一种硅片扩散装置及硅片插片方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种硅片扩散装置包括进气管、炉管、炉门、支架、排气管、石英舟；所述进气管、炉门分别设置在炉管的两端；所述石英舟设置在支架上侧，且两者均设置在炉管内部；所述排气管一端设置在炉管的内部，另一端由炉管内向外延伸；所述石英舟包括若干垂直于支架设置的石英棒；所述每一石英棒均开设若干开口朝内的卡槽，且卡槽开口长度方向与支架所在水平面平行。同时公开了一种硅片插片方法是将背靠背水平叠放的两硅片沿上述硅片扩散装置的卡槽开设方向平行插入所述卡槽内。本发明专利技术使硅片扩散后方阻均匀性良好，从而能获得更好的扩散效果，并且易于对扩散装置进行改造提升产能。

【技术实现步骤摘要】
一种硅片扩散装置及硅片插片方法
本专利技术涉及太阳能电池制造
，尤其涉及一种硅片扩散装置及硅片插片方法。
技术介绍
太阳能是最清洁、最具有潜力的新能源，越来越得到关注。在所有的太阳能电池中，硅太阳能电池是商业推广范围最大的太阳能电池。光电转换的太阳能电池可以将太阳能直接转换成电能，其发电原理是基于半导体PN结的光生伏特效应。P型硅片需要扩散磷元素获得PN结，N型硅片需要扩散硼元素获得PN结。电池片的生产过程中，部分工艺需要在硅片上扩散或者沉积一些元素，形成某种薄层结构。如硼扩散工艺、磷扩散工艺、低压硼扩散工艺、低压磷扩散工艺等。扩散工艺是制备太阳电池最关键的工序之一。不均匀的扩散会直接影响电池片电性能参数的正态分布，导致低效电池片比例升高，特别是高方阻的电池片，扩散不均匀性对电池片性能的影响更加明显。扩散后方阻均匀性好将有利于后续工艺的相互匹配，使得电池片的整体电性能更加稳定。常规的扩散工艺，常压扩散或低压扩散，硅片的放置方法都是背靠背竖直放置，会有几度的小倾角，硅片平面与气流方向垂直。所以这两种扩散方式都存在气流紊乱现象，气流水平方向传输，而在硅片卡槽间隙处竖直方向气流传输才本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅片扩散装置，其特征在于，包括进气管、炉管、炉门、支架、排气管、石英舟；所述进气管、炉门分别设置在炉管的两端；所述石英舟设置在支架上侧，且两者均设置在炉管内部；所述排气管一端设置在炉管的内部，另一端由炉管内向外延伸；所述石英舟包括若干垂直于支架设置的石英棒；所述每一石英棒均开设若干开口朝内的卡槽，且卡槽开口长度方向与支架所在水平面平行。

【技术特征摘要】
1.一种硅片扩散装置，其特征在于，包括进气管、炉管、炉门、支架、排气管、石英舟；所述进气管、炉门分别设置在炉管的两端；所述石英舟设置在支架上侧，且两者均设置在炉管内部；所述排气管一端设置在炉管的内部，另一端由炉管内向外延伸；所述石英舟包括若干垂直于支架设置的石英棒；所述每一石英棒均开设若干开口朝内的卡槽，且卡槽开口长度方向与支架所在水平面平行。2.根据权利要求1所述的硅片扩散装置，其特征在于，所述石英棒包括四个，且四石英棒上的卡槽数量、位置一一对应；所述四石英棒分别两两设置...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊凡·裴力林，朱太荣，刘照安，徐大超，谢越森，孟科，庞爱锁，
申请(专利权)人：深圳市拉普拉斯能源技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44