半导体激光器制冷结构、半导体激光器及其叠阵制造技术

本实用新型专利技术提供了一种半导体激光器制冷结构、半导体激光器及其叠阵，其中，半导体激光器制冷结构包括：热沉，所述热沉包括相对设置的第一表面与第二表面；设置于所述第一表面的彼此绝缘的正极导电层以及负极导电层；电极连接件，包括第一端部、第二端部以及连接所述第一端部与所述第二端部的第一连接部，所述第一端部设置于正极导电层，所述第二端部设置于所述热沉的第二表面，与所述热沉绝缘，所述第一连接部设置于所述热沉上所述正极导电层的非对端。其中，第一连接部设置于正极导电层的非对端，使电极连接件的第一端部以及第二端部的长度较短，从而电极连接件的电阻相对较小，提高了半导体激光器的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
半导体激光器制冷结构、半导体激光器及其叠阵
本技术涉及半导体激光器领域，具体而言，涉及一种半导体激光器制冷结构、半导体激光器及其叠阵。
技术介绍
对于半导体激光器形成的半导体激光器叠阵，在半导体激光器的热沉绝缘等情况下，需要电极连接件对半导体激光器之间进行电性连接。而现有技术中，每个半导体激光器中用于多个半导体激光器彼此之间连接的电极连接件端部较长，导致电路的电阻较大，造成不必要的损失，严重影响半导体激光器的可靠性。
技术实现思路
有鉴于此，本技术实施例提供了一种半导体激光器制冷结构、半导体激光器及其叠阵，将半导体激光器制冷结构中的电极连接件的第一连接部在热沉上所述正极导电层的非对端，使电极连接件的端部较短，从而减小电阻，以改善现有技术中的问题。为了实现上述目的，本技术采用的技术方案如下：一种半导体激光器制冷结构，包括：热沉，所述热沉包括相对设置的第一表面与第二表面；设置于所述第一表面的彼此绝缘的正极导电层以及负极导电层，且所述热沉分别与所述正极导电层和负极导电层绝缘，所述正极导电层用于设置激光芯片且用于与所述激光芯片的正极电连接，所述负极导电层用于与设置于所述正极导电层的激光芯片的负极电连接；电极连接件，包括第一端部、第二端部以及连接所述第一端部与所述第二端部的第一连接部，所述第一端部设置于正极导电层，所述第二端部设置于所述热沉的第二表面，与所述热沉绝缘，所述第一连接部设置于所述热沉上所述正极导电层的非对端。优选的，上述半导体激光器制冷结构中，所述电极连接件还包括第三端部以及第二连接部，所述第三端部设置于正极导电层，所述第三端部以及所述第一端部在所述第二端部的延伸方向上相对设置，所述第一连接部以及所述第二连接部在所述第二端部的延伸方向上相对设置，所述第一连接部连接所述第一端部以及所述第二端部的一端，所述第二连接部连接所述第三端部以及所述第二端部的另一端。优选的，上述半导体激光器制冷结构中，所述电极连接件的数量大于或等于1。优选的，上述半导体激光器制冷结构中，所述第一端部与所述第二端部相错设置；或者，所述第一端部以及所述第三端部均与所述第二端部相错设置。优选的，上述半导体激光器制冷结构中，所述第二端部设置于所述第二表面与负极导电层对应的区域。优选的，上述半导体激光器制冷结构中，所述正极导电层与所述负极导电层设置在同一层，所述正极导电层与所述负极导电层之间保持间距，所述正极导电层与所述负极导电层之间为空或者采用绝缘介质阻隔，所述热沉与所述正极导电层以及负极导电层之间设置有第一绝缘层；或者，所述负极导电层与所述正极导电层设置在不同层，所述正极导电层靠近所述热沉，所述热沉与正极导电层之间设置有第一绝缘层，所述负极导电层与所述正极导电层之间设置有第二绝缘层。第二绝缘层使正极导电层与负极导电层可以层叠设置，且彼此绝缘，第一绝缘层使正极导电层与热沉彼此绝缘或者，所述负极导电层与所述正极导电层设置在不同层，所述负极导电层靠近所述热沉，所述热沉与负极导电层之间设置有第一绝缘层，所述负极导电层与所述正极导电层之间设置有第二绝缘层。第二绝缘层使负极导电层与正极导电层可以层叠设置，且彼此绝缘，第一绝缘层使负极导电层与热沉彼此绝缘。优选的，上述半导体激光器制冷结构中，所述热沉的第一表面包括第一部分以及第二部分，所述第一部分设置所述正极导电层以及负极导电层，所述第二部分设置有第四绝缘层，所述第四绝缘层的高度高于设置于所述热沉的其他器件的高度。当一个半导体激光器与另一个半导体激光器层叠设置时，高度高于其他器件的第四绝缘层使半导体激光器的其他器件与相层叠的激光器之间保持距离，不被压到。一种半导体激光器，包括激光芯片以及上述半导体激光器制冷结构，所述激光芯片设置于所述半导体激光器制冷结构的正极导电层，所述激光芯片的正极与所述正极导电层电连接，所述激光芯片的负极与所述半导体激光器制冷结构的负极导电层电连接。一种半导体激光器叠阵，包括多个上述的半导体激光器，多个半导体激光器沿激光芯片在热沉的第一表面以及第二表面的连线方向上依次层叠，并通过电极连接件电性连接。一种电极连接件，应用于上述的半导体激光器制冷结构，或者上述的半导体激光器，或者上述的半导体激光器叠阵，所述电极连接件包括第一端部、第二端部以及连接所述第一端部与所述第二端部的第一连接部，所述第一端部以及所述第二端部的延伸方向一致，且与所述第一连接部的延伸方向垂直。