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本发明提供一种优化CMOS图像传感器晶体管结构的方法,提供半导体基底，定义像素区域、非像素区域，于像素区域形成浅沟槽隔离结构；浅沟槽隔离结构的底部、顶部及侧壁形成有介质层；所述底部的介质层表面低于顶部的介质层表面1000埃以上；覆盖多晶硅层...
该专利属于格科微电子（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格科微电子（上海）有限公司授权不得商用。

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