防止划片损伤的CMOS图像传感器结构及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种防止划片损伤的CMOS图像传感器结构及其制作方法，通过在电路硅片芯片外围区域的硅衬底上、下表面形成相连通的中空第一、第二沟槽，与位于其下方第一介质层中的保护环结合，在芯片内部区域外围形成一个复合的保护环结构，使得在划片槽区域因划片损伤造成的裂缝被中空的第一、第二沟槽屏蔽，不会进一步沿着硅衬底一直延伸到芯片内部区域，因此不会对芯片造成不良影响，从而保证了CMOS图像传感器的性能和功能，提高了成品率和可靠性。

Structure and fabrication method of CMOS image sensor to prevent slice damage

The invention discloses a method for preventing CMOS image sensor structure and production method of dicing damage, through the silicon circuit chip peripheral region of the silicon substrate, is formed on the surface of connecting the first and second hollow grooves, with protection ring which is positioned below the first dielectric layer, forming a composite structure in the protection ring the chip peripheral area makes the scribing groove area due to damage caused by the cracks by dicing hollow first and second groove shielding, not further along the silicon substrate has been extended to the area inside the chip, it will not cause adverse effects on the chip, so as to ensure the performance and function of CMOS image sensor, improve the yield and reliability.

【技术实现步骤摘要】
防止划片损伤的CMOS图像传感器结构及其制作方法
本专利技术涉及CMOS图像传感器
，更具体地，涉及一种可防止划片损伤的CMOS图像传感器结构及其制作方法。
技术介绍
图像传感器是指将光信号转换为电信号的装置，其中大规模商用的图像传感器芯片包括电荷耦合器件(CCD)和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器芯片两大类。CMOS图像传感器和传统的CCD传感器相比具有低功耗，低成本和与CMOS工艺兼容等特点，因此得到越来越广泛的应用。现在CMOS图像传感器不仅用于微型数码相机(DSC)，手机摄像头，摄像机和数码单反(DSLR)等消费电子领域，而且在汽车电子，监控，生物技术和医学等领域也得到了广泛的应用。CMOS图像传感器按照入射光进入光电二极管的路径不同，可以分为前照式和背照式两种图像传感器，前照式是指入射光从硅片正面进入光电二极管的图像传感器，而背照式是指入射光从硅片背面进入光电二极管的图像传感器。通过采用背照式CMOS图像传感器工艺，使得入射光从硅片的背面进入光电二极管，从而减小介质层对入射光的损耗和增加CMOS图像传感器中光电二极管的面积，提高了像素单元的灵敏度，因此背照式本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防止划片损伤的CMOS图像传感器结构，其特征在于，至少包括一电路硅片；所述电路硅片自上而下包括：硅衬底、第一介质层；所述电路硅片设有多个芯片区域，所述芯片区域包括芯片内部区域和围绕芯片内部区域的芯片外围区域，各芯片区域之间围绕设有划片槽区域；所述芯片内部区域包括：设于硅衬底下表面用于感光的像素单元阵列和设于第一介质层中的第一金属互连层；所述芯片外围区域包括：设于第一介质层中并围绕芯片内部区域的保护环，设于硅衬底下表面并围绕芯片内部区域的第一沟槽，以及设于硅衬底上表面并围绕芯片内部区域的第二沟槽；所述第一沟槽、第二沟槽为相连的中空沟槽结构。

【技术特征摘要】
1.一种防止划片损伤的CMOS图像传感器结构，其特征在于，至少包括一电路硅片；所述电路硅片自上而下包括：硅衬底、第一介质层；所述电路硅片设有多个芯片区域，所述芯片区域包括芯片内部区域和围绕芯片内部区域的芯片外围区域，各芯片区域之间围绕设有划片槽区域；所述芯片内部区域包括：设于硅衬底下表面用于感光的像素单元阵列和设于第一介质层中的第一金属互连层；所述芯片外围区域包括：设于第一介质层中并围绕芯片内部区域的保护环，设于硅衬底下表面并围绕芯片内部区域的第一沟槽，以及设于硅衬底上表面并围绕芯片内部区域的第二沟槽；所述第一沟槽、第二沟槽为相连的中空沟槽结构。2.根据权利要求1所述的防止划片损伤的CMOS图像传感器结构，其特征在于，所述第一沟槽、第二沟槽的尺寸小于常规CMOS前道沟槽最小设计规则的尺寸，所述第一沟槽与第二沟槽分别以其底部垂直相连。3.根据权利要求1所述的防止划片损伤的CMOS图像传感器结构，其特征在于，所述保护环由设于芯片外围区域的第一介质层中的第二金属互连层构成。4.根据权利要求3所述的防止划片损伤的CMOS图像传感器结构，其特征在于，所述第一金属互连层、第二金属互连层包括多层金属互连线以及用于连接各层金属互连线的通孔。5.根据权利要求4所述的防止划片损伤的CMOS图像传感器结构，其特征在于，所述保护环、第一沟槽及第二沟槽在垂直方向上相互对齐。6.根据权利要求4所述的防止划片损伤的CMOS图像传感器结构，其特征在于，所述电路硅片下方还堆叠设有载片硅片，所述载片硅片通过设于其上表面的第三介质层与电路硅片下表面的第一介质层键合结合在一起。7.根据权利要求1或2所述的防止划片损伤的CMOS图像传感器结构，其特征在于，中...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾学强，
申请(专利权)人：上海微阱电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31