本技术实施例提供的半导体激光器制冷结构、半导体激光器及其叠阵，在热沉的第一表面彼此绝缘的正极导电层以及负极导电层，正极导电层用于设置激光芯片且用于与所述激光芯片的正极电连接，所述负极导电层用于与设置于所述正极导电层的激光芯片的负极电连接。电极连接件包括第一连接部以及相对的第一端部、第二端部，其中，第一连接部在热沉上所述正极导电层的非对端，使第一端部以及第二端部较短，使电极连接件的第一端部以及第二端部的长度较短，从而电极连接件的电阻相对较小，提高了半导体激光器的可靠性。为使本技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。附图说明为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。图1示出了本技术实施例提供的半导体激光器制冷结构的第一种视角结构示意图；图2示出了本技术实施例提供的半导体激光器制冷结构的第二种视角结构示意图；图3示出了本技术实施例提供的半导体激光器制冷结构的第三种视角结构示意图；图4示出了本技术实施例提供的半导体激光器制冷结构的第四种视角结构示意图；图5示出了本技术实施例提供的半导体激光器制冷结构的第五种视角结构示意图；图6示出了本技术实施例提供的半导体激光器制冷结构的电极连接件的一种结构示意图；图7示出了本技术实施例提供的半导体激光器制冷结构的另一种结构示意图的一种视角图；图8示出了本技术实施例提供的半导体激光器制冷结构的另一种结构示意图另一种视角图；图9示出了本技术实施例提供的半导体激光器制冷结构的电极连接件的另一种结构示意图；图10示出了本技术实施例提供的半导体激光器的一种结构示意图；图11示出了本技术实施例提供的半导体激光器叠阵3的一种结构示意图。图标：半导体激光器制冷结构100，热沉110，热沉110的第一表面111，热沉110的第二表面112，正极导电层120，负极导电层130，电极连接件140，第一绝缘层150，第三绝缘层152，第二绝缘层154，第四绝缘层156，电极连接件140的第一连接部142，第一端部146，第二端部148，第三端部146b，第二连接部142b，半导体激光器200，激光芯片210，半导体激光器叠阵300。具体实施方式下面将结合本技术实施例中附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光器制冷结构，其特征在于，包括：热沉，所述热沉包括相对设置的第一表面与第二表面；设置于所述第一表面的彼此绝缘的正极导电层以及负极导电层，且所述热沉分别与所述正极导电层和负极导电层绝缘，所述正极导电层用于设置激光芯片且用于与所述激光芯片的正极电连接，所述负极导电层用于与设置于所述正极导电层的激光芯片的负极电连接；电极连接件，包括第一端部、第二端部以及连接所述第一端部与所述第二端部的第一连接部，所述第一端部设置于正极导电层，所述第二端部设置于所述热沉的第二表面，与所述热沉绝缘，所述第一连接部设置于所述热沉上所述正极导电层的非对端。

【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器制冷结构，其特征在于，包括：热沉，所述热沉包括相对设置的第一表面与第二表面；设置于所述第一表面的彼此绝缘的正极导电层以及负极导电层，且所述热沉分别与所述正极导电层和负极导电层绝缘，所述正极导电层用于设置激光芯片且用于与所述激光芯片的正极电连接，所述负极导电层用于与设置于所述正极导电层的激光芯片的负极电连接；电极连接件，包括第一端部、第二端部以及连接所述第一端部与所述第二端部的第一连接部，所述第一端部设置于正极导电层，所述第二端部设置于所述热沉的第二表面，与所述热沉绝缘，所述第一连接部设置于所述热沉上所述正极导电层的非对端。2.根据权利要求1所述的半导体激光器制冷结构，其特征在于，所述电极连接件还包括第三端部以及第二连接部，所述第三端部设置于正极导电层，所述第三端部以及所述第一端部在所述第二端部的延伸方向上相对设置，所述第一连接部以及所述第二连接部在所述第二端部的延伸方向上相对设置，所述第一连接部连接所述第一端部以及所述第二端部的一端，所述第二连接部连接所述第三端部以及所述第二端部的另一端。3.根据权利要求1所述的半导体激光器制冷结构，其特征在于，所述电极连接件的数量大于或等于1。4.根据权利要求2所述的半导体激光器制冷结构，其特征在于，所述第一端部与所述第二端部相错设置；或者，所述第一端部以及所述第三端部均与所述第二端部相错设置。5.根据权利要求1所述的半导体激光器制冷结构，其特征在于，所述第二端部设置于所述第二表面与负极导电层对应的区域。6.根据权利要求1所述的半导体激光器制冷结构，其特征在于，所述正极导电层与所述负极导电层设置在同一层，所述正极导电层与所述负极导电层之间保持间距，所述正极导电层...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾阳涛，王卫锋，刘兴胜，
申请(专利权)人：西安炬光科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西,61