The present invention provides a method of optimization of CMOS image sensor transistor structure, a semiconductor substrate is provided, the definition of the pixel region and non pixel region, forming a shallow trench isolation structure in a pixel region; a shallow trench isolation structure at the bottom, top and side walls are formed above the dielectric layer; the bottom surface of the dielectric layer below the top dielectric layer the surface of 1000; covering the polysilicon layer; covering on the bottom of the shallow trench isolation structure polysilicon layer covered on the surface and shallow trench isolation on the top surface of the polycrystalline silicon layer has a first height; the laying of photoresist, adopted flexible light etching photoresist pattern, a polysilicon layer formed on the surface of the arc-shaped convex photoresist layer in a shallow trench isolation structure corresponding; with the arc photoresist layer as a mask for etching the polysilicon layer, a second polycrystalline silicon layer is formed in the corresponding shallow trench isolation structure, the article more than 2 The surface of the crystalline silicon layer is lower than the top of the shallow groove isolating structure and tends to be smooth.
【技术实现步骤摘要】
优化CMOS图像传感器晶体管结构的方法
本专利技术涉及图像传感器领域,尤其涉及一种优化CMOS图像传感器晶体管结构的方法。
技术介绍
图像传感器是将光信号转化为电信号的半导体器件,图像传感器具有光电转换元件。图像传感器按又可分为互补金属氧化物(CMOS)图像传感器和电荷耦合器件(CCD)图像传感器。CCD图像传感器的优点是对图像敏感度较高且噪声小,但是CCD图像传感器与其他器件的集成比较困难,而且CCD图像传感器的功耗较高。相比之下,CMOS图像传感器具有工艺简单、易与其他器件集成、体积小、重量轻、功耗小、成本低等优点。因此,随着技术发展,CMOS图像传感器越来越多地取代CCD图像传感器应用于各类电子产品中。目前CMOS图像传感器已经广泛应用于静态数码相机、照相手机、数码摄像机、医疗用摄像装置(例如胃镜)、车用摄像装置等。图像传感器的核心元件是像素单元(Pixel),像素单元直接影响图像传感器的尺寸大小、暗电流水平、噪声水平、成像通透性、图像色彩饱和度和图像缺陷等等因素。一直以来,一对矛盾的因素一起推动图像传感器向前发展:1.经济因素:一个晶圆可产出的图像传感器芯片越多,则图像传感器芯片的成本越低,而像素单元占据整个图像传感器芯片的大部分面积,因此,为了节省成本,要求像素单元的尺寸制作得较小,也就是说,出于经济因素考虑,要求图像传感器中像素单元的尺寸缩小。2.图像质量因素:为了保证图像质量,特别是为了保证光线敏感度、色彩饱和度和成像通透性等指标,需要有足够的光线入射到像素单元的光电转换元件(通常采用光电二极管)中,而较大的像素单元能够有较大的感光面积接受光 ...
【技术保护点】
一种优化CMOS图像传感器晶体管结构的方法,其特征在于:S100:提供半导体基底,定义像素区域、非像素区域,于像素区域形成浅沟槽隔离结构;浅沟槽隔离结构的底部、顶部及侧壁形成有介质层;所述底部的介质层表面低于顶部的介质层表面1000埃以上;S200:覆盖多晶硅层; 覆盖于浅沟槽隔离结构底部的多晶硅层表面与覆盖于浅沟槽隔离顶部的多晶硅层表面具有第一高度;S300:铺设光刻胶,采用渐变通光量方式刻蚀光刻胶,于浅沟槽隔离结构对应的多晶硅层表面形成凸起的弧形光刻胶层;S400:以弧形光刻胶层为掩膜刻蚀多晶硅层,在浅沟槽隔离结构对应处形成第二多晶硅层,所述第二多晶硅层上表面低于浅沟槽隔离结构顶部,并且趋于平整。
【技术特征摘要】
1.一种优化CMOS图像传感器晶体管结构的方法,其特征在于:S100:提供半导体基底,定义像素区域、非像素区域,于像素区域形成浅沟槽隔离结构;浅沟槽隔离结构的底部、顶部及侧壁形成有介质层;所述底部的介质层表面低于顶部的介质层表面1000埃以上;S200:覆盖多晶硅层;覆盖于浅沟槽隔离结构底部的多晶硅层表面与覆盖于浅沟槽隔离顶部的多晶硅层表面具有第一高度;S300:铺设光刻胶,采用渐变通光量方式刻蚀光刻胶,于浅沟槽隔离结构对应的多晶硅层表面形成凸起的弧形光刻胶层;S400:以弧形光刻胶层为掩膜刻蚀多晶硅层,在浅沟槽隔离结构对应处形成第二多晶硅层,所述第二多晶硅层上表面低于浅沟槽隔离结构顶部,并且趋于平整。2.根据权利要求1所述的优化CMO...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵立新,李杰,
申请(专利权)人:格科微电子上海有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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