多通道显微镜半导体综合测试系统技术方案
Multichannel microscope semiconductor integrated testing system
The invention provides a multi-channel microscopy semiconductor integrated test system, an infrared microscopy (EMMI), laser beam induced resistivity change test technology (OBIRCH), micro probe detection technique, scanning electron microscopy (SEM) together to form a multi-channel microscopy semiconductor integrated test system. By using the OBIRCH method, it is effective to defect location in the circuit, such as a line in the empty hole, the hole, through hole at the bottom of the high resistance region; it can effectively detect short-circuit or leakage, it is a powerful supplement light microscopy; micro probe detection technology is based on micro probe fast and convenient access to the IC inside the electrical parameters, such as working voltage and current, volt ampere characteristic curve etc.. This system can carry out a variety of failure testing techniques, reduce the test equipment, the test steps are few, the operation is simple and convenient.
【技术实现步骤摘要】
多通道显微镜半导体综合测试系统
本专利技术涉及集成电路测试领域，尤其涉及多通道显微镜半导体综合测试系统。
技术介绍
随着超大规模集成电路(VLSI)的发展，半导体芯片中元器件的特征尺寸越来越小，已经进入了深亚微米时代。集成电路的应用十分广泛，集成电路向着更小工艺尺寸，更高集成度方向发展，集成电路失效分析扮演着越来越重要的角色。一块芯片上集成的器件可达几千万，要想找到失效器件实属大海捞针，因此进行集成电路失效分析必须具备先进、准确的技术和设备。失效分析就是判断失效模式，查找失效原因，弄清失效机理，并且预防类似失效情况再次发生。集成电路失效分析在提高集成电路的可靠性方面有着至关重要的作用，对集成电路进行失效分析可以促进企业纠正设计、实验和生产过程中的问题，实施控制和改进措施，防止和减少同样的失效模式和失效机理重复出现，预防同类失效现象再次发生。目前，现有的失效分析技术：红外发光显微技术（EmissionMicroscopy，EMMI）、激光束诱导电阻率变化测试（OpticalBeamInducedResistanceChange，OBIRCH）、微探针检测技术、扫描电...
【技术保护点】
多通道显微镜半导体综合测试系统，其特征在于，是将红外发光显微技术（1）、激光束诱导电阻率变化测试（2）、微探针检测（4）、扫描电子显微镜（3）结合在一起的一种多通道显微镜半导体综合测试系统。
【技术特征摘要】
1.多通道显微镜半导体综合测试系统，其特征在于，是将红外发光显微技术（1）、激光束诱导电阻率变化测试（2）、微探针检测（4）、扫描电子显微镜（3）结合在一起的一种多通道显微镜半导体综合测试系统。2.根据权利要求1所述的多通道显微镜半导体综合测试系统，其特征在于，可单独进行红外发光显微技术（1）测试。3.根据权利要求1所述的多通道显微镜半导体综合测试系统，其特征在于，可单独进行激光束诱导电阻率...
【专利技术属性】
技术研发人员：陆宇，张佩佩，程玉华，
申请(专利权)人：上海北京大学微电子研究院，
类型：发明
国别省市：上海,31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。