像图；将上述热像图与芯片物理结构图叠加处理，以准确定位异常漏电流。该方法实施便捷，能精确捕捉热点以及定位失效位置。

A failure location method for power devices

The invention relates to the technical field of failure analysis of power devices, and is a failure location method for power devices. The increase of leakage current is one of the main electrical performance forms of power device failure, which will greatly reduce the service life of the device. The invention provides a leakage current positioning method for a power device. The method includes: the failure of power device samples unopened; the power device is in after opening stage; fixing and regulating thermal infrared imager, the screen just accommodate chip; voltage bias of power devices, find the most clear hot bias voltage; the bias voltage applied to constant power devices, access thermal map of the surface of the chip under bias voltage; the thermal and physical structure of chip stack processing, to accurately locate the abnormal leakage current. The method is convenient to be implemented and can accurately capture the hot spots and locate the location of the failure.

【技术实现步骤摘要】
一种功率器件的失效定位方法
本专利技术涉及功率器件的芯片级失效分析
，具体涉及一种功率器件的失效定位方法。
技术介绍
功率器件广泛应用于消费品、工业、医用及交通运输业，是绿色能源、节能环保的主力产品。保障和提升器件的质量和可靠性是非常重要的课题。优良的器件质量要经历设计、工艺和产品研发、量产、可靠性测试、封装等阶段的反复改进提升，这些都离不开失效分析，甚至包括产品进入系统应用端同样存在失效分析的必要。功率器件的芯片级及封装级两个阶段最为决定产品的质量，封装级的失效分析会结合TDR检测、X—ray检测及SAM检测等技术展开，而芯片级失效涉及的分析更为复杂，需要的技术方法较多。其中，失效定位是最为关键的步骤。对于功率器件，结构相对简单，它的失效定位就是物理失效定位。失效定位的目的是要找到缺陷在芯片内的物理位置，实现后续缺陷解析的有的放矢。定位越精确，后续的针对缺陷暴露和特性分析就越方便，尤其功率芯片中的缺陷也在随着工艺的发展发生微缩化，定位的精确性更加重要。如对重复元胞构成的分立器件芯片来说，定位的目标是要能确认出失效的单个元胞。漏电流增大是功率器件失效的主要电学表现形式之一。所谓本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率器件的失效定位方法，其特征在于，包括：对失效功率器件样本进行开封；将开封后的功率器件置于载物台上；固定并调节红外热成像仪，使其显示屏刚好容纳芯片；对功率器件进行电压偏置，找到热点最清晰的偏置电压；对功率器件施加恒定的上述偏置电压，获取该偏置电压下的芯片表面热像图；将上述热像图与芯片物理结构图叠加处理，以准确定位异常漏电流。

【技术特征摘要】
1.一种功率器件的失效定位方法，其特征在于，包括：对失效功率器件样本进行开封；将开封后的功率器件置于载物台上；固定并调节红外热成像仪，使其显示屏刚好容纳芯片；对功率器件进行电压偏置，找到热点最清晰的偏置电压；对功率器件施加恒定的上述偏置电压，获取该偏置电压下的芯片表面热像图；将上述热像图与芯片物理结构图叠加处理，以准确定位异常漏电流。2.根据权利要求1所述的功率器件的失效定位方法，其特征在于，放置功率器件的载物台带有温控装置，主要用于保持功率器件处于合适的温度，以便显示异常温度区域。3.根据权利要求1所述的功率器件的失效定位方法，其特征在于，使用红外热成像仪捕捉芯片异常热点，以定位漏电流。4.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈立，程玉华，
申请(专利权)人：上海北京大学微电子研究院，
类型：发明
国别省市：上海,31