【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种图像传感器形成方法及图像传感器。
技术介绍
1、在一些图像传感器的形成工艺中，常通过侧边导电材料和介质层实现像素单元之间的隔离，同时，侧边的导电材料可以通过接入电位的方式增强钉扎效果，并降低噪声。
2、现有接入电位的工艺流程一般有两种：其一，通过正面的接入点结构直接接入到导电材料，但因为导电材料埋在衬底中，因此要求接入点结构深度增加、深宽比增大，会导致等离子体伤害，降低了与其他区域的接入点结构工艺的兼容性；其二，若采用背照式图像传感器工艺，可以通过背面金属接入像素单元之间隔离的导电材料，但是背面金属走线会使得其它器件的走线排布变得复杂，后续的彩色滤光膜工艺也容易产生涂布工艺不均匀的现象。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种图像传感器形成方法，包括：
2、在所述图像传感器的外围区域形成与像素区域完全电学隔离的电位接入区域，所述电位接入区域中包括具有导电材料层的隔离沟槽；
3、刻蚀所述电位接入区域形成硅通孔，使所...
【技术保护点】
1.一种图像传感器形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的图像传感器形成方法，其特征在于，所述在所述图像传感器的外围区域形成与像素区域完全电学隔离的电位接入区域包括：
3.如权利要求1所述的图像传感器形成方法，其特征在于，所述刻蚀所述电位接入区域形成硅通孔之后，于所述硅通孔中沉积金属材料，以与所述导电材料层电性连接。
4.如权利要求3所述的图像传感器形成方法，其特征在于，形成所述电位接入区域之后，还包括：
5.如权利要求3所述的图像传感器形成方法，其特征在于，所述刻蚀所述电位接入区域形成硅通孔包括：
<...【技术特征摘要】
1.一种图像传感器形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的图像传感器形成方法，其特征在于，所述在所述图像传感器的外围区域形成与像素区域完全电学隔离的电位接入区域包括：
3.如权利要求1所述的图像传感器形成方法，其特征在于，所述刻蚀所述电位接入区域形成硅通孔之后，于所述硅通孔中沉积金属材料，以与所述导电材料层电性连接。
4.如权利要求3所述的图像传感器形成方法，其特征在于，形成所述电位接入区域之后，还包括：
5.如权利要求3所述的图像传感器形成方法，其特征在于，所述刻蚀所述电位接入区域形成硅通孔包括：
6.如权利要求3所述图像传感器形成方法，其特征在于，所述刻蚀所述电位接入区域形成硅通孔时，于所述像素区域周围形成硅通孔阵列，并于所述硅通孔阵列中沉积金属材料，于所述像素区域的侧边形成金属遮罩。
7.如权...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨瑞坤，
申请(专利权)人：格科微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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